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11. 发明专利

TWI452655B 半導體晶片組體有权
简体标题：半导体芯片组体
公开(公告)号：TWI452655B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098142243
申请日：2009-12-10
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：王家忠 , 林文強
IPC分类号： H01L23/34 , H01L33/64
CPC分类号： H01L2224/49171

13. 发明专利

TW201417222A 具有屏蔽蓋及屏蔽狹槽作爲內嵌元件之電磁屏障之線路板审中-公开
简体标题：具有屏蔽盖及屏蔽狭槽作为内嵌组件之电磁屏障之线路板
公开(公告)号：TW201417222A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102137101
申请日：2013-10-15
申请人：鈺橋半導體股份有限公司 , BRIDGE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林文強 , LIN, CHARLES W. C. , 王家忠 , WANG, CHIA CHUNG
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/60 , H05K1/18
CPC分类号： H01L24/82 , H01L2224/24 , H01L2224/24226 , H01L2224/73267 , H01L2224/8314 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/00012
摘要：在本發明係較佳實施態樣中，具有內嵌元件及電磁屏障之線路板包括：一半導體元件、一核心層、一屏蔽蓋、複數個屏蔽狹槽及增層電路。增層電路覆蓋半導體元件及核心層，屏蔽狹槽及屏蔽蓋係透過增層電路而與半導體元件之至少一接地接觸墊電性連接，且屏蔽狹槽及屏蔽蓋可係分別作為半導體元件之有效的水平及垂直電磁屏障。
简体摘要：在本发明系较佳实施态样中，具有内嵌组件及电磁屏障之线路板包括：一半导体组件、一内核层、一屏蔽盖、复数个屏蔽狭槽及增层电路。增层电路覆盖半导体组件及内核层，屏蔽狭槽及屏蔽盖系透过增层电路而与半导体组件之至少一接地接触垫电性连接，且屏蔽狭槽及屏蔽盖可系分别作为半导体组件之有效的水平及垂直电磁屏障。

14. 发明专利

TWI406620B 行動電子產品具散熱之可撓性電路板結構及其製作方法失效
简体标题：行动电子产品具散热之可挠性电路板结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI406620B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW099146555
申请日：2010-12-29
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：王家忠
IPC分类号： H05K3/46 , H05K7/20

15. 发明专利

TW201250952A 具有凸塊／基座／凸緣層散熱座及增層電路之堆疊式半導體組體 STACKABLE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/BASE/FLANGE HEAT SPREADER AND BUILD-UP CIRCUITRY 失效
简体标题：具有凸块／基座／凸缘层散热座及增层电路之堆栈式半导体组体 STACKABLE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/BASE/FLANGE HEAT SPREADER AND BUILD-UP CIRCUITRY
公开(公告)号：TW201250952A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100136456
申请日：2011-10-07
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：林文強 , 王家忠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L21/56 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/24101 , H01L2224/24221 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/73267 , H01L2224/82106 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92244 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K1/0207 , H05K1/186 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：一種堆疊式半導體組體,其包括半導體元件、散熱座、黏著層、端子、被覆穿孔及增層電路。該散熱座包括一凸塊、一基座及一凸緣層。該半導體元件電性連接至該增層電路,並與凸塊熱連結。該凸塊自基座延伸進入黏著層之開口,且該基座自凸塊朝相反於凹穴之方向垂直延伸,同時該凸緣層於凹穴入口處自凸塊側向延伸。該增層電路可提供半導體元件之訊號路由。該被覆穿孔可提供增層電路與端子間之訊號路由。
简体摘要：一种堆栈式半导体组体,其包括半导体组件、散热座、黏着层、端子、被覆穿孔及增层电路。该散热座包括一凸块、一基座及一凸缘层。该半导体组件电性连接至该增层电路,并与凸块热链接。该凸块自基座延伸进入黏着层之开口,且该基座自凸块朝相反于凹穴之方向垂直延伸,同时该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该增层电路可提供半导体组件之信号路由。该被覆穿孔可提供增层电路与端子间之信号路由。

16. 发明专利

TW201232723A 具有凸塊／凸緣層散熱座及雙增層電路之堆疊式半導體組體製法 METHOD OF MAKING STACKABLE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/FLANGE HEAT SPREADER AND DUAL BUILD-UP CIRCUITRY 失效
简体标题：具有凸块／凸缘层散热座及双增层电路之堆栈式半导体组体制法 METHOD OF MAKING STACKABLE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/FLANGE HEAT SPREADER AND DUAL BUILD-UP CIRCUITRY
公开(公告)号：TW201232723A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100142595
申请日：2011-11-21
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：林文強 , 王家忠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L21/56 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/24101 , H01L2224/24221 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/73267 , H01L2224/82106 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92244 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K1/0207 , H05K1/186 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：一種堆疊式半導體組體之製法,其中該組體包括半導體元件、散熱座、黏著層、被覆穿孔、第一增層電路及第二增層電路。該散熱座包括一凸塊及一凸緣層。該凸塊定義出一凹穴。該半導體元件設置於凸塊上並位於凹穴處,且電性連接至該第一增層電路,並與凸塊熱連結。該凸塊延伸進入黏著層之開口,且該凸緣層於凹穴入口處自凸塊側向延伸。該第一增層電路及第二增層電路朝相反方向延伸於半導體元件外。該被覆穿孔延伸穿過該黏著層,並提供第一增層電路與第二增層電路間之訊號路由。該散熱座為半導體元件提供散熱效果。
简体摘要：一种堆栈式半导体组体之制法,其中该组体包括半导体组件、散热座、黏着层、被覆穿孔、第一增层电路及第二增层电路。该散热座包括一凸块及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体组件设置于凸块上并位于凹穴处,且电性连接至该第一增层电路,并与凸块热链接。该凸块延伸进入黏着层之开口,且该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该第一增层电路及第二增层电路朝相反方向延伸于半导体组件外。该被覆穿孔延伸穿过该黏着层,并提供第一增层电路与第二增层电路间之信号路由。该散热座为半导体组件提供散热效果。

17. 发明专利

TW201230263A 具有凸塊／基座／凸緣層散熱座及增層電路之散熱增益型半導體組體製法 METHOD OF MAKING THERMALLY ENHANCED SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/BASE/FLANGE HEAT SPREADER AND BUILD-UP CIRCUITRY 失效
简体标题：具有凸块／基座／凸缘层散热座及增层电路之散热增益型半导体组体制法 METHOD OF MAKING THERMALLY ENHANCED SEMICONDUCTOR ASSEMBLY WITH BUMP/BASE/FLANGE HEAT SPREADER AND BUILD-UP CIRCUITRY
公开(公告)号：TW201230263A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100142597
申请日：2011-11-21
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：林文強 , 王家忠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L21/56 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/1132 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/24101 , H01L2224/24221 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/73267 , H01L2224/82106 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92244 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H05K1/0207 , H05K1/186 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：一種半導體組體之製法,其中該組體包括半導體元件、散熱座、黏著層及增層電路。該散熱座包括一凸塊、一基座及一凸緣層。該凸塊定義出一凹穴。該半導體元件設置於凸塊上且位於凹穴處,並電性連接至該增層電路,並與凸塊熱連結。該凸塊自基座延伸進入黏著層之開口,且該基座自凸塊朝相反於凹穴之方向垂直延伸,同時該凸緣層於凹穴入口處自凸塊側向延伸。該增層電路包括一介電層及導線,其係位於半導體元件及凸緣層上。該導線可提供半導體元件之訊號路由。
简体摘要：一种半导体组体之制法,其中该组体包括半导体组件、散热座、黏着层及增层电路。该散热座包括一凸块、一基座及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体组件设置于凸块上且位于凹穴处,并电性连接至该增层电路,并与凸块热链接。该凸块自基座延伸进入黏着层之开口,且该基座自凸块朝相反于凹穴之方向垂直延伸,同时该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该增层电路包括一介电层及导线,其系位于半导体组件及凸缘层上。该导线可提供半导体组件之信号路由。

18. 发明专利

TWI357646B 增層線路板之製作方法失效
简体标题：增层线路板之制作方法
公开(公告)号：TWI357646B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW097102735
申请日：2008-01-24
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：林文強 , 王家忠 , 陳振重
IPC分类号： H01L
摘要：一種增層線路板之製作方法，係先以光學微影及蝕刻之方式製作一單層線路，以做為增層結構之電性連接墊，並於其接墊面以壓合之方式形成一具三層結構之電路板，接著於此第一增層線路結構上形成第二增層線路，並使原未圖案化線路之金屬層形成第三增層線路，成為一具圖案化線路且電性導通之四層基板，並可進一步以該四層基板之上、下層分別做為增層結構之電性連接墊，亦或係作為置晶側與球側之完整線路。藉此，使用本發明高密度之增層線路板製作方法，所製作之半導體多層封裝基板結構，係可有效改善超薄核層基板板彎翹問題及簡化傳統增層線路板之製作流程，係一個可依實際需求形成雙數多層之封裝基板，進而可有效達到降低成品板厚度及減少製作成本之目的。
简体摘要：一种增层线路板之制作方法，系先以光学微影及蚀刻之方式制作一单层线路，以做为增层结构之电性连接垫，并于其接垫面以压合之方式形成一具三层结构之电路板，接着于此第一增层线路结构上形成第二增层线路，并使原未图案化线路之金属层形成第三增层线路，成为一具图案化线路且电性导通之四层基板，并可进一步以该四层基板之上、下层分别做为增层结构之电性连接垫，亦或系作为置晶侧与球侧之完整线路。借此，使用本发明高密度之增层线路板制作方法，所制作之半导体多层封装基板结构，系可有效改善超薄核层基板板弯翘问题及简化传统增层线路板之制作流程，系一个可依实际需求形成双数多层之封装基板，进而可有效达到降低成品板厚度及减少制作成本之目的。

19. 发明专利

TWI347513B 高散熱記憶體模組結構失效
简体标题：高散热内存模块结构
公开(公告)号：TWI347513B
公开(公告)日：2011-08-21
申请号：TW096117666
申请日：2007-05-17
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：林文強 , 潘偉光 , 王家忠
IPC分类号： G06F
CPC分类号： H01L23/36 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L2224/73203
摘要：一種高散熱記憶體模組結構，係將鑲嵌於一記憶體模組板上之半導體元件中晶片之表平面暴露於空氣中。亦可進一步在一般記憶體模組板上將半導體元件進行塗底膠(underfill)或封模後，以研磨之方式直至該半導體元件中晶片之表平面完全暴露於空氣中，以增進該記憶體模組之散熱特性。此外，亦可利用一熱介面物質(Thermal Interface Material,TIM)將一散熱片緊密粘著在表平面暴露之晶片上，達到更可強化整個記憶體模組之散熱功能。因此，本發明在改善該記憶體模組之散熱性同時，亦可使整個製程上具有方便性與經濟性之效益。
简体摘要：一种高散热内存模块结构，系将镶嵌于一内存模块板上之半导体组件中芯片之表平面暴露于空气中。亦可进一步在一般内存模块板上将半导体组件进行涂底胶(underfill)或封模后，以研磨之方式直至该半导体组件中芯片之表平面完全暴露于空气中，以增进该内存模块之散热特性。此外，亦可利用一热界面物质(Thermal Interface Material,TIM)将一散热片紧密粘着在表平面暴露之芯片上，达到更可强化整个内存模块之散热功能。因此，本发明在改善该内存模块之散热性同时，亦可使整个制程上具有方便性与经济性之效益。

20. 发明专利

TW201021243A 晶片級封裝發光裝置 CHIP-SCALE PACKAGED LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：芯片级封装发光设备 CHIP-SCALE PACKAGED LIGHT-EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW201021243A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW097146116
申请日：2008-11-28
申请人：鈺橋半導體股份有限公司
发明人：派那保羅 , 林文強 , 王家忠 , 陳振重
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一發光裝置，以及結合相關構件與系統之方法。該發光裝置，具有一發光晶片，該發光晶片具有一光源產生區域，可產生光源，以及一散射表面，產生的光源可經由該表面散射；以及包含一構裝層，該構裝層至少有部份係置放於發光晶片散射表面，其中，該構裝層具有一孔洞，來自發光晶片的光源可經由該孔洞散射。該發光裝置可為一晶片規格封裝裝置，其中，該裝置區域係不到發光晶片散射表面區域的三倍，及／或裝置厚度係不到發光晶片厚度的兩倍。
简体摘要：本发明系提供一发光设备，以及结合相关构件与系统之方法。该发光设备，具有一发光芯片，该发光芯片具有一光源产生区域，可产生光源，以及一散射表面，产生的光源可经由该表面散射；以及包含一构装层，该构装层至少有部份系置放于发光芯片散射表面，其中，该构装层具有一孔洞，来自发光芯片的光源可经由该孔洞散射。该发光设备可为一芯片规格封装设备，其中，该设备区域系不到发光芯片散射表面区域的三倍，及／或设备厚度系不到发光芯片厚度的两倍。

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