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11. 发明专利

TW201734242A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201734242A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106108632
申请日：2017-03-16
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , G06F3/041
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/0042 , C23C14/086 , C23C14/54 , H01J37/32449 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476
摘要：本發明提供一種成膜裝置及成膜方法，進行將氧保持為適當量、品質良好且品質的不均少的成膜。成膜裝置1包括：作為密閉容器的腔室2，配置著包含成膜材料的靶材231，內部被搬入工件W；排氣裝置25，在工件W的搬入後，將腔室2排氣規定的排氣時間而形成基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部27，向排氣成基礎壓力的腔室2的內部導入含氧的濺鍍氣體。濺鍍氣體導入部27根據附著在腔室2的內部的成膜材料的增加所引起的基礎壓力的上升，使導入到腔室2的濺鍍氣體的氧分壓減少。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜设备1包括：作为密闭容器的腔室2，配置着包含成膜材料的靶材231，内部被搬入工件W；排气设备25，在工件W的搬入后，将腔室2排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部27，向排气成基础压力的腔室2的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部27根据附着在腔室2的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室2的溅镀气体的氧分压减少。

12. 发明专利

TW201702412A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201702412A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105105676
申请日：2016-02-25
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：浅川慶一郎 , ASAKAWA, KEIICHIRO , 濱口純一 , HAMAGUCHI, JUNICHI , 園田和広 , SONODA, KAZUHIRO , 沼田幸展 , NUMATA, YUKINOBU , 小風豊 , KOKAZE, YUTAKA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/58
CPC分类号： H01L21/76867 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/5826 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32477 , H01J37/32513 , H01J37/32623 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01J37/3476 , H01J2237/334 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76865
摘要：提供一種藉由在蝕刻處理時對於負電荷集中於基板邊緣部的情形作防止，而能夠在高縱橫比之孔內面以良好的覆蓋率而成膜薄膜之成膜裝置。本發明之成膜裝置(SM)，係具備有：被配置有靶材(21)之真空腔(1)；和在真空腔內而保持基板(W)之平台(4)；和對於靶材投入特定之電力之第1電源(E1)；和對於平台投入交流電力之第2電源(E2)，而能夠進行藉由第1電源來對於靶材投入電力並對靶材進行濺鍍之成膜處理、和藉由第2電源來對於平台投入交流電力並對於被成膜於基板上之薄膜進行蝕刻之蝕刻處理，該成膜裝置(SM)，係於基板之周圍被配置有防附著板(7c)，並具備有：驅動手段(8)，係以被保持於平台處之基板的成膜面側作為上方，而使遮罩在成膜位置與蝕刻位置之間作上下移動，該成膜位置，係使近接於基板之防附著板的部份(71)位置於與基板上面同等之平面上，該蝕刻位置，係使此防附著板之部分位置於從基板上面起而更上方處。
简体摘要：提供一种借由在蚀刻处理时对于负电荷集中于基板边缘部的情形作防止，而能够在高纵横比之孔内面以良好的覆盖率而成膜薄膜之成膜设备。本发明之成膜设备(SM)，系具备有：被配置有靶材(21)之真空腔(1)；和在真空腔内而保持基板(W)之平台(4)；和对于靶材投入特定之电力之第1电源(E1)；和对于平台投入交流电力之第2电源(E2)，而能够进行借由第1电源来对于靶材投入电力并对靶材进行溅镀之成膜处理、和借由第2电源来对于平台投入交流电力并对于被成膜于基板上之薄膜进行蚀刻之蚀刻处理，该成膜设备(SM)，系于基板之周围被配置有防附着板(7c)，并具备有：驱动手段(8)，系以被保持于平台处之基板的成膜面侧作为上方，而使遮罩在成膜位置与蚀刻位置之间作上下移动，该成膜位置，系使近接于基板之防附着板的部份(71)位置于与基板上面同等之平面上，该蚀刻位置，系使此防附着板之部分位置于从基板上面起而更上方处。

13. 发明专利

TW201435464A 在電致變色裝置中之缺陷緩和層审中-公开
简体标题：在电致变色设备中之缺陷缓和层
公开(公告)号：TW201435464A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103104169
申请日：2014-02-07
申请人：唯景公司 , VIEW, INC.
发明人：凱拉珊史瑞達K , KAILASAM, SRIDHAR K. , 弗萊迪曼羅賓 , FRIEDMAN, ROBIN , 吉拉斯皮耶丹恩 , GILLASPIE, DANE , 普拉達安殊A , PRADHAN, ANSHU A. , 羅茲畢基羅伯特 , ROZBICKI, ROBERT , 莫塔尼迪夏 , MEHTANI, DISHA
IPC分类号： G02F1/15 , H01B13/00 , H01B5/14
CPC分类号： G02F1/1533 , C23C14/028 , C23C14/06 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/0652 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , G02F1/1309 , G02F1/133345 , G02F1/15 , G02F1/1523 , G02F1/155 , G02F2001/1536 , G02F2001/1555 , G02F2201/508 , H01B5/14 , H01B13/00 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要：本發明係關於電致變色裝置及方法，其可利用添加缺陷緩和絕緣層，該缺陷緩和絕緣層可防止電子導電層及/或電致變色作用層與反極性層接觸及在缺陷形成區域中產生短路。在一些實施例中，提供封裝層以封裝粒子以及防止其在後續層沈積時自裝置堆疊射出及產生短路風險。絕緣層之電子電阻率可介於約1歐姆-公分與108歐姆-公分之間。在一些實施例中，絕緣層含有以下金屬氧化物中之一或多種：氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化矽鋁、氧化鈰、氧化鎢、氧化鎳鎢及經氧化之氧化銦錫。亦可使用碳化物、氮化物、氮氧化物及碳氧化物。
简体摘要：本发明系关于电致变色设备及方法，其可利用添加缺陷缓和绝缘层，该缺陷缓和绝缘层可防止电子导电层及/或电致变色作用层与反极性层接触及在缺陷形成区域中产生短路。在一些实施例中，提供封装层以封装粒子以及防止其在后续层沉积时自设备堆栈射出及产生短路风险。绝缘层之电子电阻率可介于约1欧姆-公分与108欧姆-公分之间。在一些实施例中，绝缘层含有以下金属氧化物中之一或多种：氧化铝、氧化锌、氧化锡、氧化硅铝、氧化铈、氧化钨、氧化镍钨及经氧化之氧化铟锡。亦可使用碳化物、氮化物、氮氧化物及碳氧化物。

14. 发明专利

TWI423371B 基板處理裝置及粒子附著防止方法有权
简体标题：基板处理设备及粒子附着防止方法
公开(公告)号：TWI423371B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097103495
申请日：2008-01-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田村明威 , TAMURA, AKITAKE , 林輝幸 , HAYASHI, TERUYUKI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32522 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778

15. 发明专利

TW201734237A 用於VHF-RF物理氣相沉積腔室內之預塗佈屏障审中-公开
简体标题：用于VHF-RF物理气相沉积腔室内之预涂布屏障
公开(公告)号：TW201734237A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105136565
申请日：2016-11-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 侯文婷 , HOU, WENTING , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 翁建業 , YOUNG, DONNY , 呂明諭 , LU, WILLIAM M.
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01J37/32
CPC分类号： C23C4/134 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C18/1646 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/48 , C25D3/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D17/00 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3476
摘要：本揭示的實施方案是關於用於處理腔室內的改良屏障。在一個實施方案中，該屏障包括具有圓柱形形狀的中空主體及被形成在該主體的內表面上的塗層，該圓柱形形狀大致上相對於該主體的中心軸對稱。該塗層是由與該處理腔室中使用的濺射靶材相同的材料形成。該屏障藉由減少該屏障與該濺射靶材之間的電弧而有利地減少使用RF-PVD沉積的薄膜中的顆粒污染物。電弧因該屏障的內表面上存在塗層而減少。
简体摘要：本揭示的实施方案是关于用于处理腔室内的改良屏障。在一个实施方案中，该屏障包括具有圆柱形形状的中空主体及被形成在该主体的内表面上的涂层，该圆柱形形状大致上相对于该主体的中心轴对称。该涂层是由与该处理腔室中使用的溅射靶材相同的材料形成。该屏障借由减少该屏障与该溅射靶材之间的电弧而有利地减少使用RF-PVD沉积的薄膜中的颗粒污染物。电弧因该屏障的内表面上存在涂层而减少。

16. 发明专利

TW201708580A 高頻濺鍍裝置及濺鍍方法审中-公开
简体标题：高频溅镀设备及溅镀方法
公开(公告)号：TW201708580A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105108836
申请日：2016-03-22
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：藤井佳詞 , FUJII, YOSHINORI , 中村真也 , NAKAMURA, SHINYA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/40 , H05H1/46 , C23C14/50
CPC分类号： H01J37/32697 , C23C14/081 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/542 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476
摘要：本發明係提供一種能夠盡可能地抑制在處理基板處之逆濺鍍量而有效率地進行成膜的高頻濺鍍裝置。在真空中對靶材(21)投入高頻電力，並對處理基板(W)之其中一面(Wa)進行成膜處理之本發明的高頻濺鍍裝置(SM)，係具備以將處理基板之其中一面開放且電絕緣的狀態來保持處理基板的平台(4)。平台，係於該處理基板之保持面具有凹陷部(42)，當以使處理基板之外周緣部抵接於平台之保持面(41)的方式來保持處理基板時，於以處理基板另外一面與凹陷部之輪廓所區劃的空間(43)內，設有相對於處理基板而於接近方向或離開方向上移動自如的被接地之可動體(44)。
简体摘要：本发明系提供一种能够尽可能地抑制在处理基板处之逆溅镀量而有效率地进行成膜的高频溅镀设备。在真空中对靶材(21)投入高频电力，并对处理基板(W)之其中一面(Wa)进行成膜处理之本发明的高频溅镀设备(SM)，系具备以将处理基板之其中一面开放且电绝缘的状态来保持处理基板的平台(4)。平台，系于该处理基板之保持面具有凹陷部(42)，当以使处理基板之外周缘部抵接于平台之保持面(41)的方式来保持处理基板时，于以处理基板另外一面与凹陷部之轮廓所区划的空间(43)内，设有相对于处理基板而于接近方向或离开方向上移动自如的被接地之可动体(44)。

17. 发明专利

TW201535572A 智慧型腔室及智慧型腔室元件审中-公开
简体标题：智能型腔室及智能型腔室组件
公开(公告)号：TW201535572A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104107957
申请日：2015-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：賓賽門尼可拉斯 , BINNS, SIMON NICHOLAS , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 斯洽爾羅那文 , SCHAUER, RONALD VERN , 強森羅傑M , JOHNSON, ROGER M. , 寇克斯麥可S , COX, MICHAEL S.
IPC分类号： H01L21/67 , C23C14/54 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3476 , H01J37/32935 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3479
摘要：處理腔室包括腔室主體、一或多個監控裝置，及一或多個天線，腔室主體具有設置於腔室主體之上的腔室蓋組件，一或多個監控裝置與腔室蓋組件耦接，一或多個天線鄰近於與一或多個監控裝置連接的腔室蓋組件設置。
简体摘要：处理腔室包括腔室主体、一或多个监控设备，及一或多个天线，腔室主体具有设置于腔室主体之上的腔室盖组件，一或多个监控设备与腔室盖组件耦接，一或多个天线邻近于与一或多个监控设备连接的腔室盖组件设置。

18. 发明专利

TWI475125B 具有電弧偵測的濺鍍系統及其形成方法有权
简体标题：具有电弧侦测的溅镀系统及其形成方法
公开(公告)号：TWI475125B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW098109250
申请日：2009-03-20
申请人：萬機科技股份有限公司 , MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：凱倫潔西 , KLEIN, JESSE N. , 何思德大衛 , HALSTEAD, DAVID C. , 吉伯特麥可 , GILBERT, MICHAEL R.
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/54 , H01J37/32027 , H01J37/32055 , H01J37/32935 , H01J37/32944 , H01J37/34 , H01J37/3444 , H01J2237/0206

19. 发明专利

TW201503286A 用於塡充通孔的方法及基板通孔塡充真空處理系統审中-公开
简体标题：用于填充通孔的方法及基板通孔填充真空处理系统
公开(公告)号：TW201503286A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103118051
申请日：2014-05-23
申请人：歐瑞康先進科技股份有限公司 , OERLIKON ADVANCED TECHNOLOGIES AG
发明人：艾格哈薩利穆罕默德 , ELGHAZZALI, MOHAMED , 維查特爵根 , WEICHART, JUERGEN
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/0623 , C23C14/3407 , C23C14/5826 , C23C14/5873 , C23F4/00 , H01J37/32431 , H01J37/3429 , H01J37/3476
摘要：基板中之具有至少接近1：1之深寬比的通孔係以呈現熱驅動非晶/結晶相變的材料填充。此係在一真空製程室(50a)內執行。在一第一時間跨距期間，藉由DC濺鍍自一材料靶材(60)濺鍍沈積該材料。在一後續的時間跨距中，在藉由該提出的濺鍍進行材料覆蓋時可餘留在該通孔中之一空洞係經由蝕刻以及將一Rf偏壓施加至具有該通孔之該基板(52)而打開，該蝕刻係在一電感耦合電漿的協助下執行，該電感耦合電漿係藉由一Rf驅動電線圈(40)產生。
简体摘要：基板中之具有至少接近1：1之深宽比的通孔系以呈现热驱动非晶/结晶相变的材料填充。此系在一真空制程室(50a)内运行。在一第一时间跨距期间，借由DC溅镀自一材料靶材(60)溅镀沉积该材料。在一后续的时间跨距中，在借由该提出的溅镀进行材料覆盖时可余留在该通孔中之一空洞系经由蚀刻以及将一Rf偏压施加至具有该通孔之该基板(52)而打开，该蚀刻系在一电感耦合等离子的协助下运行，该电感耦合等离子系借由一Rf驱动电线圈(40)产生。

20. 发明专利

TW201315829A 濺鍍用鉭製線圈之再生方法及藉由該再生方法而得之鉭製線圈审中-公开
简体标题：溅镀用钽制线圈之再生方法及借由该再生方法而得之钽制线圈
公开(公告)号：TW201315829A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101134110
申请日：2012-09-18
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：塚本志郎 , TSUKAMOTO, SHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32853 , H01J37/3288 , H01J37/34 , H01J37/3447 , Y10T29/49748
摘要：本發明係關於一種濺鍍用鉭製線圈之再生方法，其係配置於基板與濺鍍靶之間之濺鍍用鉭製線圈之再生方法，其特徵在於：藉由對線圈整個面或一部分進行切削加工，而對使用完畢之線圈進行面加工（切削至再沈積膜及滾紋加工痕跡消失），從而除去濺鍍中所形成之再沈積膜，然後，對切削後之部位重新施加滾紋。於濺鍍中，濺鍍粒子會堆積（再沈積）於配置在基板與濺鍍靶間的鉭製線圈之表面，本發明之課題在於提供以下技術：於濺鍍結束後，藉由切削而除去該使用完畢之線圈所堆積之濺鍍粒子，從而有效地使鉭製線圈再生，藉此可排除不必要之新線圈之製作，提高生產性，且穩定地提供該線圈。
简体摘要：本发明系关于一种溅镀用钽制线圈之再生方法，其系配置于基板与溅镀靶之间之溅镀用钽制线圈之再生方法，其特征在于：借由对线圈整个面或一部分进行切削加工，而对使用完毕之线圈进行面加工（切削至再沉积膜及滚纹加工痕迹消失），从而除去溅镀中所形成之再沉积膜，然后，对切削后之部位重新施加滚纹。于溅镀中，溅镀粒子会堆积（再沉积）于配置在基板与溅镀靶间的钽制线圈之表面，本发明之课题在于提供以下技术：于溅镀结束后，借由切削而除去该使用完毕之线圈所堆积之溅镀粒子，从而有效地使钽制线圈再生，借此可排除不必要之新线圈之制作，提高生产性，且稳定地提供该线圈。

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