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11. 发明专利

TW200718292A 量測電漿中電特徵組之裝置 APPARATUS FOR MEASURING A SET OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS IN A PLASMA 审中-公开
简体标题：量测等离子中电特征组之设备 APPARATUS FOR MEASURING A SET OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS IN A PLASMA
公开(公告)号：TW200718292A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095123647
申请日：2006-06-29
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：克利斯多夫金寶 KIMBALL, CHRISTOPHER , 艾瑞克哈德森 HUDSON, ERIC A. , 道格拉斯凱爾 KEIL, DOUGLAS , 艾利克西瑪拉克泰諾弗 MARAKHTANOV, ALEXEI
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32935 , H05H1/0081 , Y10T29/49002
摘要：所揭露者為一種探針裝置,配置來量測電漿處理室中電特徵組,此電漿處理室包括配置來曝露於電漿之電漿室表面組。此探針裝置包括群集碟結構,配置來曝露於電漿,藉此群集碟結構係與電漿室表面組中至少之一共平面。此探針裝置還包括導電路徑,配置來將電特徵組從群集碟結構傳送至轉換器組,其中電特徵組係由電漿的離子通量所產生。此探針裝置進一步包括絕緣位障器,配置來使群集碟結構及導電路徑與電漿室表面組實質上電性分離。
简体摘要：所揭露者为一种探针设备,配置来量测等离子处理室中电特征组,此等离子处理室包括配置来曝露于等离子之等离子室表面组。此探针设备包括群集碟结构,配置来曝露于等离子,借此群集碟结构系与等离子室表面组中至少之一共平面。此探针设备还包括导电路径,配置来将电特征组从群集碟结构发送至转换器组,其中电特征组系由等离子的离子通量所产生。此探针设备进一步包括绝缘位障器,配置来使群集碟结构及导电路径与等离子室表面组实质上电性分离。

12. 发明专利

TWI275326B 於晶圓隆點應用中藉電子附著去除表面氧化物的方法 REMOVAL OF SURFACE OXIDES BY ELECTRON ATTACHMENT FOR WAFER BUMPING APPLICATIONS 有权
简体标题：于晶圆隆点应用中藉电子附着去除表面氧化物的方法 REMOVAL OF SURFACE OXIDES BY ELECTRON ATTACHMENT FOR WAFER BUMPING APPLICATIONS
公开(公告)号：TWI275326B
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW093111607
申请日：2004-04-26
申请人：氣體產品及化學品股份公司 AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：忠.克里斯汀.董 DONG, CHUN CHRISTINE , 韋恩.湯馬士.麥德蒙 MCDERMOTT, WAYNE THOMAS , 亞力山大.史瓦茲 SCHWARZ, ALEXANDER , 格雷哥.戈羅.阿藍尼 ARSLANIAN, GREGORY KHOSROV , 查理.E.巴特瑞克 PATRICK, RICHARD E.
IPC分类号： H05H , B23K
CPC分类号： H01J37/32431 , B23K1/008 , B23K1/206 , B23K35/268 , B23K35/38 , C23G5/00 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種自一基材表面去除金屬氧化物之方法。在一特定實施例中，該方法係包括：提供一基材，及位在一目標區內之一第一，及第二電極；通過一包含一還原氣體之氣體混合物以穿過該目標區；供應一定量能量至該第一以及／或第二電極以產生在該目標區內之電子，其中至少一部份電子附著至一部份還原氣體並且形成一負電荷還原氣體；以及將該基材接觸該負電荷還原氣體以還原在該基材表面上之金屬氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种自一基材表面去除金属氧化物之方法。在一特定实施例中，该方法系包括：提供一基材，及位在一目标区内之一第一，及第二电极；通过一包含一还原气体之气体混合物以穿过该目标区；供应一定量能量至该第一以及／或第二电极以产生在该目标区内之电子，其中至少一部份电子附着至一部份还原气体并且形成一负电荷还原气体；以及将该基材接触该负电荷还原气体以还原在该基材表面上之金属氧化物。

13. 发明专利

TW200704289A 使用雙頻率射頻訊號之電漿產生與控制 PLASMA GENERATION AND CONTROL USING DUAL FREQUENCY RF SIGNALS 失效
简体标题：使用双频率射频信号之等离子产生与控制 PLASMA GENERATION AND CONTROL USING DUAL FREQUENCY RF SIGNALS
公开(公告)号：TW200704289A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095116153
申请日：2006-05-05
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛儂史蒂芬C SHANNON, STEVEN C. , 彼得森亞歷桑德 PATERSON, ALEXANDER , 索多洛斯帕納葛波洛斯 PANAGOPOULOS, THEODOROS , 荷倫約翰P HOLLAND, JOHN P. , 葛林馬特丹尼斯 GRIMARD, DENNIS , 霍夫曼丹尼爾 HOFFMAN DANIEL
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32082 , H01J37/32431
摘要：本案提供一種用以控制一半導體基材處理室內之一電漿的方法。該方法包含:施加於第一頻率之第一RF信號給在處理室內之第一電極,該第一頻率係被選擇以使得電漿鞘層振盪於第一頻率;及由電源施加於第二頻率之第二RF信號給第一電極,該第二頻率係被選擇以使得電漿鞘層振盪於第二頻率,其中第二頻率係與第一頻率差別有一等於想要頻率之差値,該想要頻率被選擇以使得電漿鞘層振盪於該想要頻率。
简体摘要：本案提供一种用以控制一半导体基材处理室内之一等离子的方法。该方法包含:施加于第一频率之第一RF信号给在处理室内之第一电极,该第一频率系被选择以使得等离子鞘层振荡于第一频率;及由电源施加于第二频率之第二RF信号给第一电极,该第二频率系被选择以使得等离子鞘层振荡于第二频率,其中第二频率系与第一频率差别有一等于想要频率之差値,该想要频率被选择以使得等离子鞘层振荡于该想要频率。

14. 发明专利

TW200423827A 於晶圓隆點應用中藉電子附著去除表面氧化物的方法 REMOVAL OF SURFACE OXIDES BY ELECTRON ATTACHMENT FOR WAFER BUMPING APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：于晶圆隆点应用中藉电子附着去除表面氧化物的方法 REMOVAL OF SURFACE OXIDES BY ELECTRON ATTACHMENT FOR WAFER BUMPING APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200423827A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW093111607
申请日：2004-04-26
申请人：氣體產品及化學品股份公司 AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：忠‧克里斯汀‧董 DONG, CHUN CHRISTINE , 韋恩‧湯馬士‧麥德蒙 MCDERMOTT, WAYNE THOMAS , 亞力山大‧史瓦茲 SCHWARZ, ALEXANDER , 格雷哥‧戈羅‧阿藍尼 ARSLANIAN, GREGORY KHOSROV , 查理‧E‧巴特瑞克 PATRICK, RICHARD E.
IPC分类号： H05H , B23K
CPC分类号： H01J37/32431 , B23K1/008 , B23K1/206 , B23K35/268 , B23K35/38 , C23G5/00 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種自一基材表面去除金屬氧化物之方法。在一特定實施例中，該方法係包括：提供一基材，及位在一目標區內之一第一，及第二電極；通過一包含一還原氣體之氣體混合物以穿過該目標區；供應一定量能量至該第一以及／或第二電極以產生在該目標區內之電子，其中至少一部份電子附著至一部份還原氣體並且形成一負電荷還原氣體；以及將該基材接觸該負電荷還原氣體以還原在該基材表面上之金屬氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种自一基材表面去除金属氧化物之方法。在一特定实施例中，该方法系包括：提供一基材，及位在一目标区内之一第一，及第二电极；通过一包含一还原气体之气体混合物以穿过该目标区；供应一定量能量至该第一以及／或第二电极以产生在该目标区内之电子，其中至少一部份电子附着至一部份还原气体并且形成一负电荷还原气体；以及将该基材接触该负电荷还原气体以还原在该基材表面上之金属氧化物。

15. 发明专利

TW396451B 增進蝕刻均勻性的裝置及其方法有权
简体标题：增进蚀刻均匀性的设备及其方法
公开(公告)号：TW396451B
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：TW087114572
申请日：1998-09-02
申请人：泛林股份有限公司
发明人：羅傑.派屈克 , 菲利普.瓊斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/3343 , H01L21/32136
摘要：一種於電漿處理室中提高蝕刻半導體基底均勻性之方法。方法包含放置半導體基底於犧牲基底支架中。犧牲基底支架令包圍半導體基底之犧牲蝕刻部面對電漿處理室中電漿，允許電漿同時蝕刻半導體基底第一面及犧牲蝕刻部第一面。犧牲蝕刻部第一面之材料可由電漿蝕刻。方法另包含放置半導體基底及犧牲基底支架於電漿處理室中。另亦包含由釋入電漿處理室之蝕刻源氣體打擊電漿。此外，包含使用電漿同時蝕刻半導體基底第一面及犧牲蝕刻部第一面。
简体摘要：一种于等离子处理室中提高蚀刻半导体基底均匀性之方法。方法包含放置半导体基底于牺牲基底支架中。牺牲基底支架令包围半导体基底之牺牲蚀刻部面对等离子处理室中等离子，允许等离子同时蚀刻半导体基底第一面及牺牲蚀刻部第一面。牺牲蚀刻部第一面之材料可由等离子蚀刻。方法另包含放置半导体基底及牺牲基底支架于等离子处理室中。另亦包含由释入等离子处理室之蚀刻源气体打击等离子。此外，包含使用等离子同时蚀刻半导体基底第一面及牺牲蚀刻部第一面。

16. 发明专利

TW393701B 自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方法及裝置有权
简体标题：自试件台将静电吸附之试件予以脱离之方法及设备
公开(公告)号：TW393701B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087109949
申请日：1998-09-19
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：石村裕昭 , 椿武士 , 佐藤孝 , 中田健二 , 平野裕義 , 吉開元彥 , 口正道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/022 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要：配合於真空室內之試件台上，以靜電吸附保持該載置於施加了靜電吸附電壓之試件台上之試件。而當欲由試件台脫離該靜電吸附之試件時，反複地實施，令該用於由試件台去除試件用之頂上梢，從試件台相對的頂上預先規定之高度之第l步驟;及該第l步驟之終了後，以預先規定之時間之間，令該頂上梢之頂上動作靜止之第2步驟、而藉由試件之反力使該被靜電吸附之試件脫離試件台。
简体摘要：配合于真空室内之试件台上，以静电吸附保持该载置于施加了静电吸附电压之试件台上之试件。而当欲由试件台脱离该静电吸附之试件时，反复地实施，令该用于由试件台去除试件用之顶上梢，从试件台相对的顶上预先规定之高度之第l步骤;及该第l步骤之终了后，以预先规定之时间之间，令该顶上梢之顶上动作静止之第2步骤、而借由试件之反力使该被静电吸附之试件脱离试件台。

17. 发明专利

TW201732866A 電漿系統的腔室审中-公开
简体标题：等离子系统的腔室
公开(公告)号：TW201732866A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105144055
申请日：2016-12-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：廖崇憲 , LIAO, CHUNG-HSIEN , 蔡文包 , TSAI, WEN-PAO
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/02
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477
摘要：一種電漿系統的腔室包括：腔室壁，其定義電漿加工區域；基底支架，其經配置以支撐電漿加工區域中的基底；以及內襯，其位在電漿加工區域中並且將腔室壁與電漿加工區域分離。還提供一種用於電漿系統的內襯以及一種用於將內襯安裝到電漿系統的方法。
简体摘要：一种等离子系统的腔室包括：腔室壁，其定义等离子加工区域；基底支架，其经配置以支撑等离子加工区域中的基底；以及内衬，其位在等离子加工区域中并且将腔室壁与等离子加工区域分离。还提供一种用于等离子系统的内衬以及一种用于将内衬安装到等离子系统的方法。

18. 发明专利

TWI549156B 電漿處理裝置及微波導入裝置有权
简体标题：等离子处理设备及微波导入设备
公开(公告)号：TWI549156B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101111097
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463

19. 发明专利

TWI474372B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI474372B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW097106829
申请日：2008-02-27
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：藥師寺守 , YAKUSHIJI, MAMORU , 大本豐 , OHMOTO, YUTAKA , 高妻豐 , KOUZUMA, YUTAKA , 吉岡健 , YOSHIOKA, KEN
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67248

20. 发明专利

TWI473199B 靜電吸盤組件有权
简体标题：静电吸盘组件
公开(公告)号：TWI473199B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW098127179
申请日：2009-08-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：珊索尼史蒂芬V , SANSONI, STEVEN V. , 蔡振雄 , TSAI, CHENG HSIUNG , 羅伊珊胡 , ROY, SHAMBHU N. , 布朗卡爾M , BROWN, KARL M. , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D. , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K.
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32431 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68785 , H01L2924/0002 , H02N13/00 , H01L2924/00

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