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    • 113. 发明专利
    • 對齊晶圓之方法 METHOD FOR ALIGNING WAFER
    • 对齐晶圆之方法 METHOD FOR ALIGNING WAFER
    • TW200528933A
    • 2005-09-01
    • TW093137829
    • 2004-12-07
    • 海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
    • 潘槿道 BAN, KEUN DO
    • G03FH01L
    • G03F9/7019G03F7/70633G03F9/7011G03F9/7015H01L21/682
    • 本發明揭示一種對齊晶圓之方法,該方法包括:在一曝光裝置中載入並對齊一第一晶圓;從該第一晶圓的複數個晶圓對齊標記中選擇一無缺陷的晶圓對齊標記,並在一工作檔案中將該等無缺陷的晶圓對齊標記儲存為一灰階的參考影像;載入一第二晶圓,並將該第二晶圓的複數個晶圓對齊標記儲存為灰階的晶圓對齊標記影像;分別將該第二晶圓的該等複數個晶圓對齊標記影像中的每一個與該第一晶圓的該參考影像逐像素地進行比較,以獲得該等複數個晶圓對齊標記影像中每一個的匹配值;將該等複數個匹配值中的每一個與該曝光裝置中所設定的一最小值進行比較;用該參考影像來取代所具有的匹配值小於該最小值的該晶圓對齊標記影像;及使用一晶圓對齊感測器來獲得一底層的一對齊資訊。
    • 本发明揭示一种对齐晶圆之方法,该方法包括:在一曝光设备中加载并对齐一第一晶圆;从该第一晶圆的复数个晶圆对齐标记中选择一无缺陷的晶圆对齐标记,并在一工作文档中将该等无缺陷的晶圆对齐标记存储为一灰阶的参考影像;加载一第二晶圆,并将该第二晶圆的复数个晶圆对齐标记存储为灰阶的晶圆对齐标记影像;分别将该第二晶圆的该等复数个晶圆对齐标记影像中的每一个与该第一晶圆的该参考影像逐像素地进行比较,以获得该等复数个晶圆对齐标记影像中每一个的匹配值;将该等复数个匹配值中的每一个与该曝光设备中所设置的一最小值进行比较;用该参考影像来取代所具有的匹配值小于该最小值的该晶圆对齐标记影像;及使用一晶圆对齐传感器来获得一底层的一对齐信息。
    • 115. 发明专利
    • 製作晶圓試片的方法及藉其評估光罩圖案間疊對位準(MASK REGISTRATION)的方法
    • 制作晶圆试片的方法及藉其评估光罩图案间叠对位准(MASK REGISTRATION)的方法
    • TW594852B
    • 2004-06-21
    • TW092124185
    • 2003-09-02
    • 南亞科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
    • 吳文彬 WU, WEN BIN蕭智元 HSIAO, CHIH YUAN毛惠民 MAO, HUI MIN
    • H01L
    • G03F9/7019G03F7/70633G03F9/7011
    • 一種評估兩光罩間疊對位準的方法。首先,以具有第一光罩圖案之第一光罩進行微影製程,以定義蝕刻晶圓而形成第一曝光圖案。接著,在該晶圓表面覆蓋光阻層,並以具有第二光罩圖案之第二光罩定義該光阻層而形成第二曝光圖案。其次,量測晶圓上的第一曝光圖案與第二曝光圖案於X方向、Y方向或X與Y方向的偏移值。之後,校正該偏移值之曝光變形值(scaling)與疊對偏移值(overlay offset)以得到第一與第二光罩圖案間的疊對位準。最後,判定疊對位準是否合於一定規格。伍、(一)、本案代表圖為:第3圖。
      (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明:
      S302~S312:流程步驟。
    • 一种评估两光罩间叠对位准的方法。首先,以具有第一光罩图案之第一光罩进行微影制程,以定义蚀刻晶圆而形成第一曝光图案。接着,在该晶圆表面覆盖光阻层,并以具有第二光罩图案之第二光罩定义该光阻层而形成第二曝光图案。其次,量测晶圆上的第一曝光图案与第二曝光图案于X方向、Y方向或X与Y方向的偏移值。之后,校正该偏移值之曝光变形值(scaling)与叠对偏移值(overlay offset)以得到第一与第二光罩图案间的叠对位准。最后,判定叠对位准是否合于一定规格。伍、(一)、本案代表图为:第3图。 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明: S302~S312:流程步骤。
    • 116. 发明专利
    • 掃描曝光裝置及方法 SCANNING EXPOSURE APPARATUS AND METHOD
    • 扫描曝光设备及方法 SCANNING EXPOSURE APPARATUS AND METHOD
    • TW200403544A
    • 2004-03-01
    • TW092117473
    • 2003-06-26
    • 佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
    • 香田徹筒井慎二
    • G03F
    • G03F7/70641G03F7/70358G03F7/70783G03F9/7011G03F9/7034
    • 一種掃描曝光裝置包含一照射光學系統用以使用弧形照射光照射蔽罩上之一圖案;一投影光學系統用以投射由照射光學系統所照射之蔽罩上之圖案於一板上;一蔽罩平台用以掃描蔽罩;一板平台用以掃描該板,掃描曝光裝置對投影光學系統同步相對掃描蔽罩平台及板平台;一蔽罩支持機構用以支持蔽罩之周邊;及一蔽罩平台傾斜機構,用以安排由弧形照射光所照射之一區域中之圖案於投影光學系統之目標表面方焦平面中,其中,蔽罩由於其本身重量引起自受支持之周邊變形。
    • 一种扫描曝光设备包含一照射光学系统用以使用弧形照射光照射蔽罩上之一图案;一投影光学系统用以投射由照射光学系统所照射之蔽罩上之图案于一板上;一蔽罩平台用以扫描蔽罩;一板平台用以扫描该板,扫描曝光设备对投影光学系统同步相对扫描蔽罩平台及板平台;一蔽罩支持机构用以支持蔽罩之周边;及一蔽罩平台倾斜机构,用以安排由弧形照射光所照射之一区域中之图案于投影光学系统之目标表面方焦平面中,其中,蔽罩由于其本身重量引起自受支持之周边变形。
    • 118. 发明专利
    • 投影曝光裝置、位置對準裝置以及位置對準方法
    • 投影曝光设备、位置对准设备以及位置对准方法
    • TW200307180A
    • 2003-12-01
    • TW092108355
    • 2003-04-11
    • 亞多特克工程股份有限公司 ADTEC ENGINEERING CO., LTD.
    • 平林洋一 HIRABAYASHI YOUICHI松本德嘉 MATSUMOTO NORIYOSHI
    • G03F
    • G03F9/7088G03F9/7011G03F9/7019G03F9/7065
    • 一種可做正確位置對準的投影曝光裝置。印刷電路板76置於移動平台70上的狀態下,由紫外線照明裝置6的紫外線光源60照亮光罩標記90時,光罩標記90的像通過投影曝光透鏡71與半反射鏡11,以紫外線反射面鏡10反射,再通過分光器34與成像透鏡32,成像於CCD30上,並由影像辨識裝置2對其中心座標做計測。其次,由紅外線照明裝置5的紅外線光源50照亮印刷電路板標記91,標記91的像通過紫外線反射面鏡10、半反射鏡11、分光器34、反射鏡43、成像透鏡42以及分光器52,成像於CCD40上。對應於紫外線用的CCD30上的光罩標記90的中心座標,使紅外線用CCD40上的印刷電路板標記91的中心座標吻合,控制移動機構81,使移動平台70在XY及θ方向旋轉移動而做位置對準。
    • 一种可做正确位置对准的投影曝光设备。印刷电路板76置于移动平台70上的状态下,由紫外线照明设备6的紫外线光源60照亮光罩标记90时,光罩标记90的像通过投影曝光透镜71与半反射镜11,以紫外线反射面镜10反射,再通过分光器34与成像透镜32,成像于CCD30上,并由影像辨识设备2对其中心座标做计测。其次,由红外线照明设备5的红外线光源50照亮印刷电路板标记91,标记91的像通过紫外线反射面镜10、半反射镜11、分光器34、反射镜43、成像透镜42以及分光器52,成像于CCD40上。对应于紫外线用的CCD30上的光罩标记90的中心座标,使红外线用CCD40上的印刷电路板标记91的中心座标吻合,控制移动机构81,使移动平台70在XY及θ方向旋转移动而做位置对准。
    • 119. 发明专利
    • 載台裝置、曝光裝置及元件製造方法
    • 载台设备、曝光设备及组件制造方法
    • TW550668B
    • 2003-09-01
    • TW091116668
    • 2002-07-26
    • 尼康股份有限公司
    • 奧村 正彥平野 哲也
    • H01L
    • G03F9/7011G03F7/70733G03F7/7075G03F9/7046
    • 持續維持曝光製程的高生產率,且能達成2個載台在進行動作時所要求的精度。
      載台控制系統19,在以一載台WST1實施曝光動作時,邊下達用來抑制該載台控制性能下降的限制要件,邊在另一載台WST2實施對準動作。據此,即能抑制因一載台的動作而導致另一載台曝光動作的控制性能降低。因此,能一方面藉由2個載台的同時並行處理來維持曝光製程的高量產率,另一方面能確實達成各個載台在進行動作時所要求的精度。
    • 持续维持曝光制程的高生产率,且能达成2个载台在进行动作时所要求的精度。 载台控制系统19,在以一载台WST1实施曝光动作时,边下达用来抑制该载台控制性能下降的限制要件,边在另一载台WST2实施对准动作。据此,即能抑制因一载台的动作而导致另一载台曝光动作的控制性能降低。因此,能一方面借由2个载台的同时并行处理来维持曝光制程的高量产率,另一方面能确实达成各个载台在进行动作时所要求的精度。