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101. 发明专利

TWI302773B P型氮化物半導體之製造方法及使用該方法所製作之半導體裝置有权
简体标题： P型氮化物半导体之制造方法及使用该方法所制作之半导体设备
公开(公告)号：TWI302773B
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW095107875
申请日：2006-03-09
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：津田有三 TSUDA, YUHZOH , 伊藤茂稔 ITO, SHIGETOSHI , 種谷元隆 TANEYA, MOTOTAKA , 上田吉裕 UETA, YOSHIHIRO , 高倉輝芳 TAKAKURA, TERUYOSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , C23C16/34 , C23C16/4481 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：本發明藉由具備以下步驟,解決下述課題:第一步驟,其使用含氮載氣與流量比前述氮載氣多的氫載氣之第一載氣,供應含Mg之原料及含N之V族原料,再利用有機金屬氣相成長,形成氮化物半導體層;及第二步驟,其係使用添加有含N材料之第二載氣而降溫。
简体摘要：本发明借由具备以下步骤,解决下述课题:第一步骤,其使用含氮载气与流量比前述氮载气多的氢载气之第一载气,供应含Mg之原料及含N之V族原料,再利用有机金属气相成长,形成氮化物半导体层;及第二步骤,其系使用添加有含N材料之第二载气而降温。

102. 发明专利

TW200830655A 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TW200830655A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096136740
申请日：2007-10-01
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：阿部真司 SHINJI ABE , 川崎和重 KAZUSHIGE KAWASAKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要： [課題]穩定地在導波路肋狀物之上表面防止半導體層與電極層之接觸面積的減少,防止位於此半導體層蝕刻損傷。[解決手段]在半導體層之上疊積金屬覆蓋層75而形成導波路肋狀物40,並以SiO2膜78覆蓋之且塗布光阻後,導波路肋狀物40頂部之SiO2膜78之表面外露,且形成利用光阻膜而埋設通道38之SiO2膜78的光阻圖案82,其中此光阻膜具有較導波路肋狀物40之金屬覆蓋層75表面高且較導波路肋狀物40之SiO2膜78表面低的表面。之後,以光阻圖案82為硬罩幕並藉由蝕刻而將SiO2膜78除去,而且,藉由濕蝕刻而將金屬覆蓋層75除去,並使導波路肋狀物40之p-GaN層74表面外露而形成電極層46。
简体摘要： [课题]稳定地在导波路肋状物之上表面防止半导体层与电极层之接触面积的减少,防止位于此半导体层蚀刻损伤。[解决手段]在半导体层之上叠积金属覆盖层75而形成导波路肋状物40,并以SiO2膜78覆盖之且涂布光阻后,导波路肋状物40顶部之SiO2膜78之表面外露,且形成利用光阻膜而埋设信道38之SiO2膜78的光阻图案82,其中此光阻膜具有较导波路肋状物40之金属覆盖层75表面高且较导波路肋状物40之SiO2膜78表面低的表面。之后,以光阻图案82为硬罩幕并借由蚀刻而将SiO2膜78除去,而且,借由湿蚀刻而将金属覆盖层75除去,并使导波路肋状物40之p-GaN层74表面外露而形成电极层46。

103. 发明专利

TW200826395A 半導體元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：半导体组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200826395A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096128564
申请日：2007-08-03
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：志賀俊彥 TOSHIHIKO SHIGA
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3213 , H01S5/34333
摘要： [課題]構成可以防止金屬電極層之剝離且可以抑制接觸電阻之上昇的半導體光元件。[解決手段]本發明之LD10具備依次疊積於n-GaN基板12之上的活性層26、p-披覆層34及包含接觸層36之半導體積層構造37、藉由此半導體積層構造36之接觸層36與p-披覆層34之一部份而形成的導波路肋狀物40、對應此導波路肋狀物40之頂部而具有開口部44a且覆蓋導波路肋狀物40之側壁的第1矽絕緣膜44、除了開口部44a而包含由配設於第1矽絕緣膜44上之Ti所組成之第1密著膜45a的密著層45、配設於此密著層45之上且藉由開口部44a而與導波路肋狀物40之頂部之接觸層36密著的p側電極46。
简体摘要： [课题]构成可以防止金属电极层之剥离且可以抑制接触电阻之上升的半导体光组件。[解决手段]本发明之LD10具备依次叠积于n-GaN基板12之上的活性层26、p-披覆层34及包含接触层36之半导体积层构造37、借由此半导体积层构造36之接触层36与p-披覆层34之一部份而形成的导波路肋状物40、对应此导波路肋状物40之顶部而具有开口部44a且覆盖导波路肋状物40之侧壁的第1硅绝缘膜44、除了开口部44a而包含由配设于第1硅绝缘膜44上之Ti所组成之第1密着膜45a的密着层45、配设于此密着层45之上且借由开口部44a而与导波路肋状物40之顶部之接触层36密着的p侧电极46。

104. 发明专利

TWI296454B 半導體發光元件及其製造方法、以及光學模組失效
简体标题：半导体发光组件及其制造方法、以及光学模块
公开(公告)号：TWI296454B
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095105295
申请日：2006-02-16
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：里泰雄 SATO, YASUO , 御友重吾 MITOMO, JUGO , 橫關彌樹博 YOKOZEKI, MIKIHIRO , 日野智公 HINO, TOMONORI , 成井啓修 NARUI, HIRONOBU
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3235 , H01S5/343
摘要：本發明係提供可實現長壽命化之半導體發光元件及其製造方法，以及使用該發光元件之光學模組。本發明具有之活性層14，係由含Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≦x＜1、0＜y＜1、0≦z＜1、0＜y＋z＜1)之井層14A以及含 GaNvAs1-v混晶(0≦v＜1)之阻障層14B層疊而成。活性層14中之氫雜質濃度為3×1019cm-3以下，鋁雜質濃度為1×1018cm-3以下，藉此抑制動作電流的增加，可實現長壽命化。藉由減少活性層14生長時作為氮原料使用之有機氮化物的流量，可使氫濃度降低。
简体摘要：本发明系提供可实现长寿命化之半导体发光组件及其制造方法，以及使用该发光组件之光学模块。本发明具有之活性层14，系由含Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≦x＜1、0＜y＜1、0≦z＜1、0＜y＋z＜1)之井层14A以及含 GaNvAs1-v混晶(0≦v＜1)之阻障层14B层叠而成。活性层14中之氢杂质浓度为3×1019cm-3以下，铝杂质浓度为1×1018cm-3以下，借此抑制动作电流的增加，可实现长寿命化。借由减少活性层14生长时作为氮原料使用之有机氮化物的流量，可使氢浓度降低。

105. 发明专利

TW200729657A 半導體發光裝置之製造方法 FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE 失效
简体标题：半导体发光设备之制造方法 FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR LUMINESCENT DEVICE
公开(公告)号：TW200729657A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095149181
申请日：2006-12-27
申请人：優迪那半導體有限公司 EUDYNA DEVICES INC.
发明人：住友弘幸 SUMITOMO, HIROYUKI , 山訓 KAJIYAMA, SATOSHI , 上田誠 UEDA, MAKOTO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/34326 , H01S2301/185
摘要：本發明係提供一種可將放射角度低縱橫比化,並可以短時間對應放射角度之要求,並且可提升晶圓內之良品率的半導體發光裝置之製造方法。本發明係一種半導體發光裝置之製造方法,包含有以下製程:於基板上形成依序積層有第1導電型覆蓋層、活性層及第2導電型覆蓋層之化合物半導體層;及於欲作為從化合物半導體層內之波導路徑射出輸出光之端面之領域的波導路徑,形成低折射率領域,而該低折射率領域係有效折射率較導波路徑之其他領域小者。又,形成低折射率領域的製程包含利用決定低折射率領域之波導路徑長度方向的幅度,使半導體發光裝置之輸出光的放射角度成為所希望之値,以形成前述低折射率領域之製程。
简体摘要：本发明系提供一种可将放射角度低纵横比化,并可以短时间对应放射角度之要求,并且可提升晶圆内之良品率的半导体发光设备之制造方法。本发明系一种半导体发光设备之制造方法,包含有以下制程:于基板上形成依序积层有第1导电型覆盖层、活性层及第2导电型覆盖层之化合物半导体层;及于欲作为从化合物半导体层内之波导路径射出输出光之端面之领域的波导路径,形成低折射率领域,而该低折射率领域系有效折射率较导波路径之其他领域小者。又,形成低折射率领域的制程包含利用决定低折射率领域之波导路径长度方向的幅度,使半导体发光设备之输出光的放射角度成为所希望之値,以形成前述低折射率领域之制程。

106. 发明专利

TWI279953B 半導體雷射裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 有权
简体标题：半导体激光设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
公开(公告)号：TWI279953B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW094136813
申请日：2005-10-21
申请人：富士照相軟片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD. , 日亞化學工業股份有限公司 NICHIA CORPORATION
发明人：早川利郎 HAYAKAWA, TOSHIRO , 淺野英樹 ASANO, HIDEKI , 長濱慎一 NAGAHAMA, SHINICHI , 松山裕司 MATSUYAMA, YUJI , 甲本克敏 KOUMOTO, KATSUTOSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/34333
摘要：本發明之目的是提供半導體雷射裝置，具有折射率導波構造，橫向模態以高次模態或多工模態進行振盪，可以以高亮度聚光在GaN系之條帶型半導體雷射之多個發光區域，用來將水平射束放射角度抑制成較小。本發明之解決手段是一種GaN系之條帶型半導體雷射，具有折射率導波構造，例如在p-GaN帽蓋層28和 p-Al0.1Ga0.9N包蓋層27形成有幅度W2之脊形構造，橫向模態以高次模態或多工模態進行振盪，將條帶中央部和條帶外之有效折射差Δn設定成為1.5×10-2以下。
简体摘要：本发明之目的是提供半导体激光设备，具有折射率导波构造，横向模态以高次模态或多任务模态进行振荡，可以以高亮度聚光在GaN系之条带型半导体激光之多个发光区域，用来将水平射束放射角度抑制成较小。本发明之解决手段是一种GaN系之条带型半导体激光，具有折射率导波构造，例如在p-GaN帽盖层28和 p-Al0.1Ga0.9N包盖层27形成有幅度W2之嵴形构造，横向模态以高次模态或多任务模态进行振荡，将条带中央部和条带外之有效折射差Δn设置成为1.5×10-2以下。

107. 发明专利

TWI278158B 半導體發光裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI278158B
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094120060
申请日：2005-06-16
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：內田史朗 UCHIDA, SHIRO , 東條剛 TOJO, TSUYOSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
摘要：本發明之目的在於提供一種可改善雷射光束之縱橫比，使其接近圓形之半導體發光裝置及其製造方法，為此而使該半導體發光裝置之構造為：於基板10上疊層有第1導電型之第1覆蓋層11、活性層12、以及一部分成為隆起形狀RD作為電流狹窄構造之第2導電型之第2覆蓋層17，該隆起形狀部分之上述第2覆蓋層包含距離活性層較近側且帶隙較高之第1隆起形狀層15、與距離活性層較遠側且帶隙較低之第2隆起形狀層16。於基板上藉由磊晶生長法，疊層形成第1覆蓋層、活性層以及第2導電型之第2覆蓋層，將第2覆蓋層之一部分加工為隆起形狀，形成第2覆蓋層時以於成為隆起形狀之部分含有第1隆起形狀層與第2隆起形狀層之方式製造。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可改善激光光束之纵横比，使其接近圆形之半导体发光设备及其制造方法，为此而使该半导体发光设备之构造为：于基板10上叠层有第1导电型之第1覆盖层11、活性层12、以及一部分成为隆起形状RD作为电流狭窄构造之第2导电型之第2覆盖层17，该隆起形状部分之上述第2覆盖层包含距离活性层较近侧且带隙较高之第1隆起形状层15、与距离活性层较远侧且带隙较低之第2隆起形状层16。于基板上借由磊晶生长法，叠层形成第1覆盖层、活性层以及第2导电型之第2覆盖层，将第2覆盖层之一部分加工为隆起形状，形成第2覆盖层时以于成为隆起形状之部分含有第1隆起形状层与第2隆起形状层之方式制造。

108. 发明专利

TW200711240A 具有作為抗反射層之空氣薄膜、波束分離器及面鏡的平面波導 PLANAR WAVEGUIDES WITH AIR THIN FILMS USED AS ANTIREFLECTIVE LAYERS, BEAM SPLITTERS AND MIRRORS 审中-公开
简体标题：具有作为抗反射层之空气薄膜、波束分离器及面镜的平面波导 PLANAR WAVEGUIDES WITH AIR THIN FILMS USED AS ANTIREFLECTIVE LAYERS, BEAM SPLITTERS AND MIRRORS
公开(公告)号：TW200711240A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095123854
申请日：2006-06-30
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：麥克多納德馬克 MCDONALD, MARK
IPC分类号： H01S , G02B
CPC分类号： H01S5/0265 , G02B2006/12104 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/0683 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/32333
摘要：本發明係揭露包括一穿過各段的波導之積集結構,其中波導進一步包括一波導中面鏡、一波束分離器或一抗反射元件。波導中面鏡、波束分離器或抗反射元件係利用經過波導之一或多個經聚焦離子波束(FIB)切割或開縫所形成。用於面鏡、波束分離器及抗反射元件之切割或開縫皆具有高的尺寸比。面鏡係包括一個延伸過核心而垂直於核心的一軸線之開縫;波束分離器係包括相對於核心的一軸線以一角度延伸過核心之單一開縫;而抗反射元件係包括延伸過核心而垂直於核心的一軸線之一對隔開的開縫。
简体摘要：本发明系揭露包括一穿过各段的波导之积集结构,其中波导进一步包括一波导中面镜、一波束分离器或一抗反射组件。波导中面镜、波束分离器或抗反射组件系利用经过波导之一或多个经聚焦离子波束(FIB)切割或开缝所形成。用于面镜、波束分离器及抗反射组件之切割或开缝皆具有高的尺寸比。面镜系包括一个延伸过内核而垂直于内核的一轴线之开缝;波束分离器系包括相对于内核的一轴线以一角度延伸过内核之单一开缝;而抗反射组件系包括延伸过内核而垂直于内核的一轴线之一对隔开的开缝。

109. 发明专利

TW200711171A 氮化鎵系半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化镓系半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200711171A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095107612
申请日：2006-03-07
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：菅原秀人 SUGAWARA, HIDETO , 本鄉智惠 HONGO, CHIE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L33/025 , H01L33/305 , H01S5/22 , H01S5/32341
摘要：提供一種氮化鎵系半導體元件,其特徵為具備:摻雜有Mg(鎂)的第1氮化鎵系半導體膜;及第2氮化鎵系半導體膜,其設於上述第1氮化鎵系半導體膜之上,摻雜有Mg;於上述第1氮化鎵系半導體膜之中,Mg濃度分布與氫濃度分布為實質平坦,而且Mg濃度保持為高於氫濃度,於上述第2氮化鎵系半導體膜之中,設有朝向表面減少Mg濃度增大氫濃度的區域,上述區域中之Mg濃度保持為高於氫濃度之同時,保持為高於上述第1氮化鎵系半導體膜中之Mg濃度。
简体摘要：提供一种氮化镓系半导体组件,其特征为具备:掺杂有Mg(镁)的第1氮化镓系半导体膜;及第2氮化镓系半导体膜,其设于上述第1氮化镓系半导体膜之上,掺杂有Mg;于上述第1氮化镓系半导体膜之中,Mg浓度分布与氢浓度分布为实质平坦,而且Mg浓度保持为高于氢浓度,于上述第2氮化镓系半导体膜之中,设有朝向表面减少Mg浓度增大氢浓度的区域,上述区域中之Mg浓度保持为高于氢浓度之同时,保持为高于上述第1氮化镓系半导体膜中之Mg浓度。

110. 发明专利

TW200637093A 半導體雷射元件及其製造方法以及使用該半導體雷射元件之光學拾取裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL PICKUP DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体激光组件及其制造方法以及使用该半导体激光组件之光学十取设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL PICKUP DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200637093A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095100144
申请日：2006-01-03
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：高山徹 TAKAYAMA, TORU
IPC分类号： H01S , G11B
CPC分类号： H01S5/22
摘要：本發明提供一種半導體雷射元件，具有高可靠度及理想的溫度特性且同時為高功率元件。活性層及將該活性層夾置於其間之兩包覆層係形成在基板上。該兩包覆層之一者形成臺地狀隆脊，且該隆脊包括分叉成至少兩分歧部之波導區域。藉此構造，注入至該活性層之後刻面(facet)部分之載子密度降低，藉此便可以增進該半導體雷射之溫度特性。該元件包括一區域，該隆脊底部寬度在橫越該區域上係呈連續變化，且該隆脊底部寬度在接近該刻面處係固定的。
简体摘要：本发明提供一种半导体激光组件，具有高可靠度及理想的温度特性且同时为高功率组件。活性层及将该活性层夹置于其间之两包覆层系形成在基板上。该两包覆层之一者形成台地状隆嵴，且该隆嵴包括分叉成至少两分歧部之波导区域。借此构造，注入至该活性层之后刻面(facet)部分之载子密度降低，借此便可以增进该半导体激光之温度特性。该组件包括一区域，该隆嵴底部宽度在横越该区域上系呈连续变化，且该隆嵴底部宽度在接近该刻面处系固定的。

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