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1. 发明专利

TW393701B 自試件台將靜電吸附之試件予以脫離之方法及裝置有权
简体标题：自试件台将静电吸附之试件予以脱离之方法及设备
公开(公告)号：TW393701B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087109949
申请日：1998-09-19
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：石村裕昭 , 椿武士 , 佐藤孝 , 中田健二 , 平野裕義 , 吉開元彥 , 口正道
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/022 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要：配合於真空室內之試件台上，以靜電吸附保持該載置於施加了靜電吸附電壓之試件台上之試件。而當欲由試件台脫離該靜電吸附之試件時，反複地實施，令該用於由試件台去除試件用之頂上梢，從試件台相對的頂上預先規定之高度之第l步驟;及該第l步驟之終了後，以預先規定之時間之間，令該頂上梢之頂上動作靜止之第2步驟、而藉由試件之反力使該被靜電吸附之試件脫離試件台。
简体摘要：配合于真空室内之试件台上，以静电吸附保持该载置于施加了静电吸附电压之试件台上之试件。而当欲由试件台脱离该静电吸附之试件时，反复地实施，令该用于由试件台去除试件用之顶上梢，从试件台相对的顶上预先规定之高度之第l步骤;及该第l步骤之终了后，以预先规定之时间之间，令该顶上梢之顶上动作静止之第2步骤、而借由试件之反力使该被静电吸附之试件脱离试件台。

2. 发明专利

TW274678B 微波電漿處理方法失效
简体标题：微波等离子处理方法
公开(公告)号：TW274678B
公开(公告)日：1996-04-21
申请号：TW084106006
申请日：1995-06-13
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：形英里 , 佐藤孝 , 渡邊克哉
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32678
摘要：本發明提供一種微波電漿處理方法，能夠處理具有微小造形的物體層及疊合的物體層，而不會產生任何蝕刻殘留物，且當蝕刻一疊合層時能夠增加物體層的轉刻選定度對底層及罩的蝕刻選定度之比。改變由包圍電漿處理室之螺線管所產生的磁場之強度，而改變工件的物體表面與平坦的諧振區域之間的距離以蝕刻物體層，且可用於過度蝕刻物體層，以改變由微波產生的電場和由螺線管產生的磁場之相互作用所形成的電漿之位置。
简体摘要：本发明提供一种微波等离子处理方法，能够处理具有微小造形的物体层及叠合的物体层，而不会产生任何蚀刻残留物，且当蚀刻一叠合层时能够增加物体层的转刻选定度对底层及罩的蚀刻选定度之比。改变由包围等离子处理室之螺线管所产生的磁场之强度，而改变工件的物体表面与平坦的谐振区域之间的距离以蚀刻物体层，且可用于过度蚀刻物体层，以改变由微波产生的电场和由螺线管产生的磁场之相互作用所形成的等离子之位置。

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