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1. 发明专利

TW201510724A 非揮發性儲存裝置及其資料寫入方法审中-公开
简体标题：非挥发性存储设备及其数据写入方法
公开(公告)号：TW201510724A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW102132875
申请日：2013-09-11
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：楊宗諺 , YANG, TSUNG YEN , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/06
摘要：一種非揮發性儲存裝置的資料寫入方法，包含接收一寫入指令；及根據寫入指令之ㄧ邏輯單位位址，連續寫入屬於該邏輯單位位址的新資料與備份資料至非揮發性記憶體之抹除單位儲存區域中。其中新資料係指寫入指令相應的寫入資料，而備份資料則指寫入指令接收之前已存放於非揮發性記憶體內對應於邏輯單位位址的原始資料。
简体摘要：一种非挥发性存储设备的数据写入方法，包含接收一写入指令；及根据写入指令之ㄧ逻辑单位位址，连续写入属于该逻辑单位位址的新数据与备份数据至非挥发性内存之抹除单位存储区域中。其中新数据系指写入指令相应的写入数据，而备份数据则指写入指令接收之前已存放于非挥发性内存内对应于逻辑单位位址的原始数据。

2. 发明专利

TW201405565A 存取非揮發性記憶體之方法审中-公开
简体标题：存取非挥发性内存之方法
公开(公告)号：TW201405565A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101132521
申请日：2012-09-06
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：劉亦峻 , LIU, YI CHUN , 李忠勳 , LEE, CHUNG HSUN , 周銘宏 , CHOU, MING HUNG
IPC分类号： G11C16/20
CPC分类号： G11C16/10 , G06F11/1012 , G06F11/1072 , G06F11/186
摘要：揭露一種存取非揮發性記憶體之方法。一資料之原始位元以一位元層級進行複製，以產生對應於每一原始位元之複數個複製位元。至少一屏蔽位元提供於對應於不同原始位元的複製位元之間。複製位元與至少一屏蔽位元燒錄至非揮發性記憶體。原始位元則根據複製位元而予以產生或決定。
简体摘要：揭露一种存取非挥发性内存之方法。一数据之原始比特以一比特层级进行复制，以产生对应于每一原始比特之复数个复制比特。至少一屏蔽比特提供于对应于不同原始比特的复制比特之间。复制比特与至少一屏蔽比特刻录至非挥发性内存。原始比特则根据复制比特而予以产生或决定。

3. 发明专利

TW201443638A 用於非揮發性記憶體之動態調整映射方式之方法及其非揮發性儲存裝置审中-公开
简体标题：用于非挥发性内存之动态调整映射方式之方法及其非挥发性存储设备
公开(公告)号：TW201443638A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102135084
申请日：2013-09-27
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：吳翊誠 , WU, YI CHENG , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G11C16/10 , G06F12/0246 , G06F12/06 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7207 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , Y02D10/13
摘要：一種動態調整映射方式之方法，用於一非揮發性記憶體，該非揮發性記憶體包含有複數個實體區塊，其中每一實體區塊包含有複數個實體分頁。該方法包含有透過一第一映射單位，將複數個邏輯位址映射至複數個實體位址；透過該第一映射單位，儲存資料於該非揮發性記憶體；以及根據所儲存之該資料，透過一第二映射單位，將至少一邏輯位址映射至至少一實體位址。
简体摘要：一种动态调整映射方式之方法，用于一非挥发性内存，该非挥发性内存包含有复数个实体区块，其中每一实体区块包含有复数个实体分页。该方法包含有透过一第一映射单位，将复数个逻辑位址映射至复数个实体位址；透过该第一映射单位，存储数据于该非挥发性内存；以及根据所存储之该数据，透过一第二映射单位，将至少一逻辑位址映射至至少一实体位址。

4. 发明专利

TW201430563A 非揮發性記憶體的平均抹寫系統及方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存的平均抹写系统及方法
公开(公告)号：TW201430563A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102106350
申请日：2013-02-23
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：呂俊賢 , LU, JIUN HSIEN , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/02 , G06F5/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
摘要：一種含有複數儲存單元的非揮發性記憶體的平均抹寫架構，使用轉換層將主機所提供的非揮發性記憶體的邏輯位址轉換至實體位址。配置一冷區塊表格，於至少一儲存單元內分派一或多個冷區塊，該儲存單元內的冷區塊的抹寫計數值小於儲存單元的非冷區塊的抹寫計數值。紀錄冷區塊的邏輯位址與相應實體位址記錄於冷區塊表格，以建立含有該些冷區塊的冷區塊群集。
简体摘要：一种含有复数存储单元的非挥发性内存的平均抹写架构，使用转换层将主机所提供的非挥发性内存的逻辑位址转换至实体位址。配置一冷区块表格，于至少一存储单元内分派一或多个冷区块，该存储单元内的冷区块的抹写计数值小于存储单元的非冷区块的抹写计数值。纪录冷区块的逻辑位址与相应实体位址记录于冷区块表格，以创建含有该些冷区块的冷区块群集。

5. 发明专利

TW201413451A 非揮發性記憶體的資料收集方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存的数据收集方法
公开(公告)号：TW201413451A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102100166
申请日：2013-01-03
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：劉亦峻 , LIU, YI CHUN , 呂俊賢 , LU, JIUN HSIEN
IPC分类号： G06F12/06 , G06F5/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205
摘要：一種非揮發性記憶體的資料收集方法，該非揮發性記憶體包含複數資料區塊，且每一資料區塊包含複數資料頁。記錄一時間標記，其相關於非揮發性記憶體的寫入資料。根據儲存於複數不同資料頁的複數寫入資料之相關時間標記，自複數不同資料頁分別搬移複數寫入資料至第一資料區塊。
简体摘要：一种非挥发性内存的数据收集方法，该非挥发性内存包含复数数据区块，且每一数据区块包含复数数据页。记录一时间标记，其相关于非挥发性内存的写入数据。根据存储于复数不同数据页的复数写入数据之相关时间标记，自复数不同数据页分别搬移复数写入数据至第一数据区块。

6. 发明专利

TWI484414B 用於記憶體之工作排程方法及其記憶體系統有权
简体标题：用于内存之工作调度方法及其内存系统
公开(公告)号：TWI484414B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102107055
申请日：2013-02-27
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：張鈺堂 , CHANG, YU TANG , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F9/46 , G06F5/06
CPC分类号： G06F9/4881 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1642 , G06F2209/486 , Y02D10/154 , Y02D10/24

7. 发明专利

TW201516678A 於多層式儲存記憶體存取資料之方法及其多層式儲存記憶裝置审中-公开
简体标题：于多层式存储内存存取数据之方法及其多层式存储记忆设备
公开(公告)号：TW201516678A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103100098
申请日：2014-01-02
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：洪群倫 , HUNG, CHIUN LUEN , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/02 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202
摘要：一種於多層式儲存記憶體存取資料之方法，包含使用單層式儲存設定將一部分多層式儲存記憶體轉換為一單層式儲存區域，以形成複數個多層式記憶體單元及複數個單層式記憶體單元；當一資料分配至一多層式記憶體單元時，儲存該資料於複數個單層式記憶體單元；將多層式記憶體單元對應至複數個單層式記憶體單元；透過取得儲存於複數個單層式記憶體單元的資料來讀取該資料；以及當該多層式記憶體單元中的資料更新或一新資料分配至複數個單層式記憶體單元中至少一單層式記憶體單元時，使用多層式儲存設定重新配置複數個單層式記憶體單元。
简体摘要：一种于多层式存储内存存取数据之方法，包含使用单层式存储设置将一部分多层式存储内存转换为一单层式存储区域，以形成复数个多层式内存单元及复数个单层式内存单元；当一数据分配至一多层式内存单元时，存储该数据于复数个单层式内存单元；将多层式内存单元对应至复数个单层式内存单元；透过取得存储于复数个单层式内存单元的数据来读取该数据；以及当该多层式内存单元中的数据更新或一新数据分配至复数个单层式内存单元中至少一单层式内存单元时，使用多层式存储设置重新配置复数个单层式内存单元。

8. 发明专利

TW201419157A 用於記憶體之工作排程方法及其記憶體系統审中-公开
简体标题：用于内存之工作调度方法及其内存系统
公开(公告)号：TW201419157A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102107055
申请日：2013-02-27
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：張鈺堂 , CHANG, YU TANG , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F9/46 , G06F5/06
CPC分类号： G06F9/4881 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F13/1642 , G06F2209/486 , Y02D10/154 , Y02D10/24
摘要：一種工作排程方法，用於一記憶體系統中之複數個記憶體。該方法包含將該複數個工作中每一工作分類至複數個工作類型當中任一工作類型；根據該複數個工作類型，配置複數個工作佇列，其中每一工作佇列儲存該複數個工作中之一工作；指定該複數個工作類型中每一工作類型之一優先權；配置至少一執行佇列；以及將儲存於該複數個工作佇列中一第一工作佇列之一第一工作轉換為至少一命令，以儲存於該至少一執行佇列中一第一執行佇列。該第一執行佇列中之該至少一命令係根據對應於該第一工作佇列之一第一工作類型之優先權來執行。
简体摘要：一种工作调度方法，用于一内存系统中之复数个内存。该方法包含将该复数个工作中每一工作分类至复数个工作类型当中任一工作类型；根据该复数个工作类型，配置复数个工作队列，其中每一工作队列存储该复数个工作中之一工作；指定该复数个工作类型中每一工作类型之一优先权；配置至少一运行队列；以及将存储于该复数个工作队列中一第一工作队列之一第一工作转换为至少一命令，以存储于该至少一运行队列中一第一运行队列。该第一运行队列中之该至少一命令系根据对应于该第一工作队列之一第一工作类型之优先权来运行。

9. 发明专利

TWI474323B 存取非揮發性記憶體之方法有权
简体标题：存取非挥发性内存之方法
公开(公告)号：TWI474323B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101132521
申请日：2012-09-06
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：劉亦峻 , LIU, YI CHUN , 李忠勳 , LEE, CHUNG HSUN , 周銘宏 , CHOU, MING HUNG
IPC分类号： G11C16/20
CPC分类号： G11C16/10 , G06F11/1012 , G06F11/1072 , G06F11/186

10. 发明专利

TW201443644A 管理非揮發性記憶體之方法及其非揮發性儲存裝置审中-公开
简体标题：管理非挥发性内存之方法及其非挥发性存储设备
公开(公告)号：TW201443644A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102134622
申请日：2013-09-25
申请人：擎泰科技股份有限公司 , SKYMEDI CORPORATION
发明人：戴銘佑 , TAI, MING YU , 劉亦峻 , LIU, YI CHUN
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G11C16/10 , G06F12/0246 , G06F12/06 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7207 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , Y02D10/13
摘要：一種管理一非揮發性記憶體之方法，該非揮發性記憶體包含有複數個記憶體區塊，其中每一記憶體區塊包含有複數個記憶體分頁。該方法包含有將該複數個記憶體分頁中一記憶體分頁分割為複數個群組；以及將一資料及對應於該資料之一映射資訊寫入該複數個群組中不同群組。
简体摘要：一种管理一非挥发性内存之方法，该非挥发性内存包含有复数个内存区块，其中每一内存区块包含有复数个内存分页。该方法包含有将该复数个内存分页中一内存分页分割为复数个群组；以及将一数据及对应于该数据之一映射信息写入该复数个群组中不同群组。

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