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11. 发明专利

TW201643279A 藉由使用遠程電流之電鍍均勻性的動態控制設備及方法审中-公开
简体标题：借由使用远程电流之电镀均匀性的动态控制设备及方法
公开(公告)号：TW201643279A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105101791
申请日：2016-01-21
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/10 , C25D5/04
CPC分类号： C25D5/04 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D17/06 , C25D17/10 , C25D17/12
摘要：在一態樣中包括用以在基板上電鍍金屬同時控制鍍覆均勻性之設備，其包含: 鍍覆腔室，包含由一膜隔開的陰極液分隔室與陽極液分隔室；主陽極，位在陽極液分隔室中；離子電阻性離子可通透元件，位在膜與陰極液分隔室中的基板之間；以及輔助電極，配置以將鍍覆電流施予及/或轉向至基板，及/或將鍍覆電流轉離基板，其中輔助電極經設置使得被施予及/或轉向的鍍覆電流不通過將陽極液分隔室與陰極液分隔室隔開的膜，但通過離子電阻性離子可通透元件。在一些實施例中，輔助電極為方位角對稱性陽極(例如位在圍繞鍍覆腔室之外圍的獨立分隔室中的環)，其可在電鍍期間受動態控制。
简体摘要：在一态样中包括用以在基板上电镀金属同时控制镀覆均匀性之设备，其包含: 镀覆腔室，包含由一膜隔开的阴极液分隔室与阳极液分隔室；主阳极，位在阳极液分隔室中；离子电阻性离子可通透组件，位在膜与阴极液分隔室中的基板之间；以及辅助电极，配置以将镀复电流施予及/或转向至基板，及/或将镀复电流转离基板，其中辅助电极经设置使得被施予及/或转向的镀复电流不通过将阳极液分隔室与阴极液分隔室隔开的膜，但通过离子电阻性离子可通透组件。在一些实施例中，辅助电极为方位角对称性阳极(例如位在围绕镀覆腔室之外围的独立分隔室中的环)，其可在电镀期间受动态控制。

12. 发明专利

TW201447050A 使用完全浸入的無空氣回授流控制閥之水泡與泡沫溶液审中-公开
简体标题：使用完全浸入的无空气回授流控制阀之水泡与泡沫溶液
公开(公告)号：TW201447050A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102145643
申请日：2013-12-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：亞伯拉罕理查 , ABRAHAM, RICHARD , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 波特大衛 , PORTER, DAVID , 邁爾史蒂芬T , MAYER, STEVEN T. , 奧斯多斯基約翰 , OSTROWSKI, JOHN
IPC分类号： C25D21/12
CPC分类号： C25D21/04 , C25D5/08 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D21/12 , G01F23/14 , G01F23/263 , G01F23/296
摘要：本文揭露之實施例係與用於在再循環系統中促成處理流體的無氣泡循環之方法與設備相關。部分揭露之技術涉及促成排出管中之可變流阻的被動、機械閥設計。其他技術涉及利用來自流量計、位準感測器等之回授的自動化流量控制方案，以達成平衡與無氣泡之流動。揭露實施例大幅度降低氣泡結合到處理流體中的情況，特別是當處理流體由處理槽返回至貯槽時之情形。
简体摘要：本文揭露之实施例系与用于在再循环系统中促成处理流体的无气泡循环之方法与设备相关。部分揭露之技术涉及促成排出管中之可变流阻的被动、机械阀设计。其他技术涉及利用来自流量计、位准传感器等之回授的自动化流量控制方案，以达成平衡与无气泡之流动。揭露实施例大幅度降低气泡结合到处理流体中的情况，特别是当处理流体由处理槽返回至贮槽时之情形。

13. 发明专利

TWI700395B 電鍍中之方位角均勻性的調變設備及方法有权
简体标题：电镀中之方位角均匀性的调制设备及方法
公开(公告)号：TWI700395B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105117111
申请日：2016-06-01
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷厄姆加百利孩 , GRAHAM, GABRIEL HAY , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 伯克亞倫 , BERKE, AARON
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/02 , C25D7/12 , C25D21/12

14. 发明专利

TWI697587B 藉由使用遠程電流之電鍍均勻性的動態控制設備及方法有权
简体标题：借由使用远程电流之电镀均匀性的动态控制设备及方法
公开(公告)号：TWI697587B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105101791
申请日：2016-01-21
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡嘎吉瓦拉布爾漢丁 , KAGAJWALA, BURHANUDDIN , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG , 伯克亞倫 , BERKE, AARON , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT
IPC分类号： C25D17/10 , C25D5/04

15. 发明专利

TWI643980B 利用場區與特徵部之對比的矽通孔電鍍浴的評估有权
简体标题：利用场区与特征部之对比的硅通孔电镀浴的评估
公开(公告)号：TWI643980B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103120592
申请日：2014-06-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李柏根 , LEE, BROGAN , 邁爾史蒂芬T , MAYER, STEVEN T. , 索倫麥修 , THORUM, MATTHEW , 理察森喬瑟夫 , RICHARDSON, JOSEPH , 波特大衛W , PORTER, DAVID W. , 傅海鷹 , FU, HAIYING
IPC分类号： C25D21/12 , C25D21/14 , C25D7/12

16. 发明专利

TW201806037A 達成整個重分佈層之均勻性的系統及方法审中-公开
简体标题：达成整个重分布层之均匀性的系统及方法
公开(公告)号：TW201806037A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116033
申请日：2017-05-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 波努斯瓦彌湯瑪斯 A , PONNUSWAMY, THOMAS A. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 班尼克二世史帝芬 J , BANIK II, STEPHEN J. , 奥伯斯特賈斯汀 , OBERST, JUSTIN
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/469 , H01L21/60 , H01L23/52
摘要：描述用於在整個重分佈層達成均勻性的系統及方法。方法之一包含在基板上方圖案化一光阻層。該圖案化的步驟針對一導線界定一區域，及在該導線區域下方加以配置的一貫孔。該方法進一步包含在該圖案化的光阻層之間沉積一導電材料，使得該導電材料填充該貫孔及該導線的區域。該沉積步驟造成該導線的導電材料過生長，以在該貫孔上方形成導電材料的凸塊。該方法亦包含平坦化該導線的頂部表面且同時維持存在該基板之上的該圖案化光阻層。該平坦化的步驟係藉由在該導線及該凸塊上施加水平剪力而加以協助。該平坦化步驟係加以執行以修平凸塊。
简体摘要：描述用于在整个重分布层达成均匀性的系统及方法。方法之一包含在基板上方图案化一光阻层。该图案化的步骤针对一导线界定一区域，及在该导线区域下方加以配置的一贯孔。该方法进一步包含在该图案化的光阻层之间沉积一导电材料，使得该导电材料填充该贯孔及该导线的区域。该沉积步骤造成该导线的导电材料过生长，以在该贯孔上方形成导电材料的凸块。该方法亦包含平坦化该导线的顶部表面且同时维持存在该基板之上的该图案化光阻层。该平坦化的步骤系借由在该导线及该凸块上施加水平剪力而加以协助。该平坦化步骤系加以运行以修平凸块。

17. 发明专利

TW201718954A 電鍍設備用邊緣流元件审中-公开
简体标题：电镀设备用边缘流组件
公开(公告)号：TW201718954A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126685
申请日：2016-08-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷厄姆加百利孩 , GRAHAM, GABRIEL HAY , 巴克羅布萊恩 L , BUCKALEW, BRYAN L. , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 福特納詹姆士艾薩克 , FORTNER, JAMES ISAAC , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/08
CPC分类号： C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008
摘要：文中實施例係關於將一或多種材料電鍍至基板上的方法及設備。在許多情況中，該材料為金屬而該基板為半導體晶圓，但實施例不限於此。一般而言，文中所述的實施例使用位於基板附近之具有通道的離子阻抗板(CIRP)，產生在底部上藉由具有通道的離子阻抗板定義、在上藉由基板定義、且在側藉由橫向流動限制環定義的橫流歧管。通常亦存在的是邊緣流元件，其係用以將電解液引導至形成在基板與基板支撐件之間的角落中。在電鍍期間，流體進入橫流歧管經由具有通道的離子阻抗板中的通道向上流動並經由位於橫流限制環之一側的橫流側入口橫向流動。複數流動路徑在橫流歧管中結合並在橫流出口處離開，橫流出口係與橫流入口相對。此些複數流動路徑與邊緣流元件的組合造成較佳的電鍍均勻度，尤其是在基板外圍處造成較佳的電鍍均勻度。
简体摘要：文中实施例系关于将一或多种材料电镀至基板上的方法及设备。在许多情况中，该材料为金属而该基板为半导体晶圆，但实施例不限于此。一般而言，文中所述的实施例使用位于基板附近之具有信道的离子阻抗板(CIRP)，产生在底部上借由具有信道的离子阻抗板定义、在上借由基板定义、且在侧借由横向流动限制环定义的横流歧管。通常亦存在的是边缘流组件，其系用以将电解液引导至形成在基板与基板支撑件之间的角落中。在电镀期间，流体进入横流歧管经由具有信道的离子阻抗板中的信道向上流动并经由位于横流限制环之一侧的横流侧入口横向流动。复数流动路径在横流歧管中结合并在横流出口处离开，横流出口系与横流入口相对。此些复数流动路径与边缘流组件的组合造成较佳的电镀均匀度，尤其是在基板外围处造成较佳的电镀均匀度。

18. 发明专利

TW201710570A 用以減輕晶圓黏貼之整合式彈性唇形密封與杯底审中-公开
简体标题：用以减轻晶圆黏贴之集成式弹性唇形密封与杯底
公开(公告)号：TW201710570A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105121478
申请日：2016-07-07
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：伯克亞倫 , BERKE, AARON , 拉許羅伯特 , RASH, ROBERT , 邁爾史蒂芬 T , MAYER, STEVEN T. , 庫瑪山托許 , KUMAR, SANTOSH , 蔡利平 , CHUA, LEE PENG
IPC分类号： C25D17/08 , C25D17/00
CPC分类号： C25D17/08 , C25D5/02 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/004 , C25D17/005 , C25D17/06 , H01L21/67126 , H01L21/68735
摘要：本揭露內容關於用以在電鍍期間固持、密封晶圓、並提供電力給晶圓的電鍍杯體，其中電鍍杯體可包括杯底、彈性唇形密封、及電性接觸元件。杯底可包括具有複數通孔之徑向向內凸出表面。彈性唇形密封可直接附著至杯底的徑向向內凸出表面、填充複數通孔並且圍繞杯底之內側邊緣。在一些實施例中，這可緩解晶圓黏附效應。在一些實施例中，可處理杯底以增強彈性唇形密封與杯底之徑向向內凸出表面之間的附著力。
简体摘要：本揭露内容关于用以在电镀期间固持、密封晶圆、并提供电力给晶圆的电镀杯体，其中电镀杯体可包括杯底、弹性唇形密封、及电性接触组件。杯底可包括具有复数通孔之径向向内凸出表面。弹性唇形密封可直接附着至杯底的径向向内凸出表面、填充复数通孔并且围绕杯底之内侧边缘。在一些实施例中，这可缓解晶圆黏附效应。在一些实施例中，可处理杯底以增强弹性唇形密封与杯底之径向向内凸出表面之间的附着力。

19. 发明专利

TW201538804A 用以進行電鍍及晶種層偵測之方法及設備审中-公开
简体标题：用以进行电镀及晶种层侦测之方法及设备
公开(公告)号：TW201538804A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101740
申请日：2015-01-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：丁南丹尼爾馬克 , DINNEEN, DANIEL MARK , 邁爾史蒂芬T , MAYER, STEVEN T.
IPC分类号： C25D17/16 , H01L21/67
CPC分类号： C25D17/16 , C25D3/38 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/12 , H01L21/67011 , H01L22/12
摘要：本發明在此揭露利用晶種層偵測以用於電鍍的方法及設備。此等方法及相關設備的操作係藉由：選定用以處理的晶圓；從其表面量測具有一或更多色彩成分的一或更多製程中色彩信號；計算一或更多度量，每一度量代表該製程測色彩之其中一者與一組對應參考色彩信號間的差；根據預設的若干該一或更多度量是否落入與各自對應該度量的相關預設範圍內來判定晶圓表面是否有可接受的晶種層存在；以及當有可接受之晶種層存在時電鍍晶圓或指定該晶圓不可接受電鍍。可針對一或更多額外晶圓重複上述者以電鍍一組晶圓的多個晶圓。
简体摘要：本发明在此揭露利用晶种层侦测以用于电镀的方法及设备。此等方法及相关设备的操作系借由：选定用以处理的晶圆；从其表面量测具有一或更多色彩成分的一或更多制程中色彩信号；计算一或更多度量，每一度量代表该制程测色彩之其中一者与一组对应参考色彩信号间的差；根据默认的若干该一或更多度量是否落入与各自对应该度量的相关默认范围内来判定晶圆表面是否有可接受的晶种层存在；以及当有可接受之晶种层存在时电镀晶圆或指定该晶圆不可接受电镀。可针对一或更多额外晶圆重复上述者以电镀一组晶圆的多个晶圆。

20. 发明专利

TW201510293A 利用場區與特徵部之對比的矽通孔電鍍浴的評估审中-公开
简体标题：利用场区与特征部之对比的硅通孔电镀浴的评估
公开(公告)号：TW201510293A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103120592
申请日：2014-06-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：李柏根 , LEE, BROGAN , 邁爾史蒂芬T , MAYER, STEVEN T. , 索倫麥修 , THORUM, MATTHEW , 理察森喬瑟夫 , RICHARDSON, JOSEPH , 波特大衛W , PORTER, DAVID W. , 傅海鷹 , FU, HAIYING
IPC分类号： C25D21/12 , C25D21/14 , C25D7/12
CPC分类号： C25D21/14 , B41C1/18 , C25D21/12 , G01N27/26 , G01N27/413 , G01N27/416 , H05K3/241
摘要：在此之實施例關於用以判定特定測試電鍍浴是否能夠成功填充基板上之特徵部的方法及設備。在不同情況中，基板為半導體基板且特徵部為矽通孔。概略而言，使用二實驗：第一實驗模擬在填充製程期間存在於基板之場區區域的條件，而第二實驗模擬在填充製程期間存在於基板上之特徵部中的條件。來自該等實驗的結果可與不同技術一起使用，俾以預測特定電鍍浴是否將造成充分填充之特徵部。
简体摘要：在此之实施例关于用以判定特定测试电镀浴是否能够成功填充基板上之特征部的方法及设备。在不同情况中，基板为半导体基板且特征部为硅通孔。概略而言，使用二实验：第一实验仿真在填充制程期间存在于基板之场区区域的条件，而第二实验仿真在填充制程期间存在于基板上之特征部中的条件。来自该等实验的结果可与不同技术一起使用，俾以预测特定电镀浴是否将造成充分填充之特征部。

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