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1. 发明专利

TW202027234A 記憶胞及CMOS反相器電路审中-公开
简体标题：记忆胞及CMOS反相器电路
公开(公告)号：TW202027234A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108127418
申请日：2019-08-01
申请人：日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：冨田学 , TOMITA, MANABU
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/28 , H01L21/8229 , H01L27/102 , H01L27/11 , H01L29/417
摘要：本發明之記憶胞係由正反器電路及2個傳送電晶體TR5、TR6構成，該正反器電路由包含第1A電晶體TR1及第1B電晶體TR2之第1CMOS反相器電路、及包含第2A電晶體TR3及第2B電晶體TR4之第2反相器電路構成；第1A電晶體TR1及第2A電晶體TR2連接於共通之第1電源線91，第1B電晶體TR3及第2B電晶體TR4連接於共通之第2電源線92。
简体摘要：本发明之记忆胞系由正反器电路及2个发送晶体管TR5、TR6构成，该正反器电路由包含第1A晶体管TR1及第1B晶体管TR2之第1CMOS反相器电路、及包含第2A晶体管TR3及第2B晶体管TR4之第2反相器电路构成；第1A晶体管TR1及第2A晶体管TR2连接于共通之第1电源线91，第1B晶体管TR3及第2B晶体管TR4连接于共通之第2电源线92。

2. 发明专利

TWI580008B 閘流體隨機存取記憶體有权
简体标题：晶闸管随机存取内存
公开(公告)号：TWI580008B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104106203
申请日：2015-02-26
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE , 史摩達尼帕克奇摩 , SHUM, DANNY PAK-CHUM
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/66 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74

3. 发明专利

TWI385790B 相變化記憶體之多晶矽栓塞雙極性電晶體有权
简体标题：相变化内存之多晶硅栓塞双极性晶体管
公开(公告)号：TWI385790B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098112675
申请日：2009-04-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. , 國際商業機器股份有限公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 林仲漢 , LAM, CHUNG HON , 賴二琨 , LAI, ERH KUN , 畢平拉詹德南 , BIPIN, RAJENDRAN
IPC分类号： H01L27/102 , H01L27/24 , H01L21/8229
CPC分类号： H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L27/1026 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683

4. 发明专利

TW201921629A 積體電路裝置审中-公开
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TW201921629A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126640
申请日：2018-08-01
申请人：美商美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：沙勒都傑發爾阿樂娟德 , SALCEDO, JAVIER ALEJANDRO , 何林峰 , HE, LINFENG
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/102
摘要：一種積體電路裝置，用於保護電路不受暫態電性事件影響。一積體電路裝置包含第一雙極接面電晶體（BJT）及一第二BJT交叉耦合於第一BJT，以作為一第一半導體控制整流器（SCR）操作，其中該第一BJT之基極連接於該第二BJT之一集極，且該第二BJT之一基極連接於第一BJT之一射極或一集極。該積體電路裝置額外包含一觸發裝置，其具有一第一二極體，其具有連接於該第一BJT之該基極之一陰極。該積體電路裝置進一步包含一第三BJT交叉耦合於第二BJT，以作為一第二SCR操作，其中該第三BJT具有一集極，其連接於該第二BJT之該集極，及一基極，其連接於該第二BJT之該集極。
简体摘要：一种集成电路设备，用于保护电路不受暂态电性事件影响。一集成电路设备包含第一双极接面晶体管（BJT）及一第二BJT交叉耦合于第一BJT，以作为一第一半导体控制整流器（SCR）操作，其中该第一BJT之基极连接于该第二BJT之一集极，且该第二BJT之一基极连接于第一BJT之一射极或一集极。该集成电路设备额外包含一触发设备，其具有一第一二极管，其具有连接于该第一BJT之该基极之一阴极。该集成电路设备进一步包含一第三BJT交叉耦合于第二BJT，以作为一第二SCR操作，其中该第三BJT具有一集极，其连接于该第二BJT之该集极，及一基极，其连接于该第二BJT之该集极。

5. 发明专利

TWI541980B 記憶元件以及記憶體結構失效
简体标题：记忆组件以及内存结构
公开(公告)号：TWI541980B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100124884
申请日：2011-07-14
申请人：美國博通公司 , BROADCOM CORPORATION
发明人：布爾邁倫 , BUER, MYRON
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/861
CPC分类号： G11C17/165 , G11C17/14 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L28/24 , H01L29/8611

6. 发明专利

TWI539578B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI539578B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100128158
申请日：2011-08-08
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：米田誠一 , YONEDA, SEIICHI
IPC分类号： H01L27/098 , H01L27/10 , H01L27/102 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/1225 , G11C16/0433 , H01L27/11517 , H01L27/1251 , H01L29/78609 , H01L29/7869

7. 发明专利

TW201606989A 閘流體隨機存取記憶體审中-公开
简体标题：晶闸管随机存取内存
公开(公告)号：TW201606989A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104106203
申请日：2015-02-26
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE , 史摩達尼帕克奇摩 , SHUM, DANNY PAK-CHUM
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/66 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74
摘要：提出數種用以形成裝置的裝置及方法。該裝置包括：有具第一極性類型之井區的基板，以及基於閘流體之記憶單元。該基於閘流體之記憶單元包括：鄰近該井區具第二極性類型之至少一第一區；設置於該基板上用作為第二字元線的閘極；具該第一極性類型之至少一第一層，其係設置成鄰近具該第二極性類型之該第一區且鄰近該閘極；以及具該第二極性類型之至少一重摻雜第一層，其係設置於具該第一極性類型之該第一層上且鄰近該閘極。至少具該第二極性類型之該重摻雜第一層與該閘極的側面自對齊。
简体摘要：提出数种用以形成设备的设备及方法。该设备包括：有具第一极性类型之井区的基板，以及基于晶闸管之记忆单元。该基于晶闸管之记忆单元包括：邻近该井区具第二极性类型之至少一第一区；设置于该基板上用作为第二字符线的闸极；具该第一极性类型之至少一第一层，其系设置成邻近具该第二极性类型之该第一区且邻近该闸极；以及具该第二极性类型之至少一重掺杂第一层，其系设置于具该第一极性类型之该第一层上且邻近该闸极。至少具该第二极性类型之该重掺杂第一层与该闸极的侧面自对齐。

8. 发明专利

TWI514552B 記憶體單元結構及方法有权
简体标题：内存单元结构及方法
公开(公告)号：TWI514552B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100131345
申请日：2011-08-31
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：山德胡古堤S , SANDHU, GURTEJ S. , 斯尼法珊巴哈斯卡 , SRINIVASAN, BHASKAR
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/102
CPC分类号： G11C16/0416 , G11C16/0483

9. 发明专利

TWI437693B 非揮發性記憶體元件及其陣列有权
简体标题：非挥发性内存组件及其数组
公开(公告)号：TWI437693B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW101102002
申请日：2012-01-18
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：侯拓宏 , HOU, TUO HUNG , 黃俊嘉 , HUANG, JIUN JIA
IPC分类号： H01L27/102 , G11C5/02 , G11C8/12 , G11C11/4067

10. 发明专利

TWI693692B 積體電路裝置有权
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TWI693692B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107126640
申请日：2018-08-01
申请人：美商美國亞德諾半導體公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：沙勒都傑發爾阿樂娟德 , SALCEDO, JAVIER ALEJANDRO , 何林峰 , HE, LINFENG
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/102

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