基本信息:
- 专利标题： 高散熱記憶體模組結構
- 专利标题（中）：高散热内存模块结构
- 申请号：TW096117666 申请日：2007-05-17
- 公开(公告)号：TWI347513B 公开(公告)日：2011-08-21
- 发明人： 林文強 , 潘偉光 , 王家忠
- 申请人： 鈺橋半導體股份有限公司
- 申请人地址： 臺北市松山區延壽街10號 TW
- 专利权人： 鈺橋半導體股份有限公司
- 当前专利权人： 鈺橋半導體股份有限公司
- 当前专利权人地址： 臺北市松山區延壽街10號 TW
- 代理人： 歐奉璋
- 主分类号： G06F
- IPC分类号： G06F
摘要：
一種高散熱記憶體模組結構，係將鑲嵌於一記憶體模組板上之半導體元件中晶片之表平面暴露於空氣中。亦可進一步在一般記憶體模組板上將半導體元件進行塗底膠(underfill)或封模後，以研磨之方式直至該半導體元件中晶片之表平面完全暴露於空氣中，以增進該記憶體模組之散熱特性。此外，亦可利用一熱介面物質(Thermal Interface Material,TIM)將一散熱片緊密粘著在表平面暴露之晶片上，達到更可強化整個記憶體模組之散熱功能。因此，本發明在改善該記憶體模組之散熱性同時，亦可使整個製程上具有方便性與經濟性之效益。
摘要（中）：
一种高散热内存模块结构，系将镶嵌于一内存模块板上之半导体组件中芯片之表平面暴露于空气中。亦可进一步在一般内存模块板上将半导体组件进行涂底胶(underfill)或封模后，以研磨之方式直至该半导体组件中芯片之表平面完全暴露于空气中，以增进该内存模块之散热特性。此外，亦可利用一热界面物质(Thermal Interface Material,TIM)将一散热片紧密粘着在表平面暴露之芯片上，达到更可强化整个内存模块之散热功能。因此，本发明在改善该内存模块之散热性同时，亦可使整个制程上具有方便性与经济性之效益。
公开/授权文献:
- TW200846880A 高散熱記憶體模組結構 公开/授权日：2008-12-01