专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TW201413048A 成膜裝置、基板處理裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201413048A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102121026
申请日：2013-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 加藤壽 , KATO, HITOSHI , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 木村隆文 , KIMURA, TAKAFUMI
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/509 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：相對於各處理氣體噴嘴於旋轉台之旋轉方向離間地設置電漿處理部，並透過旋轉台於面臨電漿處理部之位置以不接觸該旋轉台之方式設置偏壓電極部。然後，藉由對此偏壓電極部從偏壓電壓施加部施加偏壓電壓，來對旋轉台上之晶圓W以非接觸式地施加偏壓電壓。
简体摘要：相对于各处理气体喷嘴于旋转台之旋转方向离间地设置等离子处理部，并透过旋转台于面临等离子处理部之位置以不接触该旋转台之方式设置偏压电极部。然后，借由对此偏压电极部从偏压电压施加部施加偏压电压，来对旋转台上之晶圆W以非接触式地施加偏压电压。

12. 发明专利

TWI431710B 基板搬運模組及基板處理系統有权
简体标题：基板搬运模块及基板处理系统
公开(公告)号：TWI431710B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW097128240
申请日：2008-07-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 守屋剛 , MORIYA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67766 , H01L21/67778 , H01L21/67781

13. 发明专利

TWI419248B 半導體製造裝置之洗淨裝置及洗淨方法有权
简体标题：半导体制造设备之洗净设备及洗净方法
公开(公告)号：TWI419248B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW098125137
申请日：2009-07-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小久保峰幸 , KOKUBO, TAKAYUKI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 守屋剛 , MORIYA, TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30 , B08B3/00
CPC分类号： B08B3/10 , B08B13/00 , B08B2230/01

14. 发明专利

TWI679672B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI679672B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW104135241
申请日：2015-10-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32

15. 发明专利

TWI595808B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI595808B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW099136518
申请日：2010-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 齊藤昌司 , SAITO, MASASHI , 傳寶一樹 , DENPOH, KAZUKI , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 飯塚八城 , IIZUKA, HACHISHIRO
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

16. 发明专利

TW201717277A 電漿處理裝置及使用於此之排氣構造审中-公开
简体标题：等离子处理设备及使用于此之排气构造
公开(公告)号：TW201717277A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105120566
申请日：2016-06-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宇津木康史 , UTSUGI, YASUFUMI , 東条利洋 , TOJO, TOSHIHIRO , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 藤永元毅 , FUJINAGA, MOTOKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/509
摘要：於對載置台施加高功率之高頻電力之情況下，有效果地防止電漿侵入至排氣部之情形，及在擋板之上方放電成為不穩定之情形。對在處理室(4)內被載置於載置台(23)之載置片的基板(G)，邊對載置台(23)施加高頻偏壓邊進行電漿處理裝置的電漿處理裝置，具有被設置在排氣口(30)部分之第1開口擋板(34)及第2開口擋板(35)，第1開口擋板(34)被設置在排氣路徑下游側，第2開口擋板(35)被設置在排氣路徑之上游側，第1開口擋板(34)被接地，第2開口擋板(35)為電性浮動狀態，第1及第2開口擋板(34、35)係以能夠在該些之間生成穩定放電之間隔而被設置。
简体摘要：于对载置台施加高功率之高频电力之情况下，有效果地防止等离子侵入至排气部之情形，及在挡板之上方放电成为不稳定之情形。对在处理室(4)内被载置于载置台(23)之载置片的基板(G)，边对载置台(23)施加高频偏压边进行等离子处理设备的等离子处理设备，具有被设置在排气口(30)部分之第1开口挡板(34)及第2开口挡板(35)，第1开口挡板(34)被设置在排气路径下游侧，第2开口挡板(35)被设置在排气路径之上游侧，第1开口挡板(34)被接地，第2开口挡板(35)为电性浮动状态，第1及第2开口挡板(34、35)系以能够在该些之间生成稳定放电之间隔而被设置。

17. 发明专利

TW201630030A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201630030A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104135241
申请日：2015-10-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32183
摘要：提供一種可在對被處理基板進行電漿處理的電漿處理裝置中，調整電漿密度之面內分布的技術。對載置於處理容器(1)內之載置台(21)上的被處理基板(W)，使處理氣體電漿化而進行處理的電漿處理裝置，係具備有：電漿產生部，藉由感應耦合，使處理氣體電漿化。電漿產生部的第1高頻天線(541)，係由在兩端具有開放端且具有對應於高頻之頻率之共振頻率的螺旋線圈所構成，在其中央部具備有高頻的供給點與經由電容器(64)接地的接地點。第2高頻天線(542)，係由螺旋線圈所構成，配置於構成第1高頻天線(541)的高頻天線元件(541a、541b)之間。阻抗調整部(62~65)，係使兩高頻天線元件(541a、541b)具有彼此不同的共振頻率。
简体摘要：提供一种可在对被处理基板进行等离子处理的等离子处理设备中，调整等离子密度之面内分布的技术。对载置于处理容器(1)内之载置台(21)上的被处理基板(W)，使处理气体等离子化而进行处理的等离子处理设备，系具备有：等离子产生部，借由感应耦合，使处理气体等离子化。等离子产生部的第1高频天线(541)，系由在两端具有开放端且具有对应于高频之频率之共振频率的螺旋线圈所构成，在其中央部具备有高频的供给点与经由电容器(64)接地的接地点。第2高频天线(542)，系由螺旋线圈所构成，配置于构成第1高频天线(541)的高频天线组件(541a、541b)之间。阻抗调整部(62~65)，系使两高频天线组件(541a、541b)具有彼此不同的共振频率。

18. 发明专利

TW201626863A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201626863A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW105105466
申请日：2010-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 齊藤昌司 , SAITO, MASASHI , 傳寶一樹 , DENPOH, KAZUKI , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H05H1/46
摘要：本發明的課題是在感應耦合型的電漿處理裝置中使方位角方向且徑方向的電漿密度分布的均一性或控制性提升。其解決手段是在此感應耦合型電漿蝕刻裝置中，設於腔室(10)的頂棚的介電質壁(52)上的RF天線(54)具有：一次線圈(62)，其係於天線室(56)內離開介電質窗(52)來配置於其上方，連接至來自高頻給電部(58)的RF給電路線(60，68)；及二次線圈(64)，其係配置於可藉由電磁感應來結合此一次線圈(62)的位置，且比此一次線圈(62)更靠近介電質窗(52)的下面(與處理空間對向的面)。
简体摘要：本发明的课题是在感应耦合型的等离子处理设备中使方位角方向且径方向的等离子密度分布的均一性或控制性提升。其解决手段是在此感应耦合型等离子蚀刻设备中，设于腔室(10)的顶棚的介电质壁(52)上的RF天线(54)具有：一次线圈(62)，其系于天线室(56)内离开介电质窗(52)来配置于其上方，连接至来自高频给电部(58)的RF给电路线(60，68)；及二次线圈(64)，其系配置于可借由电磁感应来结合此一次线圈(62)的位置，且比此一次线圈(62)更靠近介电质窗(52)的下面(与处理空间对向的面)。

19. 发明专利

TW201532109A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201532109A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103139159
申请日：2014-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 三浦繁博 , MIURA, SHIGEHIRO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32651
摘要：配置連接於高頻電源之主天線，及相對於該主天線而電性絕緣(浮接狀態)之輔助天線。又，俯視觀看主天線及輔助天現時之各自的投影區域係不會相互重疊。具體而言，係將輔助天線相對於主天線而配置於旋轉台之旋轉方向下游側。然後，透過流通於主天線之感應電流而在輔助天線產生電磁場，並讓輔助天線共振而不僅在主天線下方側之區域，亦在輔助天線下方側區域產生感應電漿。
简体摘要：配置连接于高频电源之主天线，及相对于该主天线而电性绝缘(浮接状态)之辅助天线。又，俯视观看主天线及辅助天现时之各自的投影区域系不会相互重叠。具体而言，系将辅助天线相对于主天线而配置于旋转台之旋转方向下游侧。然后，透过流通于主天线之感应电流而在辅助天线产生电磁场，并让辅助天线共振而不仅在主天线下方侧之区域，亦在辅助天线下方侧区域产生感应等离子。

20. 发明专利

TW201301383A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201301383A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101109355
申请日：2012-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32642 , H01J37/32715
摘要：本發明係藉由控制環狀構件的溫度來抑制堆積物對基板背面的附著量。在電容耦合型的電漿蝕刻裝置中，以包圍載置台3之基板載置區域32的方式，於該載置台3上設置用以調整電漿狀態的聚焦環5。此外，在前述載置台3的上面與前述聚焦環5的下面之間，沿著聚焦環5設置環狀的絕緣構件6。並且在沿著晶圓W之徑向鄰接於此絕緣構件6的位置且在前述載置台3的上面與前述聚焦環5的下面之間，以密接於此等上面及下面的方式設置傳熱構件7。進行電漿處理之際，由於聚焦環5之熱經由傳熱構件7而傳到載置台3，所以聚焦環5被冷卻，可減低堆積物對晶圓W背面的附著量。
简体摘要：本发明系借由控制环状构件的温度来抑制堆积物对基板背面的附着量。在电容耦合型的等离子蚀刻设备中，以包围载置台3之基板载置区域32的方式，于该载置台3上设置用以调整等离子状态的聚焦环5。此外，在前述载置台3的上面与前述聚焦环5的下面之间，沿着聚焦环5设置环状的绝缘构件6。并且在沿着晶圆W之径向邻接于此绝缘构件6的位置且在前述载置台3的上面与前述聚焦环5的下面之间，以密接于此等上面及下面的方式设置传热构件7。进行等离子处理之际，由于聚焦环5之热经由传热构件7而传到载置台3，所以聚焦环5被冷却，可减低堆积物对晶圆W背面的附着量。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式