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    • 12. 发明专利
    • 雷射光線的檢查方法
    • 激光光线的检查方法
    • TW201808511A
    • 2018-03-16
    • TW106114781
    • 2017-05-04
    • 迪思科股份有限公司DISCO CORPORATION
    • 荒川太朗ARAKAWA, TARO
    • B23K26/53B23K26/035H01L21/301
    • [課題]正確地檢查光學系統的光軸與雷射光線之偏離。 [解決手段]包含準備步驟、改質層形成步驟及檢查步驟,該準備步驟是透過樹脂層將檢查用板狀物與支撐基材積層以準備被加工物單元,其中該樹脂層在受到可穿透該檢查用板狀物之波長的雷射光線照射時會熔融,該改質層形成步驟是使檢查用板狀物露出並將被加工物單元保持在工作夾台的保持面上,且將該雷射光線照射成從檢查用板狀物的露出面在檢查用板狀物的內部聚光,以在檢查用板狀物的內部形成改質層,該檢查步驟是在實施改質層形成步驟之後,檢查藉由已穿透檢查用板狀物的雷射光線而形成於樹脂層的熔融痕跡之狀態。
    • [课题]正确地检查光学系统的光轴与激光光线之偏离。 [解决手段]包含准备步骤、改质层形成步骤及检查步骤,该准备步骤是透过树脂层将检查用板状物与支撑基材积层以准备被加工物单元,其中该树脂层在受到可穿透该检查用板状物之波长的激光光线照射时会熔融,该改质层形成步骤是使检查用板状物露出并将被加工物单元保持在工作夹台的保持面上,且将该激光光线照射成从检查用板状物的露出面在检查用板状物的内部聚光,以在检查用板状物的内部形成改质层,该检查步骤是在实施改质层形成步骤之后,检查借由已穿透检查用板状物的激光光线而形成于树脂层的熔融痕迹之状态。
    • 13. 发明专利
    • 光元件晶片之製造方法
    • 光组件芯片之制造方法
    • TW201705243A
    • 2017-02-01
    • TW105103303
    • 2016-02-02
    • 迪思科股份有限公司DISCO CORPORATION
    • 荒川太朗ARAKAWA, TARO中野鉄馬NAKANO, KENTA
    • H01L21/301B23K26/53
    • 提供一種可以提高光元件晶片的光取出效率 之光元件晶片之製造方法。 一種分割光元件 晶圓(11)而製造複數個光元件晶片之光元件晶片之製造方法,係包含:雷射加工溝形成步驟,係照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線(L1),把與分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝(19)沿著分割預定線形成在光元件晶圓的背面(11b)側;V溝形成步驟,係把在一對雷射加工溝之間的領域所存在的光元件晶圓用切削刀片(14)予以破碎去除,形成V溝(21);研磨步驟,係研磨V溝的內壁面;以及分割步驟,係在V溝與分割預定線之間產生龜裂(25),把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成一個一個的光元件晶片。
    • 提供一种可以提高光组件芯片的光取出效率 之光组件芯片之制造方法。 一种分割光组件 晶圆(11)而制造复数个光组件芯片之光组件芯片之制造方法,系包含:激光加工沟形成步骤,系照射相对于光组件晶圆具有吸收性的波长的激光光线(L1),把与分割预定线正交之剖面的形状为V字形状之一对激光加工沟(19)沿着分割预定线形成在光组件晶圆的背面(11b)侧;V沟形成步骤,系把在一对激光加工沟之间的领域所存在的光组件晶圆用切削刀片(14)予以破碎去除,形成V沟(21);研磨步骤,系研磨V沟的内壁面;以及分割步骤,系在V沟与分割预定线之间产生龟裂(25),把光组件晶圆沿着各分割预定线分割成一个一个的光组件芯片。
    • 14. 发明专利
    • 光裝置晶圓之加工方法
    • 光设备晶圆之加工方法
    • TW201528358A
    • 2015-07-16
    • TW103137388
    • 2014-10-29
    • 迪思科股份有限公司DISCO CORPORATION
    • 荒川太朗ARAKAWA, TARO
    • H01L21/304B23K26/36B23K26/38
    • H01L21/00B23K26/00B23K26/0087B23K26/18B23K26/389B23K26/40B23K26/402B23K2203/172B23K2203/50H01L21/78
    • 本發明提供一種光裝置晶圓之加工方法,課題為可實現更進一步提升光裝置之輝度。解決手段為實行下列步驟:雷射加工步驟,將對光裝置晶圓照射1個脈衝的脈衝雷射光束以形成1個雷射加工孔的作法反覆進行,以形成沿著切割道做出的複數個雷射加工孔;蝕刻步驟,使蝕刻液進入雷射加工孔內而蝕刻雷射加工孔的內部;及分割步驟,對光裝置晶圓賦予外力以沿著切割道將光裝置晶圓分割而形成複數個光裝置。藉此,能夠減少碎片大量地附著在各個雷射加工孔的側壁部,同時能夠使蝕刻液進入到雷射加工孔的內部並到達底部而可以充分地進行蝕刻,以提升光裝置的輝度。
    • 本发明提供一种光设备晶圆之加工方法,课题为可实现更进一步提升光设备之辉度。解决手段为实行下列步骤:激光加工步骤,将对光设备晶圆照射1个脉冲的脉冲激光光束以形成1个激光加工孔的作法反复进行,以形成沿着切割道做出的复数个激光加工孔;蚀刻步骤,使蚀刻液进入激光加工孔内而蚀刻激光加工孔的内部;及分割步骤,对光设备晶圆赋予外力以沿着切割道将光设备晶圆分割而形成复数个光设备。借此,能够减少碎片大量地附着在各个激光加工孔的侧壁部,同时能够使蚀刻液进入到激光加工孔的内部并到达底部而可以充分地进行蚀刻,以提升光设备的辉度。
    • 15. 发明专利
    • 藍寶石晶圓的加工方法及雷射加工裝置
    • 蓝宝石晶圆的加工方法及激光加工设备
    • TW201739558A
    • 2017-11-16
    • TW106111013
    • 2017-03-31
    • 迪思科股份有限公司DISCO CORPORATION
    • 荒川太朗ARAKAWA, TARO
    • B23K26/50B23K26/352
    • 本發明之課題為不論藍寶石晶圓的結晶缺陷之差異如何均良好地形成形質層。解決手段為藍寶石晶圓的加工方法,並做成下述之構成:具有相對於工作夾台上之藍寶石晶圓以預定之雷射加工條件來對外周剩餘區域照射雷射光線以測試加工改質層之步驟、從藍寶石晶圓的外周剩餘區域的改質層的拍攝圖像中算出改質層形成率,並從關係資料中選定已對在預定之加工條件下之雷射加工時的改質層形成率建立關聯的最佳雷射加工條件之步驟、及以最佳雷射加工條件沿著藍寶石晶圓的分割預定線照射雷射光線,而沿著分割預定線形成改質層之步驟。
    • 本发明之课题为不论蓝宝石晶圆的结晶缺陷之差异如何均良好地形成形质层。解决手段为蓝宝石晶圆的加工方法,并做成下述之构成:具有相对于工作夹台上之蓝宝石晶圆以预定之激光加工条件来对外周剩余区域照射激光光线以测试加工改质层之步骤、从蓝宝石晶圆的外周剩余区域的改质层的拍摄图像中算出改质层形成率,并从关系数据中选定已对在预定之加工条件下之激光加工时的改质层形成率创建关联的最佳激光加工条件之步骤、及以最佳激光加工条件沿着蓝宝石晶圆的分割预定线照射激光光线,而沿着分割预定线形成改质层之步骤。
    • 18. 发明专利
    • 光元件的加工方法
    • 光组件的加工方法
    • TW201622172A
    • 2016-06-16
    • TW104136019
    • 2015-11-02
    • 迪思科股份有限公司DISCO CORPORATION
    • 荒川太朗ARAKAWA, TARO
    • H01L33/00H01L33/20H01L21/301B23K26/364
    • 本發明之課題為提供一種不因附著於雷射加工溝壁面的碎屑或變質部造成亮度降低,而可提高光之取出效率的光元件的加工方法,本發明之光元件的加工方法,是分割光元件晶圓而形成光元件之光元件的加工方法,該光元件具有:具有發光層之四角形的正面、與該正面平行之四角形的背面、及連結該正面與該背面之4個側面,且該4個側面各自是自該正面之垂直線傾斜之傾斜面,該光元件的加工方法之特徵在於包含:傾斜面設定步驟,是在光元件晶圓上設定對應該光元件的該4個側面之傾斜面;雷射加工步驟,是在實施該傾斜面設定步驟之後,從該發光層側之面沿著該傾斜面對光元件晶圓照射具有吸収性之波長的雷射光束,形成沿著該傾斜面的雷射加工溝;蝕刻步驟,是在實施該雷射加工步驟之後,使蝕刻液侵入該雷射加工溝,以蝕刻該雷射加工溝的壁面;及分割步驟,是在實施該蝕刻步驟之後,對光元件晶圓施加外力以將光元件晶圓分割為個別的光元件。
    • 本发明之课题为提供一种不因附着于激光加工沟壁面的碎屑或变质部造成亮度降低,而可提高光之取出效率的光组件的加工方法,本发明之光组件的加工方法,是分割光组件晶圆而形成光组件之光组件的加工方法,该光组件具有:具有发光层之四角形的正面、与该正面平行之四角形的背面、及链接该正面与该背面之4个侧面,且该4个侧面各自是自该正面之垂直线倾斜之倾斜面,该光组件的加工方法之特征在于包含:倾斜面设置步骤,是在光组件晶圆上设置对应该光组件的该4个侧面之倾斜面;激光加工步骤,是在实施该倾斜面设置步骤之后,从该发光层侧之面沿着该倾斜面对光组件晶圆照射具有吸收性之波长的激光光束,形成沿着该倾斜面的激光加工沟;蚀刻步骤,是在实施该激光加工步骤之后,使蚀刻液侵入该激光加工沟,以蚀刻该激光加工沟的壁面;及分割步骤,是在实施该蚀刻步骤之后,对光组件晶圆施加外力以将光组件晶圆分割为个别的光组件。