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1. 发明专利

TW201705243A 光元件晶片之製造方法审中-公开
简体标题：光组件芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201705243A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105103303
申请日：2016-02-02
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 中野鉄馬 , NAKANO, KENTA
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53
摘要：提供一種可以提高光元件晶片的光取出效率之光元件晶片之製造方法。一種分割光元件晶圓(11)而製造複數個光元件晶片之光元件晶片之製造方法，係包含：雷射加工溝形成步驟，係照射相對於光元件晶圓具有吸收性的波長的雷射光線(L1)，把與分割預定線正交之剖面的形狀為V字形狀之一對雷射加工溝(19)沿著分割預定線形成在光元件晶圓的背面(11b)側；V溝形成步驟，係把在一對雷射加工溝之間的領域所存在的光元件晶圓用切削刀片(14)予以破碎去除，形成V溝(21)；研磨步驟，係研磨V溝的內壁面；以及分割步驟，係在V溝與分割預定線之間產生龜裂(25)，把光元件晶圓沿著各分割預定線分割成一個一個的光元件晶片。
简体摘要：提供一种可以提高光组件芯片的光取出效率之光组件芯片之制造方法。一种分割光组件晶圆(11)而制造复数个光组件芯片之光组件芯片之制造方法，系包含：激光加工沟形成步骤，系照射相对于光组件晶圆具有吸收性的波长的激光光线(L1)，把与分割预定线正交之剖面的形状为V字形状之一对激光加工沟(19)沿着分割预定线形成在光组件晶圆的背面(11b)侧；V沟形成步骤，系把在一对激光加工沟之间的领域所存在的光组件晶圆用切削刀片(14)予以破碎去除，形成V沟(21)；研磨步骤，系研磨V沟的内壁面；以及分割步骤，系在V沟与分割预定线之间产生龟裂(25)，把光组件晶圆沿着各分割预定线分割成一个一个的光组件芯片。

2. 发明专利

TWI677020B 光元件晶片之製造方法有权
简体标题：光组件芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI677020B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105103303
申请日：2016-02-02
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：荒川太朗 , ARAKAWA, TARO , 中野鉄馬 , NAKANO, KENTA
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53

3. 发明专利

TW201808507A 保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法审中-公开
简体标题：保护膜被覆设备及保护膜被覆方法
公开(公告)号：TW201808507A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115664
申请日：2017-05-11
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：梁仙一 , RYO, SENICHI , 中野鉄馬 , NAKANO, KENTA , 大浦幸伸 , OHURA, YUKINOBU , 吉川敏行 , YOSHIKAWA, TOSHIYUKI
IPC分类号： B23K26/18 , B23K26/364 , H01L21/78 , B05D1/00 , B05B3/02 , H01L21/66 , B23K101/40
CPC分类号： B23K26/18 , B05B3/02 , B05D1/005 , B23K26/083 , B23K26/0869 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K37/0235 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , H01L21/02041 , H01L21/02334 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明的課題是在於提供一種可不依被加工物的狀態來適當地形成保護膜之保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法。其解決手段為一種保護膜被覆裝置包含：保護膜形成兼洗淨部(50)，其係在晶圓(W)的表面被覆保護膜，且洗淨該保護膜；被覆狀態檢測部(70)，其係檢測出在晶圓(W)的表面所被覆的保護膜的被覆狀態；及控制部(90)，其係控制該等。控制部(90)是根據來自被覆狀態檢測部(70)的檢測訊號，判定保護膜的膜厚是否處於預定範圍內，當判定成膜厚不在預定範圍時，作動保護膜形成兼洗淨部(50)，洗淨晶圓(W)的表面所被覆的保護膜，在表面實施按照膜厚而選擇的前處理之後，再度作動保護膜形成兼洗淨部(50)，在晶圓(W)的表面被覆保護膜。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可不依被加工物的状态来适当地形成保护膜之保护膜被覆设备及保护膜被覆方法。其解决手段为一种保护膜被覆设备包含：保护膜形成兼洗净部(50)，其系在晶圆(W)的表面被覆保护膜，且洗净该保护膜；被覆状态检测部(70)，其系检测出在晶圆(W)的表面所被覆的保护膜的被覆状态；及控制部(90)，其系控制该等。控制部(90)是根据来自被覆状态检测部(70)的检测信号，判定保护膜的膜厚是否处于预定范围内，当判定成膜厚不在预定范围时，作动保护膜形成兼洗净部(50)，洗净晶圆(W)的表面所被覆的保护膜，在表面实施按照膜厚而选择的前处理之后，再度作动保护膜形成兼洗净部(50)，在晶圆(W)的表面被覆保护膜。

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