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11. 发明专利

TW201516678A 於多層式儲存記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝置审中-公开
简体标题：于多层式存储内存存取数据之方法及其多层式存储记忆设备
公开(公告)号：TW201516678A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103100098
申请日：2014-01-02
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：洪群倫 , HUNG, CHIUN LUEN , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202
摘要：一種於多層式儲存記憶體存取資料之方法，包含使用單層式儲存設定將一部分多層式儲存記憶體轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於複數個單層式記憶體單元；將多層式記憶體單元對應至複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置複數個單層式記憶體單元。
简体摘要：一种于多层式存储内存存取数据之方法，包含使用单层式存储设置将一部分多层式存储内存转换为一单层式存储区域，以形成复数个多层式内存单元及复数个单层式内存单元；当一数据分配至一多层式内存单元时，存储该数据于复数个单层式内存单元；将多层式内存单元对应至复数个单层式内存单元；透过取得存储于复数个单层式内存单元的数据来读取该数据；以及当该多层式内存单元中的数据更新或一新数据分配至复数个单层式内存单元中至少一单层式内存单元时，使用多层式存储设置重新配置复数个单层式内存单元。

12. 发明专利

TWI481975B 擴充模組有权
简体标题：扩充模块
公开(公告)号：TWI481975B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW102107788
申请日：2013-03-06
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：龜岡裕典 , KAMEOKA, HIRONORI
IPC分类号： G05B19/05 , G05B19/42
CPC分类号： G06F13/385 , G05B15/02 , G05B19/0426 , G05B19/056 , G05B2219/24215 , G06F12/0246 , G06F2212/7202

13. 发明专利

TWI473011B 用於非揮發性儲存之可變超量供給有权
简体标题：用于非挥发性存储之可变超量供给
公开(公告)号：TWI473011B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101114992
申请日：2012-04-26
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：湯霖安卓約翰 , TOMLIN, ANDREW JOHN
IPC分类号： G06F5/06 , G11C15/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0608 , G06F3/0631 , G06F3/0679 , G06F2212/1016 , G06F2212/1032 , G06F2212/1036 , G06F2212/214 , G06F2212/7202 , G06F2212/7204

14. 发明专利

TW201441814A 控制器审中-公开
公开(公告)号：TW201441814A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102148823
申请日：2009-12-11
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤本曜久 , FUJIMOTO, AKIHISA
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202
摘要：一種記憶體裝置包括：一記憶體，其具有記憶體區域；及一控制器，其具有一第一模式及一第二模式。在接收到寫入資料之後，該控制器將資料寫入於該等記憶體區域中，同時管理寫入資料之邏輯位址與儲存相應寫入資料之記憶體區域之間的對應。複數個該等記憶體區域構成一管理單元。處於該第一模式之該控制器能夠將資料片段寫入於各別記憶體區域中，且經組態以維持含有待更新資料之一管理單元中的記憶體區域中之資料。處於該第二模式之該控制器以資料片段之邏輯位址的升序將該等資料片段寫入於各別記憶體區域中，且使含有經更新資料的一個管理單元中之記憶體區域中的資料無效。
简体摘要：一种内存设备包括：一内存，其具有内存区域；及一控制器，其具有一第一模式及一第二模式。在接收到写入数据之后，该控制器将数据写入于该等内存区域中，同时管理写入数据之逻辑位址与存储相应写入数据之内存区域之间的对应。复数个该等内存区域构成一管理单元。处于该第一模式之该控制器能够将数据片段写入于各别内存区域中，且经组态以维持含有待更新数据之一管理单元中的内存区域中之数据。处于该第二模式之该控制器以数据片段之逻辑位址的升序将该等数据片段写入于各别内存区域中，且使含有经更新数据的一个管理单元中之内存区域中的数据无效。

15. 发明专利

TWI455139B 記憶體區塊選擇有权
简体标题：内存区块选择
公开(公告)号：TWI455139B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW099106312
申请日：2010-03-04
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：亞斯那沙里美迪 , ASNAASHARI, MEHDI , 陳亞倫 , CHEN, ALAN , 那馬季西亞美克 , NEMAZIE, SIAMACK , 瑪克納馬拉戴爾P , MCNAMARA, DALE P.
IPC分类号： G11C16/16
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7204 , G06F2212/7205 , G06F2212/7208

16. 发明专利

TWI453747B 用來管理一快閃記憶體的複數個區塊之方法以及相關之記憶裝置及其控制器有权
简体标题：用来管理一闪存的复数个区块之方法以及相关之记忆设备及其控制器
公开(公告)号：TWI453747B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW098129598
申请日：2009-09-02
申请人：慧帝科技(深圳)有限公司 , SILICON MOTION INC. , 慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：陳波 , CHEN, BO , 胡水華 , HU, SHUIHUA , 李維卿 , LI, WEI-QING , 李向榮 , LI, XIANGRONG
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202

17. 发明专利

TWI450271B 用來管理一快閃記憶體的複數個區塊之方法以及相關之記憶裝置及其控制器有权
简体标题：用来管理一闪存的复数个区块之方法以及相关之记忆设备及其控制器
公开(公告)号：TWI450271B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW098129600
申请日：2009-09-02
申请人：慧帝科技(深圳)有限公司 , SILICON MOTION INC. , 慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：陳波 , CHEN, BO , 胡水華 , HU, SHUIHUA , 李維卿 , LI, WEI-QING , 李向榮 , LI, XIANGRONG
IPC分类号： G11C16/08 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202

18. 发明专利

TW201428757A 揮發性及快閃記憶體間資料的備份與復原审中-公开
简体标题：挥发性及闪存间数据的备份与复原
公开(公告)号：TW201428757A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102129786
申请日：2013-08-20
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：帕馬麥可約翰 , PALMER, MICHAEL JOHN , 翁凱文 , WONG, KELVIN , 史密斯彼得馬丁 , SMITH, PETER MARTIN
IPC分类号： G11C29/44 , G11C16/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F11/1441 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G11C11/005
摘要：本發明提供用以備份資料到快閃記憶體的方法及控制器系統。此方法包含：將備份資料組織為條帶，其中一條帶為橫跨所有具有相同區塊及頁位址之可用快閃記憶體裝置上之的一組複數頁。當在一資料條帶的備份過程中遇到快閃記憶體之區塊中的一錯誤時，此方法也包含：在下一個可用的頁位址開始重新寫入此資料條帶並排除具有錯誤之區塊之快閃記憶體的頁；以及將區塊中後續的資料條帶寫到排除具有錯誤之區塊之快閃記憶體的頁之複數頁。此方法也可包含：嵌入備份資料之一條帶的元資料，其包含：此資料條帶的識別數目；保存於一條帶中之資料量的一條帶長度欄；新錯誤區塊之位置的指示；以及已知錯誤區塊的指示。
简体摘要：本发明提供用以备份数据到闪存的方法及控制器系统。此方法包含：将备份数据组织为条带，其中一条带为横跨所有具有相同区块及页位址之可用闪存设备上之的一组复数页。当在一数据条带的备份过程中遇到闪存之区块中的一错误时，此方法也包含：在下一个可用的页位址开始重新写入此数据条带并排除具有错误之区块之闪存的页；以及将区块中后续的数据条带写到排除具有错误之区块之闪存的页之复数页。此方法也可包含：嵌入备份数据之一条带的元数据，其包含：此数据条带的识别数目；保存于一条带中之数据量的一条带长度栏；新错误区块之位置的指示；以及已知错误区块的指示。

19. 发明专利

TWI443513B 記憶體儲存裝置、記憶體控制器與資料寫入方法有权
简体标题：内存存储设备、内存控制器与数据写入方法
公开(公告)号：TWI443513B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100127947
申请日：2011-08-05
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：趙偉程 , TEO, WEI-CHEN
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/02 , G06F12/0646 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203

20. 发明专利

TWI435216B 用來進行超區塊管理之方法以及記憶裝置及控制器有权
简体标题：用来进行超区块管理之方法以及记忆设备及控制器
公开(公告)号：TWI435216B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW099132563
申请日：2010-09-27
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION INC.
发明人：沈揚智 , SHEN, YANG CHIH
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208

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