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1. 发明专利

TW201836173A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201836173A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107104136
申请日：2018-02-06
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/56 , H01L21/302
摘要： [課題]提供一種可得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；透明基板加工步驟，在涵蓋整個面形成有複數個貫通孔的第1透明基板或涵蓋整個面形成有複數個貫通孔的第2透明基板之至少其中任一個的正面或背面，對應於LED電路來形成複數條溝；透明基板貼附步驟，在實施該透明基板加工步驟後，將該第1透明基板的正面貼附在晶圓的背面，並且將該第2透明基板的正面貼附在該第1透明基板的背面以形成一體化晶圓；及分割步驟，在實施該透明基板貼附步驟後，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]提供一种可得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有：晶圆准备步骤，准备晶圆，该晶圆是在结晶成长用之透明基板上具有积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该积层体层形成有包含发光层的复数层半导体层；透明基板加工步骤，在涵盖整个面形成有复数个贯通孔的第1透明基板或涵盖整个面形成有复数个贯通孔的第2透明基板之至少其中任一个的正面或背面，对应于LED电路来形成复数条沟；透明基板贴附步骤，在实施该透明基板加工步骤后，将该第1透明基板的正面贴附在晶圆的背面，并且将该第2透明基板的正面贴附在该第1透明基板的背面以形成一体化晶圆；及分割步骤，在实施该透明基板贴附步骤后，沿着该分割预定线将该晶圆和该第1及第2透明基板一起切断以将该一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

2. 发明专利

TW201834046A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201834046A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107104140
申请日：2018-02-06
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI , 北村宏 , KITAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/301 , H01L33/20
摘要： [課題]提供一種可得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；透明基板加工步驟，在內部形成有複數個氣泡的第1透明基板或內部形成有複數個氣泡的第2透明基板之至少其中任一個的正面或背面，對應於各LED電路來形成複數個凹陷；透明基板貼附步驟，在實施該透明基板加工步驟後，將該第1透明基板的正面貼附在晶圓的背面，並且將該第2透明基板的正面貼附在該第1透明基板的背面以形成一體化晶圓；及分割步驟，在實施該透明基板貼附步驟後，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]提供一种可得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有：晶圆准备步骤，准备晶圆，该晶圆是在结晶成长用之透明基板上具有积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该积层体层形成有包含发光层的复数层半导体层；透明基板加工步骤，在内部形成有复数个气泡的第1透明基板或内部形成有复数个气泡的第2透明基板之至少其中任一个的正面或背面，对应于各LED电路来形成复数个凹陷；透明基板贴附步骤，在实施该透明基板加工步骤后，将该第1透明基板的正面贴附在晶圆的背面，并且将该第2透明基板的正面贴附在该第1透明基板的背面以形成一体化晶圆；及分割步骤，在实施该透明基板贴附步骤后，沿着该分割预定线将该晶圆和该第1及第2透明基板一起切断以将该一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

3. 发明专利

TW201830725A 發光二極體晶片的製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法
公开(公告)号：TW201830725A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106133666
申请日：2017-09-29
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI , 北村宏 , KITAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L33/02 , H01L21/301
摘要： [課題]提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；一體化步驟，將透明基板的正面貼附到該晶圓的背面以形成一體化晶圓，且該透明基板於內部形成有複數個氣泡；透明基板加工步驟，實施過該一體化步驟後，在該一體化晶圓的該透明基板的背面對應於該晶圓的各LED電路來形成複數個凹陷；及分割步驟，實施過該透明基板加工步驟後，沿著該分割預定線將該晶圓和該透明基板一起切斷，以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]提供一种能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有：晶圆准备步骤，准备晶圆，该晶圆是在结晶成长用之透明基板上具有积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该积层体层形成有包含发光层的复数层半导体层；一体化步骤，将透明基板的正面贴附到该晶圆的背面以形成一体化晶圆，且该透明基板于内部形成有复数个气泡；透明基板加工步骤，实施过该一体化步骤后，在该一体化晶圆的该透明基板的背面对应于该晶圆的各LED电路来形成复数个凹陷；及分割步骤，实施过该透明基板加工步骤后，沿着该分割预定线将该晶圆和该透明基板一起切断，以将该一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

4. 发明专利

TWI632706B 發光晶片有权
简体标题：发光芯片
公开(公告)号：TWI632706B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103138367
申请日：2014-11-05
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/48

5. 发明专利

TW201826492A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201826492A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106142741
申请日：2017-12-06
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L25/13 , H01L21/301
摘要： [課題]提供一種可得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；第1透明基板貼附步驟，將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面以形成第1一體化晶圓；第2透明基板貼附步驟，已實施該第1透明基板貼附步驟之後，將第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面以形成第2一體化晶圓；及分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]提供一种可得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有：晶圆准备步骤，准备晶圆，该晶圆是在结晶成长用之透明基板上具有积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该积层体层形成有包含发光层的复数层半导体层；第1透明基板贴附步骤，将第1透明基板的正面贴附到晶圆的背面以形成第1一体化晶圆；第2透明基板贴附步骤，已实施该第1透明基板贴附步骤之后，将第2透明基板的正面贴附到该第1透明基板的背面以形成第2一体化晶圆；及分割步骤，沿着该分割预定线将该晶圆和该第1及第2透明基板一起切断，以将该第2一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

6. 发明专利

TW201907459A 切割刀片的安裝方法审中-公开
简体标题：切割刀片的安装方法
公开(公告)号：TW201907459A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107119320
申请日：2018-06-05
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：笠井剛史 , KASAI, TSUYOSHI , 岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/301
摘要： [課題]提供一種切割刀片的安裝方法，該切割刀片的安裝方法可以抑制在安裝時之基準位置的誤差。 [解決手段]切割刀片的安裝方法具備：安裝位置探索步驟，以相機單元拍攝工作夾台的上表面，以探索未被檢測出傷痕或者異物之上表面的安裝位置；導通檢測步驟，將在安裝位置探索步驟中所探索到的上表面的安裝位置定位到切割刀片的正下方，並使切割單元朝Z軸方向移動，以檢測在安裝位置使切割刀片接觸於上表面之瞬間的電氣導通；以及基準位置設定步驟，將檢測出電氣導通之時的切割刀片的Z軸方向的位置作為基準位置來設定。
简体摘要： [课题]提供一种切割刀片的安装方法，该切割刀片的安装方法可以抑制在安装时之基准位置的误差。 [解决手段]切割刀片的安装方法具备：安装位置探索步骤，以相机单元拍摄工作夹台的上表面，以探索未被检测出伤痕或者异物之上表面的安装位置；导通检测步骤，将在安装位置探索步骤中所探索到的上表面的安装位置定位到切割刀片的正下方，并使切割单元朝Z轴方向移动，以检测在安装位置使切割刀片接触于上表面之瞬间的电气导通；以及基准位置设置步骤，将检测出电气导通之时的切割刀片的Z轴方向的位置作为基准位置来设置。

7. 发明专利

TW201834040A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201834040A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107100189
申请日：2018-01-03
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/301
摘要： [課題]提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有：晶圓準備步驟，準備晶圓，該晶圓是在結晶成長用之透明基板上具有積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該積層體層形成有包含發光層的複數層半導體層；第1透明基板貼附步驟，將第1透明基板的正面貼附到晶圓的背面以形成第1一體化晶圓，其中該第1透明基板於內部形成有複數個氣泡；第2透明基板貼附步驟，已實施該第1透明基板貼附步驟之後，將第2透明基板的正面貼附到該第1透明基板的背面以形成第2一體化晶圓；及分割步驟，沿著該分割預定線將該晶圓和該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]提供一种能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有：晶圆准备步骤，准备晶圆，该晶圆是在结晶成长用之透明基板上具有积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该积层体层形成有包含发光层的复数层半导体层；第1透明基板贴附步骤，将第1透明基板的正面贴附到晶圆的背面以形成第1一体化晶圆，其中该第1透明基板于内部形成有复数个气泡；第2透明基板贴附步骤，已实施该第1透明基板贴附步骤之后，将第2透明基板的正面贴附到该第1透明基板的背面以形成第2一体化晶圆；及分割步骤，沿着该分割预定线将该晶圆和该第1及第2透明基板一起切断，以将该第2一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

8. 发明专利

TW201828499A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201828499A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106142350
申请日：2017-12-04
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/48 , F21K9/60
摘要：本發明的課題，係提供可獲得充分亮度之發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。　　本發明的解決手段是一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵為具備準備具有於結晶成長用的透明基板上形成包含發光層之複數半導體層的層積體層，且於該層積體層的表面藉由相互交叉之複數預定分割線所區劃的各區域，分別形成LED電路的晶圓的晶圓準備工程、於該晶圓的背面，對應各LED電路而形成複數凹部或溝的晶圓背面加工工程、將第1透明基板的表面黏合於晶圓的背面，以形成第1一體化晶圓的第1透明基板黏合工程、在實施該第1透明基板黏合工程之後，將第2透明基板的表面黏合於該第1透明基板的背面，以形成第2一體化晶圓的第2透明基板黏合工程、及將該晶圓沿著該預定分割線而與該第1及第2透明基板一起切斷，以將該第2一體化晶圓分割成各個發光二極體晶片的分割工程。
简体摘要：本发明的课题，系提供可获得充分亮度之发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。　　本发明的解决手段是一种发光二极管芯片的制造方法，其特征为具备准备具有于结晶成长用的透明基板上形成包含发光层之复数半导体层的层积体层，且于该层积体层的表面借由相互交叉之复数预定分割线所区划的各区域，分别形成LED电路的晶圆的晶圆准备工程、于该晶圆的背面，对应各LED电路而形成复数凹部或沟的晶圆背面加工工程、将第1透明基板的表面黏合于晶圆的背面，以形成第1一体化晶圆的第1透明基板黏合工程、在实施该第1透明基板黏合工程之后，将第2透明基板的表面黏合于该第1透明基板的背面，以形成第2一体化晶圆的第2透明基板黏合工程、及将该晶圆沿着该预定分割线而与该第1及第2透明基板一起切断，以将该第2一体化晶圆分割成各个发光二极管芯片的分割工程。

9. 发明专利

TW201813127A 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201813127A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106118230
申请日：2017-06-02
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI , 北村宏 , KITAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/301 , B23K26/351
摘要： [課題]為提供一種能夠得到充分的亮度的發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片。 [解決手段]一種發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於具備有晶圓準備步驟、透明基板加工步驟、一體化步驟、及分割步驟。該晶圓準備步驟是準備晶圓，該晶圓具有在結晶成長用之透明基板上形成有包含發光層的複數層半導體層之積層體層，並於該積層體層的正面以相互交叉之複數條分割預定線所區劃出之各區域中各自形成有LED電路，該透明基板加工步驟是在透明基板的正面對應該晶圓的各LED電路來形成複數個凹陷，該一體化步驟是實施該透明基板加工步驟後，將該透明基板的正面貼附於該晶圓的背面以形成一體化晶圓，該分割步驟是沿著該分割預定線將該晶圓和該透明基板一起切斷以將該一體化晶圓分割成一個個的發光二極體晶片。
简体摘要： [课题]为提供一种能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法及发光二极管芯片。 [解决手段]一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于具备有晶圆准备步骤、透明基板加工步骤、一体化步骤、及分割步骤。该晶圆准备步骤是准备晶圆，该晶圆具有在结晶成长用之透明基板上形成有包含发光层的复数层半导体层之积层体层，并于该积层体层的正面以相互交叉之复数条分割预定线所区划出之各区域中各自形成有LED电路，该透明基板加工步骤是在透明基板的正面对应该晶圆的各LED电路来形成复数个凹陷，该一体化步骤是实施该透明基板加工步骤后，将该透明基板的正面贴附于该晶圆的背面以形成一体化晶圆，该分割步骤是沿着该分割预定线将该晶圆和该透明基板一起切断以将该一体化晶圆分割成一个个的发光二极管芯片。

10. 发明专利

TW201812884A 發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片审中-公开
简体标题：发光二极管芯片之制造方法及发光二极管芯片
公开(公告)号：TW201812884A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106115658
申请日：2017-05-11
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：岡村卓 , OKAMURA, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/302
摘要：本發明係一種發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片，其課題為提供：可得到充分亮度之發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片者。其解決手段為發光二極體晶片的製造方法，其特徵為具備：準備具有於結晶成長用的透明基板上，加以形成含有發光層之複數的半導體層之層積體層，於經由交互交叉於該層積體層表面之複數的分割預定線所區劃之各範圍，各形成LED電路之晶圓的晶圓準備工程，和於晶圓背面，對應於各LED電路而形成複數之凹部或第1溝之晶圓背面加工工程，和於透明基板表面，對應於該晶圓之各LED電路而形成複數之第2溝的透明基板加工工程，和實施該晶圓背面加工工程及該透明基板加工工程之後，於該晶圓背面，貼著該透明基板表面而形成一體化晶圓之一體化工程，和將該晶圓，沿著該分割預定線與該透明基板同時進行切斷，將該一體化晶圓分割成各個發光二極體晶片之分割工程者。
简体摘要：本发明系一种发光二极管芯片之制造方法及发光二极管芯片，其课题为提供：可得到充分亮度之发光二极管芯片之制造方法及发光二极管芯片者。其解决手段为发光二极管芯片的制造方法，其特征为具备：准备具有于结晶成长用的透明基板上，加以形成含有发光层之复数的半导体层之层积体层，于经由交互交叉于该层积体层表面之复数的分割预定线所区划之各范围，各形成LED电路之晶圆的晶圆准备工程，和于晶圆背面，对应于各LED电路而形成复数之凹部或第1沟之晶圆背面加工工程，和于透明基板表面，对应于该晶圆之各LED电路而形成复数之第2沟的透明基板加工工程，和实施该晶圆背面加工工程及该透明基板加工工程之后，于该晶圆背面，贴着该透明基板表面而形成一体化晶圆之一体化工程，和将该晶圆，沿着该分割预定线与该透明基板同时进行切断，将该一体化晶圆分割成各个发光二极管芯片之分割工程者。

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