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11. 发明专利

TW201600630A 氣體供給機構及氣體供給方法以及使用其之成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：气体供给机构及气体供给方法以及使用其之成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201600630A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104109663
申请日：2015-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：諸井政幸 , MOROI, MASAYUKI , 山中孟 , YAMANAKA, HAJIME , 饗場康 , AIBA, YASUSHI , 堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45557 , C23C16/08 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52
摘要：以短時間且大流量來供給從液體原料或固體原料所生成的原料氣體，並避免原料之浪費。具備有：原料容器，係收容固體狀或液體狀原料；加熱器，係在原料容器中加熱原料；載體氣體供給配管，係將載體氣體供給至原料容器內；流量控制器，係控制載體氣體流量；原料氣體供給配管5，係將原料氣體供給至腔室；原料氣體供給．阻斷閥，係設置於原料氣體供給配管之腔室附近；以及氣體供給控制器，係以在控制流量控制器，並關閉原料氣體供給．阻斷閥的狀態下，藉由流通載體氣體，來在原料容器及原料氣體供給配管成為高壓狀態後，開啟原料氣體供給．阻斷閥的方式來加以控制。
简体摘要：以短时间且大流量来供给从液体原料或固体原料所生成的原料气体，并避免原料之浪费。具备有：原料容器，系收容固体状或液体状原料；加热器，系在原料容器中加热原料；载体气体供给配管，系将载体气体供给至原料容器内；流量控制器，系控制载体气体流量；原料气体供给配管5，系将原料气体供给至腔室；原料气体供给．阻断阀，系设置于原料气体供给配管之腔室附近；以及气体供给控制器，系以在控制流量控制器，并关闭原料气体供给．阻断阀的状态下，借由流通载体气体，来在原料容器及原料气体供给配管成为高压状态后，打开原料气体供给．阻断阀的方式来加以控制。

12. 发明专利

TW201545210A 鎢膜之成膜方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：钨膜之成膜方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201545210A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104109139
申请日：2015-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU , 饗場康 , AIBA, YASUSHI , 前川浩治 , MAEKAWA, KOJI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/08 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/46 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/76877
摘要：本發明之課題在於提供一種鎢膜之成膜方法，無須形成核生成用之初期鎢膜而能以一階段來形成鎢膜。係對於被處理基板在減壓雰圍下將作為鎢原料之氯化鎢氣體以及還原氣體同時或是交互地供給，一邊加熱被處理基板一邊使得氯化鎢氣體以及還原氣體起反應，而於被處理基板之表面在不形成核生成用之初期鎢膜的情況下來直接形成主鎢膜。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种钨膜之成膜方法，无须形成核生成用之初期钨膜而能以一阶段来形成钨膜。系对于被处理基板在减压雰围下将作为钨原料之氯化钨气体以及还原气体同时或是交互地供给，一边加热被处理基板一边使得氯化钨气体以及还原气体起反应，而于被处理基板之表面在不形成核生成用之初期钨膜的情况下来直接形成主钨膜。

13. 发明专利

TW201308516A 鎢膜的成膜方法审中-公开
简体标题：钨膜的成膜方法
公开(公告)号：TW201308516A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101124039
申请日：2012-07-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村上誠志 , MURAKAMI, SEISHI , 田中滿雄 , TANAKA, MITSUO , 佐藤耕一 , SATOH, KOHICHI , 饗場康 , AIBA, YASUSHI , 浦野智也 , URANO, TOMONARI , 石川麻由子 , ISHIKAWA, MAYUKO , 堀越桐子 , HORIKOSHI, TOHKO
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/06
摘要：本發明的課題是在於提供一種工程不繁雜，可消除埋入部分的孔隙(void)或接縫(seam)之鎢膜的成膜方法。其解決手段是具有：在處理容器內，藉由CVD在具有孔的基板形成鎢膜，而於孔內形成鎢的埋入部之工程；在同處理容器內供給ClF3氣體或F2氣體作為蝕刻氣體，而蝕刻埋入部的上部，形成開口之工程；及對具有形成開口的埋入部的基板，在同處理容器內，藉由CVD來形成鎢膜之工程。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种工程不繁杂，可消除埋入部分的孔隙(void)或接缝(seam)之钨膜的成膜方法。其解决手段是具有：在处理容器内，借由CVD在具有孔的基板形成钨膜，而于孔内形成钨的埋入部之工程；在同处理容器内供给ClF3气体或F2气体作为蚀刻气体，而蚀刻埋入部的上部，形成开口之工程；及对具有形成开口的埋入部的基板，在同处理容器内，借由CVD来形成钨膜之工程。

14. 发明专利

TW475209B 加工裝置及其製造方法有权
简体标题：加工设备及其制造方法
公开(公告)号：TW475209B
公开(公告)日：2002-02-01
申请号：TW089107097
申请日：2000-04-15
申请人：日立製作所股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司
发明人： 山盛生 , 中塚榮 , 饗場康
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4404 , Y10T29/49885 , Y10T29/49886
摘要：一種晶圓加工裝置(14)具有一個晶圓加工容器(16)。一個晶圓被安置在被包括在該晶圓加工裝置內的一個基座(22)上。諸加工氣體經由被配置於該加工容器內之上方區域的一個灑水頭(74)被供給至該晶圓，俾以進行一用來加工該晶圓的預定步驟。被用於該晶圓加工裝置內的諸鋁構件(16，74)的表面要按順序經過一有機機械化學拋光步驟、一噴光步驟以及一道鋁氧化物薄膜形成步驟。對不必要的薄膜是難以黏附在該等經處理過的表面上，且對被沉積在該等如此被處理過的表面之薄膜，則難以脫離該等表面。因此，可以延長清潔作業之間的間隔且可以抑制該等微粒的生成。
简体摘要：一种晶圆加工设备(14)具有一个晶圆加工容器(16)。一个晶圆被安置在被包括在该晶圆加工设备内的一个基座(22)上。诸加工气体经由被配置于该加工容器内之上方区域的一个洒水头(74)被供给至该晶圆，俾以进行一用来加工该晶圆的预定步骤。被用于该晶圆加工设备内的诸铝构件(16，74)的表面要按顺序经过一有机机械化学抛光步骤、一喷光步骤以及一道铝氧化物薄膜形成步骤。对不必要的薄膜是难以黏附在该等经处理过的表面上，且对被沉积在该等如此被处理过的表面之薄膜，则难以脱离该等表面。因此，可以延长清洁作业之间的间隔且可以抑制该等微粒的生成。

15. 发明专利

TW451305B 鎢層之形成方法及鎢層之積層構造有权
简体标题：钨层之形成方法及钨层之积层构造
公开(公告)号：TW451305B
公开(公告)日：2001-08-21
申请号：TW089100344
申请日：2000-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：饗場康 , 小池幸男
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/14 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要：一邊供應含由氟化鎢(譬如六氟化鎢)氣構成之原料氣與還原該原料氣之還原氣(譬如氫氣)之處理氣體，一邊在被處理體(譬如半導體晶片)之表面形成鎢層。該情形，在被處理體表面形成鎢之核結晶膜的核結晶膜形成步驟與在該結晶膜上形成主鎢膜的主鎢膜形成步驟之間，施行中間鎢膜形成步驟。該中間鎢膜形成步驟與主鎢膜形成步驟相較，以原料氣對還原氣之流量比作小之狀態形成中間鎢膜。由此，核結晶膜後之潛伏時間T2沒有了，可提高全體的平均成膜速度，同時改善被處理體間膜厚之均一性。
简体摘要：一边供应含由氟化钨(譬如六氟化钨)气构成之原料气与还原该原料气之还原气(譬如氢气)之处理气体，一边在被处理体(譬如半导体芯片)之表面形成钨层。该情形，在被处理体表面形成钨之核结晶膜的核结晶膜形成步骤与在该结晶膜上形成主钨膜的主钨膜形成步骤之间，施行中间钨膜形成步骤。该中间钨膜形成步骤与主钨膜形成步骤相较，以原料气对还原气之流量比作小之状态形成中间钨膜。由此，核结晶膜后之潜伏时间T2没有了，可提高全体的平均成膜速度，同时改善被处理体间膜厚之均一性。

16. 发明专利

TW457616B 成膜裝置(二) 有权
简体标题：成膜设备(二)
公开(公告)号：TW457616B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089100648
申请日：2000-01-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：饗場康 , 三村高範
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4401 , C23C16/4585 , H01L21/68735
摘要：保持載置於可能抽真空的成膜處理用處理容器的載置台上之被處理體W夾持機構其中，包含有:與前述被處理體之周緣部接觸的環狀之夾緊圈本體以及賦與該夾緊圈本體朝下方之勢能的賦與勢能構件，前述夾緊圈本體內周側之接觸面係作為面向前述被處理體之徑方向外方由水平方向以一定之角度θ朝下傾斜之錐狀面形成，將前述一定之角度設定於2~15度之範圍內，同時前述接觸面與前述被處理體之周緣部之重疊量係設定於0.7~3.5公厘之範圍內。由此，適當的抑制朝被處理體之周緣部及側面近旁不需要的附著膜之形成。
简体摘要：保持载置于可能抽真空的成膜处理用处理容器的载置台上之被处理体W夹持机构其中，包含有:与前述被处理体之周缘部接触的环状之夹紧圈本体以及赋与该夹紧圈本体朝下方之势能的赋与势能构件，前述夹紧圈本体内周侧之接触面系作为面向前述被处理体之径方向外方由水平方向以一定之角度θ朝下倾斜之锥状面形成，将前述一定之角度设置于2~15度之范围内，同时前述接触面与前述被处理体之周缘部之重叠量系设置于0.7~3.5公厘之范围内。由此，适当的抑制朝被处理体之周缘部及侧面近旁不需要的附着膜之形成。

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