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1. 发明专利

TWI381384B 提高快閃記憶體資料存取速度的方法有权
简体标题：提高闪存数据存取速度的方法
公开(公告)号：TWI381384B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097108494
申请日：2008-03-11
申请人：深圳市朗科科技股份有限公司 , NETAC TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：萬紅波 , WAN, HONGBO
IPC分类号： G11C16/06 , G11C8/12

2. 发明专利

TWI355665B 快閃記憶體介質壞塊處理方法 A METHOD FOR PROCESSING CORRUPTED BLOCKS OF FLASH MEMORY MEDIA 有权
简体标题：闪存介质坏块处理方法 A METHOD FOR PROCESSING CORRUPTED BLOCKS OF FLASH MEMORY MEDIA
公开(公告)号：TWI355665B
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW096143752
申请日：2007-11-19
申请人：深圳市朗科科技股份有限公司
发明人：萬紅波
IPC分类号： G11C
摘要：本發明提供快閃記憶體介質壞塊處理方法，快閃記憶體介質通過支援批量存儲(Mass Storage)協定的通用串列匯流排-小型電腦系統介面(USB-SCSI)與主機電連接，包括步驟：根據USB-SCSI介面的Mass Storage協定，向主機報告SCSI層資料出錯類型；選擇新塊；複製壞塊上所有資料至新塊；更新所述快閃記憶體介質的邏輯塊與新塊的對應關係，形成新的邏輯對照表。本發明快閃記憶體介質壞塊處理方法，不佔用主機的RAM資源，能夠提高快閃記憶體介質的運行速度。
简体摘要：本发明提供闪存介质坏块处理方法，闪存介质通过支持批量存储(Mass Storage)协定的通用串行总线-小型电脑系统界面(USB-SCSI)与主机电连接，包括步骤：根据USB-SCSI界面的Mass Storage协定，向主机报告SCSI层数据出错类型；选择新块；复制坏块上所有数据至新块；更新所述闪存介质的逻辑块与新块的对应关系，形成新的逻辑对照表。本发明闪存介质坏块处理方法，不占用主机的RAM资源，能够提高闪存介质的运行速度。

3. 发明专利

TWI356418B 提高快閃記憶體介質讀寫速度的方法 A METHOD FOR IMPROVING SPEEDS OF READING AND WRITING FLASH MEMORY MEDIA 有权
简体标题：提高闪存介质读写速度的方法 A METHOD FOR IMPROVING SPEEDS OF READING AND WRITING FLASH MEMORY MEDIA
公开(公告)号：TWI356418B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096144072
申请日：2007-11-21
申请人：深圳市朗科科技股份有限公司
发明人：萬紅波
IPC分类号： G11C
摘要：本發明提出一種提高快閃記憶體介質讀寫速度的方法，包括步驟：計算偏移量；根據偏移量對資料操作進行偏移處理；執行資料操作。本發明提供的提高快閃記憶體介質讀寫速度的方法能根據檔系統(例如fat16,fat32，ntfs等)把快閃記憶體介質的最小寫入單位頁與檔系統的最小寫入單位簇對齊，讓每個簇由多個頁組成，實現對快閃記憶體介質讀寫資料時，明顯提高讀寫速度，特別是寫的速度，並且避免大量碎片的產生，而無需改變快閃記憶體介質硬體結構，也無需改變檔系統，易於實現。
简体摘要：本发明提出一种提高闪存介质读写速度的方法，包括步骤：计算偏移量；根据偏移量对数据操作进行偏移处理；运行数据操作。本发明提供的提高闪存介质读写速度的方法能根据档系统(例如fat16,fat32，ntfs等)把闪存介质的最小写入单位页与档系统的最小写入单位簇对齐，让每个簇由多个页组成，实现对闪存介质读写数据时，明显提高读写速度，特别是写的速度，并且避免大量碎片的产生，而无需改变闪存介质硬件结构，也无需改变档系统，易于实现。

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