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1. 发明专利

TWI679672B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI679672B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW104135241
申请日：2015-10-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32

2. 发明专利

TWI645156B 消耗量測定裝置、溫度測定裝置、消耗量測定方法、溫度測定方法及基板處理系統有权
简体标题：消耗量测定设备、温度测定设备、消耗量测定方法、温度测定方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI645156B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103143591
申请日：2014-12-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： G01B11/06 , G01K11/12 , H01J37/32

3. 发明专利

TWI682424B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI682424B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104135082
申请日：2015-10-26
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32

4. 发明专利

TWI679673B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI679673B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW104135442
申请日：2015-10-28
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32

5. 发明专利

TWI651019B 熱通量測定方法、基板處理系統及熱通量測定用構件有权
简体标题：热通量测定方法、基板处理系统及热通量测定用构件
公开(公告)号：TWI651019B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW103145388
申请日：2014-12-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： H05H1/00 , G01K17/20 , G01J9/02 , H01J37/32

6. 发明专利

TWI645170B 溫度測定方法、基板處理系統及溫度測定用構件有权
简体标题：温度测定方法、基板处理系统及温度测定用构件
公开(公告)号：TWI645170B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103143590
申请日：2014-12-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： G01K11/12 , H01L21/3065

7. 发明专利

TW201742147A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201742147A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106105748
申请日：2017-02-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：土場重樹 , DOBA, SHIGEKI , 小川裕之 , OGAWA, HIROYUKI , 內藤啓 , NAITO, HAJIME , 清水昭貴 , SHIMIZU, AKITAKA , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32422 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01L21/67069
摘要：以抑制自由基之失活，謀求蝕刻之均勻性為目的。提供一種基板處理裝置，其係藉由高頻之能量從氣體生成電漿，藉由所生成之電漿中之自由基，在處理容器之內部對基板進行蝕刻處理之基板處理裝置，具有：高頻電源，其係對上述處理容器之內部供給高頻之能量；氣體供給源，其係將氣體導入至上述處理容器之內部；載置台，其係載置上述基板；及區隔板，其係被設置在上述處理容器之內部，將上述處理容器之內部區隔成電漿生成空間和基板處理空間，抑制離子之穿透，上述處理容器之內壁表面中之至少較上述載置台上方之部分，和上述區隔板，被再結合係數為0.002以下之介電質覆蓋。
简体摘要：以抑制自由基之失活，谋求蚀刻之均匀性为目的。提供一种基板处理设备，其系借由高频之能量从气体生成等离子，借由所生成之等离子中之自由基，在处理容器之内部对基板进行蚀刻处理之基板处理设备，具有：高频电源，其系对上述处理容器之内部供给高频之能量；气体供给源，其系将气体导入至上述处理容器之内部；载置台，其系载置上述基板；及区隔板，其系被设置在上述处理容器之内部，将上述处理容器之内部区隔成等离子生成空间和基板处理空间，抑制离子之穿透，上述处理容器之内壁表面中之至少较上述载置台上方之部分，和上述区隔板，被再结合系数为0.002以下之介电质覆盖。

8. 发明专利

TW201630030A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201630030A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104135241
申请日：2015-10-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山涌純 , YAMAWAKU, JUN , 松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地塩 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32183
摘要：提供一種可在對被處理基板進行電漿處理的電漿處理裝置中，調整電漿密度之面內分布的技術。對載置於處理容器(1)內之載置台(21)上的被處理基板(W)，使處理氣體電漿化而進行處理的電漿處理裝置，係具備有：電漿產生部，藉由感應耦合，使處理氣體電漿化。電漿產生部的第1高頻天線(541)，係由在兩端具有開放端且具有對應於高頻之頻率之共振頻率的螺旋線圈所構成，在其中央部具備有高頻的供給點與經由電容器(64)接地的接地點。第2高頻天線(542)，係由螺旋線圈所構成，配置於構成第1高頻天線(541)的高頻天線元件(541a、541b)之間。阻抗調整部(62~65)，係使兩高頻天線元件(541a、541b)具有彼此不同的共振頻率。
简体摘要：提供一种可在对被处理基板进行等离子处理的等离子处理设备中，调整等离子密度之面内分布的技术。对载置于处理容器(1)内之载置台(21)上的被处理基板(W)，使处理气体等离子化而进行处理的等离子处理设备，系具备有：等离子产生部，借由感应耦合，使处理气体等离子化。等离子产生部的第1高频天线(541)，系由在两端具有开放端且具有对应于高频之频率之共振频率的螺旋线圈所构成，在其中央部具备有高频的供给点与经由电容器(64)接地的接地点。第2高频天线(542)，系由螺旋线圈所构成，配置于构成第1高频天线(541)的高频天线组件(541a、541b)之间。阻抗调整部(62~65)，系使两高频天线组件(541a、541b)具有彼此不同的共振频率。

9. 发明专利

TWI545306B 溫度測定裝置及溫度測定方法有权
简体标题：温度测定设备及温度测定方法
公开(公告)号：TWI545306B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101108885
申请日：2012-03-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： G01K11/12 , G01K1/02
CPC分类号： G01K11/12 , G01J5/0007 , G01J5/0044 , G01J5/0821 , G01J2005/583

10. 发明专利

TW201538923A 厚度‧溫度測定裝置、厚度‧溫度測定方法及基板處理系統审中-公开
简体标题：厚度‧温度测定设备、厚度‧温度测定方法及基板处理系统
公开(公告)号：TW201538923A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103144406
申请日：2014-12-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松土龍夫 , MATSUDO, TATSUO , 輿水地鹽 , KOSHIMIZU, CHISHIO
IPC分类号： G01B11/06 , G01K11/12 , H01L21/67 , G01B9/02
CPC分类号： G01B11/06 , G01B9/02021 , G01B9/02084 , G01K11/125 , H01J37/32477 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要：本發明提供一種厚度・溫度測定裝置、厚度・溫度測定方法及基板處理系統，可在期望的時機測定配置於處理室內之陶瓷構件的厚度。厚度・溫度測定裝置50，測定配置在保持為真空氣體環境之腔室11其內部之陶瓷構件35的厚度，具備：兆赫波產生單元51，輸出兆赫波；兆赫波解析單元53，解析輸入的兆赫波；以及光學系統，具有將自兆赫波產生單元51輸出的兆赫波往陶瓷構件35引導，並將來自陶瓷構件35的反射波往兆赫波解析單元53引導之半鏡52。兆赫波解析單元53，藉由將來自陶瓷構件35的反射波光譜進行傅立葉轉換，而求出陶瓷構件35之來自表面的反射波與來自背面的反射波之間的光程差，並自求出的光程差求算陶瓷構件35的厚度d。
简体摘要：本发明提供一种厚度・温度测定设备、厚度・温度测定方法及基板处理系统，可在期望的时机测定配置于处理室内之陶瓷构件的厚度。厚度・温度测定设备50，测定配置在保持为真空气体环境之腔室11其内部之陶瓷构件35的厚度，具备：兆赫波产生单元51，输出兆赫波；兆赫波解析单元53，解析输入的兆赫波；以及光学系统，具有将自兆赫波产生单元51输出的兆赫波往陶瓷构件35引导，并将来自陶瓷构件35的反射波往兆赫波解析单元53引导之半镜52。兆赫波解析单元53，借由将来自陶瓷构件35的反射波光谱进行傅里叶转换，而求出陶瓷构件35之来自表面的反射波与来自背面的反射波之间的光程差，并自求出的光程差求算陶瓷构件35的厚度d。

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