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121. 发明专利

TW201332087A 非揮發性記憶體元件及其陣列审中-公开
简体标题：非挥发性内存组件及其数组
公开(公告)号：TW201332087A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101102002
申请日：2012-01-18
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：侯拓宏 , HOU, TUO HUNG , 黃俊嘉 , HUANG, JIUN JIA
IPC分类号： H01L27/102 , G11C5/02 , G11C8/12 , G11C11/4067
摘要：一種非揮發性記憶體元件，包括一第一電極、一電阻結構、一選擇器結構以及一第二電極。電阻結構包括一第一氧化層以及一第一金屬層。選擇器結構配置於電阻結構上。選擇器結構包括一第二氧化層、一第三氧化層以及一第四氧化層。第二氧化層配置於第一金屬層上。第三氧化層配置於第二氧化層。第四氧化層配置於第三氧化層上。選擇器結構包括一雙極性選擇器，具有一第一端及一第二端。雙極性選擇器中的一穿隧電子流根據其兩端的偏壓由第一端流至第二端，或者由第二端流至第一端。另外，一種包括上述記憶體元件的非揮發性記憶體陣列亦被提出。
简体摘要：一种非挥发性内存组件，包括一第一电极、一电阻结构、一选择器结构以及一第二电极。电阻结构包括一第一氧化层以及一第一金属层。选择器结构配置于电阻结构上。选择器结构包括一第二氧化层、一第三氧化层以及一第四氧化层。第二氧化层配置于第一金属层上。第三氧化层配置于第二氧化层。第四氧化层配置于第三氧化层上。选择器结构包括一双极性选择器，具有一第一端及一第二端。双极性选择器中的一穿隧电子流根据其两端的偏压由第一端流至第二端，或者由第二端流至第一端。另外，一种包括上述内存组件的非挥发性内存数组亦被提出。

122. 发明专利

TWI395223B 用於系統管理之多位準單元選擇的多程式有权
简体标题：用于系统管理之多位准单元选择的多进程
公开(公告)号：TWI395223B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW097104719
申请日：2008-02-05
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：麥可莫瑞 , MURRAY, MICHAEL
IPC分类号： G11C16/16 , G11C8/12
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7209

123. 发明专利

TWI390548B 資料儲存方法及其儲存裝置有权
简体标题：数据存储方法及其存储设备
公开(公告)号：TWI390548B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097145451
申请日：2008-11-25
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：何昆霖 , HO, KUNLIN
IPC分类号： G11C8/12 , G06F12/02 , G06F12/06

124. 发明专利

TW201312583A 用於記憶體故障容許的方法及裝置审中-公开
简体标题：用于内存故障容许的方法及设备
公开(公告)号：TW201312583A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101106081
申请日：2012-02-23
申请人：麥利爾公司 , MZXLINEAR INC.
发明人：林科堤斯 , LING, CURTIS , 斯莫亞克夫維迪姆 , SMOLYAKOV, VADIM , 蓋拉格提摩西 , GALLAGHER, TIMOTHY , 格拉克格蘭 , GULAK, GLENN
IPC分类号： G11C8/12 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/00 , G06F11/1048 , G11C7/1006 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/785 , G11C2029/0409 , G11C2029/4402
摘要：可使用複數條資料線及複數條位元線來寫入至一記憶體單元陣列及/或自一記憶體單元陣列讀取。一切換元件可在該複數條資料線與該複數條位元線之間的不同映射之中進行選擇。該陣列可(例如)由N個記憶體單元組成，該複數條位元線可由N條位元線組成，且該複數條資料線可由N條資料線組成，其中N為大於1之整數。對於其中一資料塊將被寫入至該陣列的寫入操作而言，可至少部分地基於該資料塊對該記憶體單元陣列之中的一有故障記憶體單元的敏感程度來控制該切換元件之組態。
简体摘要：可使用复数条数据线及复数条比特线来写入至一内存单元数组及/或自一内存单元数组读取。一切换组件可在该复数条数据线与该复数条比特线之间的不同映射之中进行选择。该数组可(例如)由N个内存单元组成，该复数条比特线可由N条比特线组成，且该复数条数据线可由N条数据线组成，其中N为大于1之整数。对于其中一数据块将被写入至该数组的写入操作而言，可至少部分地基于该数据块对该内存单元数组之中的一有故障内存单元的敏感程度来控制该切换组件之组态。

125. 发明专利

TWI381384B 提高快閃記憶體資料存取速度的方法有权
简体标题：提高闪存数据存取速度的方法
公开(公告)号：TWI381384B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097108494
申请日：2008-03-11
申请人：深圳市朗科科技股份有限公司 , NETAC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：萬紅波 , WAN, HONGBO
IPC分类号： G11C16/06 , G11C8/12

126. 发明专利

TW202027075A 記憶體之位址混淆审中-公开
简体标题：内存之位址混淆
公开(公告)号：TW202027075A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108138156
申请日：2019-10-23
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：摩根唐納 M , MORGAN, DONALD M. , 艾樂西恩 S , EILERT, SEAN S. , 庫克布萊斯 D , COOK, BRYCE D.
IPC分类号： G11C8/12 , G11C8/02 , G11C8/18 , G06F5/00 , G06F7/76 , G06F12/02
摘要：本發明描述用於記憶體之位址混淆之方法、系統及裝置。一映射函數可將資料之一邏輯位址映射至一記憶體胞元之一實體位址。該映射函數可使用包含映射子組件之一映射組件實施。各映射子組件可獨立地組態以實施用於判定該實體位址之一位元之一邏輯函數。該映射函數可跨記憶體裝置或記憶體裝置之態樣變動，或在一些情況中，可隨時間變動。
简体摘要：本发明描述用于内存之位址混淆之方法、系统及设备。一映射函数可将数据之一逻辑位址映射至一内存胞元之一实体位址。该映射函数可使用包含映射子组件之一映射组件实施。各映射子组件可独立地组态以实施用于判定该实体位址之一比特之一逻辑函数。该映射函数可跨内存设备或内存设备之态样变动，或在一些情况中，可随时间变动。

127. 发明专利

TW202027069A 用於監視多重記憶體組件之電容性分壓器审中-公开
简体标题：用于监视多重内存组件之电容性分压器
公开(公告)号：TW202027069A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108131231
申请日：2019-08-30
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：羅利馬修 D , ROWLEY, MATTHEW D.
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10 , G11C8/12
摘要：一種記憶體子系統包含複數個記憶體組件，其中該等記憶體組件之至少兩者經組態以在不同供應電壓下操作。一電容性分壓器(CVD)經組態以回應於該等記憶體組件之各者之一使用狀態而在複數個電容器之複數個連接之間選擇以降低該記憶體子系統之一輸入電壓。該複數個連接經組態以提供對應於該等不同供應電壓之不同電壓量值，且該CVD進一步經組態以輸出該等不同供應電壓以實現該等記憶體組件之各者之使用。
简体摘要：一种内存子系统包含复数个内存组件，其中该等内存组件之至少两者经组态以在不同供应电压下操作。一电容性分压器(CVD)经组态以回应于该等内存组件之各者之一使用状态而在复数个电容器之复数个连接之间选择以降低该内存子系统之一输入电压。该复数个连接经组态以提供对应于该等不同供应电压之不同电压量值，且该CVD进一步经组态以输出该等不同供应电压以实现该等内存组件之各者之使用。

128. 发明专利

TWI648746B 半導體記憶體裝置及包含其之記憶體系統有权
简体标题：半导体内存设备及包含其之内存系统
公开(公告)号：TWI648746B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103140150
申请日：2014-11-20
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：崔殷碩 , CHOI, EUN SEOK , 吳政錫 , OH, JUNG SEOK
IPC分类号： G11C8/14 , G11C8/12

129. 发明专利

TWI636396B 固態硬碟機架構有权
简体标题：固态硬盘机架构
公开(公告)号：TWI636396B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW102142296
申请日：2013-11-20
申请人：佩多查爾斯I , PEDDLE, CHARLES I.
发明人：佩多查爾斯I , PEDDLE, CHARLES I. , 詩立高馬汀 , SNELGROVE, MARTIN , 馬凱尼茲羅伯特 , MCKENZIE, ROBERT , 詩立高塞維爾 , SNELGROVE, XAVIER
IPC分类号： G06F5/06 , G06F13/16 , G11C8/12

130. 发明专利

TWI621131B 可程式邏輯裝置有权
简体标题：可进程逻辑设备
公开(公告)号：TWI621131B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103120843
申请日：2014-06-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：青木健 , AOKI, TAKESHI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO , 中川貴史 , NAKAGAWA, TAKASHI
IPC分类号： G11C8/12 , G11C7/10
CPC分类号： H03K19/0013 , H03K19/018585

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