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1. 发明专利

TW517306B 半導體元件製程的終點判定方法與裝置以及使用此方法與裝置的被處理材的處理方法與裝置有权
简体标题：半导体组件制程的终点判定方法与设备以及使用此方法与设备的被处理材的处理方法与设备
公开(公告)号：TW517306B
公开(公告)日：2003-01-11
申请号：TW090121996
申请日：2001-09-05
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：臼井建人 , 藤井敬 , 吉開元彥 , 加治哲德 , 山本秀之
IPC分类号： H01L
摘要：設定對第一被處理材的預定層差的干涉光的微分值的以波長為參數的標準圖案，與對被處理材的預定罩幕殘膜厚度的干涉光的微分值的以波長為參數的標準圖案。接著，關於複數波長分別測定關於與前述第一被處理材相同構成的第二被處理材的干涉光強度，求出以該被測定的干涉光強度的微分值的波長為參數的實圖案。根據前述標準圖案與前述微分值的實圖案，求出前述第二被處理材的層差與罩幕殘膜厚度。
简体摘要：设置对第一被处理材的预定层差的干涉光的微分值的以波长为参数的标准图案，与对被处理材的预定罩幕残膜厚度的干涉光的微分值的以波长为参数的标准图案。接着，关于复数波长分别测定关于与前述第一被处理材相同构成的第二被处理材的干涉光强度，求出以该被测定的干涉光强度的微分值的波长为参数的实图案。根据前述标准图案与前述微分值的实图案，求出前述第二被处理材的层差与罩幕残膜厚度。

2. 发明专利

TW255839B 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW255839B
公开(公告)日：1995-09-01
申请号：TW083104587
申请日：1994-05-20
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：吉開元彥 , 齊藤剛 , 藤本謙二
IPC分类号： H01L , B05D , B44C
CPC分类号： H01L21/02071 , H01J37/32862 , H01L21/32136 , Y10S438/905
摘要：一種電漿處理方法，主要以靜電吸附晶片於電極上予以保持，而使用溴化氫（ＨＢｒ）為蝕刻氣體來進行蝕刻處理，其特徵為，不給予產品產生不良影響之下，能實施產量為高之清洗作用者。
當終結蝕刻後，實施以靜電吸附保持晶片於電極上的去除電時，將從氣體流量控制器導入Ｏ2（氧氣）氣體於蝕刻室內，以產生Ｏ2氣體之電漿，而實施經由電漿將帶電於晶片之電荷流至接地之同時，實施蝕刻室內之清洗。
简体摘要：一种等离子处理方法，主要以静电吸附芯片于电极上予以保持，而使用溴化氢（ＨＢｒ）为蚀刻气体来进行蚀刻处理，其特征为，不给予产品产生不良影响之下，能实施产量为高之清洗作用者。当终结蚀刻后，实施以静电吸附保持芯片于电极上的去除电时，将从气体流量控制器导入Ｏ2（氧气）气体于蚀刻室内，以产生Ｏ2气体之等离子，而实施经由等离子将带电于芯片之电荷流至接地之同时，实施蚀刻室内之清洗。

3. 发明专利

TW502336B 電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW502336B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090122130
申请日：2001-09-06
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：齊藤剛 , 口正道 , 古林均 , 吉開元彥 , 谷聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/3347 , H01L21/3065
摘要：以熱控制單元11，將真空容器1中的樣品固持器6的溫度降低，以調整矽基底構成的樣品7之溫度至0℃或更低之溫度。然後，藉由使用包括SF6作為主成份並選加地添加O2之蝕刻氣體之電漿蝕刻、於樣品7中形成溝槽。因此，在矽半導體基底中形成溝槽時，可增加蝕刻速率及產能。
简体摘要：以热控制单元11，将真空容器1中的样品固持器6的温度降低，以调整硅基底构成的样品7之温度至0℃或更低之温度。然后，借由使用包括SF6作为主成份并选加地添加O2之蚀刻气体之等离子蚀刻、于样品7中形成沟槽。因此，在硅半导体基底中形成沟槽时，可增加蚀刻速率及产能。

4. 发明专利

TW520536B 進行半導體元件的表面加工之電漿處理方法有权
简体标题：进行半导体组件的表面加工之等离子处理方法
公开(公告)号：TW520536B
公开(公告)日：2003-02-11
申请号：TW090104362
申请日：2001-02-26
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：荒瀨高男 , 吉開元彥 , 齊藤剛 , 口正道 , 石村裕昭 , 下村隆浩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32477 , H01J37/32697 , H01J2237/022 , H01J2237/3341 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L29/6656
摘要：本發明係關於進行半導體元件的表面加工之電漿處理方法，特別是關於適合於氮化矽膜之蝕刻之電漿處理方法。本發明在於提供：在具有氮化矽膜之試料的加工上，非等向性之尺寸精度優良之加工，或與底層氧化矽膜之選擇性優異之電漿處理方法。其手段為：於電漿蝕刻加工室中，電漿化不含氟元素之氯體與鋁之混合氣氛，利用該電漿蝕刻處理具有氮化矽膜之試料。
简体摘要：本发明系关于进行半导体组件的表面加工之等离子处理方法，特别是关于适合于氮化硅膜之蚀刻之等离子处理方法。本发明在于提供：在具有氮化硅膜之试料的加工上，非等向性之尺寸精度优良之加工，或与底层氧化硅膜之选择性优异之等离子处理方法。其手段为：于等离子蚀刻加工室中，等离子化不含氟元素之氯体与铝之混合气氛，利用该等离子蚀刻处理具有氮化硅膜之试料。

5. 发明专利

TW403953B 材料之表面加工方法失效
公开(公告)号：TW403953B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW088103869
申请日：1999-03-12
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：吉開元彥 , 長谷川洋 , 秋山博 , 德永尚文 , 梅澤唯史 , 兒島雅之 , 野尻一男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要：本發明係為提供可高精密度，高選擇性的加工半導體元件之配線或閘電極所用的金屬與多晶矽之多層膜的方法，於金屬膜蝕刻時，保持試料溫度於100℃以上200℃以下並予處理以加速金屬膜之蝕刻速度。再者，為防止多晶矽膜之蝕刻速度的抑制或側蝕，於含鹵元素之氣體內添加氧氣。又，為抑制多晶矽膜蝕刻時的氧化矽膜之蝕刻速度，至少分成金屬膜蝕刻條件及多晶矽膜蝕刻條件予以處理。
简体摘要：本发明系为提供可高精密度，高选择性的加工半导体组件之配线或闸电极所用的金属与多晶硅之多层膜的方法，于金属膜蚀刻时，保持试料温度于100℃以上200℃以下并予处理以加速金属膜之蚀刻速度。再者，为防止多晶硅膜之蚀刻速度的抑制或侧蚀，于含卤元素之气体内添加氧气。又，为抑制多晶硅膜蚀刻时的氧化硅膜之蚀刻速度，至少分成金属膜蚀刻条件及多晶硅膜蚀刻条件予以处理。

6. 发明专利

TW492106B 利用發光分光法之被處理材的膜厚測定方法及使用彼之被處理材的處理方法有权
简体标题：利用发光分光法之被处理材的膜厚测定方法及使用彼之被处理材的处理方法
公开(公告)号：TW492106B
公开(公告)日：2002-06-21
申请号：TW090104566
申请日：2001-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：臼井建人 , 藤井敬 , 吉開元彥 , 加治哲德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01B11/0675 , G01B11/0625 , H01L21/67069 , H01L22/26 , Y10T436/106664
摘要：本發明係關於利用發光分光法檢測半導體積體電路之製造等之被處理材的膜厚之膜厚測定方法及使用彼之被處理材的處理方法，特別是關於適用在藉由利用電漿放電之蝕刻處理以正確測定被設置在基板上之各種層之膜厚，作成所期望之厚度之被處理材之膜厚測定方法及使用彼之被處理材之處理方法。設定對於第1被處理材之指定膜厚之干涉光的微分值之以波長為參數之標準樣式。接著，將關於與前述第1被處理材同樣構成之第2被處理材之干涉光之強度就複數波長分別測定之，求得該被測定之干涉光強度之微分值之以波長為參數之實樣式。依據前述標準樣式與前述微分值之實樣式，求得前述第2被處理材之膜厚。
简体摘要：本发明系关于利用发光分光法检测半导体集成电路之制造等之被处理材的膜厚之膜厚测定方法及使用彼之被处理材的处理方法，特别是关于适用在借由利用等离子放电之蚀刻处理以正确测定被设置在基板上之各种层之膜厚，作成所期望之厚度之被处理材之膜厚测定方法及使用彼之被处理材之处理方法。设置对于第1被处理材之指定膜厚之干涉光的微分值之以波长为参数之标准样式。接着，将关于与前述第1被处理材同样构成之第2被处理材之干涉光之强度就复数波长分别测定之，求得该被测定之干涉光强度之微分值之以波长为参数之实样式。依据前述标准样式与前述微分值之实样式，求得前述第2被处理材之膜厚。

7. 发明专利

TW393701B 自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方法及裝置有权
简体标题：自试件台将静电吸附之试件予以脱离之方法及设备
公开(公告)号：TW393701B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087109949
申请日：1998-09-19
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：石村裕昭 , 椿武士 , 佐藤孝 , 中田健二 , 平野裕義 , 吉開元彥 , 口正道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/022 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要：配合於真空室內之試件台上，以靜電吸附保持該載置於施加了靜電吸附電壓之試件台上之試件。而當欲由試件台脫離該靜電吸附之試件時，反複地實施，令該用於由試件台去除試件用之頂上梢，從試件台相對的頂上預先規定之高度之第l步驟;及該第l步驟之終了後，以預先規定之時間之間，令該頂上梢之頂上動作靜止之第2步驟、而藉由試件之反力使該被靜電吸附之試件脫離試件台。
简体摘要：配合于真空室内之试件台上，以静电吸附保持该载置于施加了静电吸附电压之试件台上之试件。而当欲由试件台脱离该静电吸附之试件时，反复地实施，令该用于由试件台去除试件用之顶上梢，从试件台相对的顶上预先规定之高度之第l步骤;及该第l步骤之终了后，以预先规定之时间之间，令该顶上梢之顶上动作静止之第2步骤、而借由试件之反力使该被静电吸附之试件脱离试件台。

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