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91. 发明专利

TWI579851B 聯想記憶體有权
简体标题：联想内存
公开(公告)号：TWI579851B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102114394
申请日：2013-04-23
申请人：國立大學法人廣島大學 , HIROSHIMA UNIVERSITY
发明人：漢斯麥塔奇 , HANS JURGEN, MATTAUSCH , 小出哲士 , KOIDE, TETSUSHI , 佐佐木静龍 , SASAKI, SEIRYU , 赤澤智信 , AKAZAWA, TOMONOBU
IPC分类号： G11C15/00 , G11C8/12
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00

92. 发明专利

TW201702880A 多晶片雙重寫入审中-公开
简体标题：多芯片双重写入
公开(公告)号：TW201702880A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW104140593
申请日：2015-12-03
申请人：桑迪士克科技有限責任公司 , SANDISK TECHNOLOGIES LLC
发明人：賽揚阿瑞楊羅西特哈森 , SATHYANARAYAN, ROHIT HASSAN , 山迪普維奈 , SANDEEP, VINAY
IPC分类号： G06F12/06 , G06F11/16 , G06F3/06 , G11C16/10 , G11C8/12 , G11C29/00
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0613 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F11/1666 , G06F11/167 , G06F11/20 , G06F12/0638 , G06F2212/7208 , G11C7/1045 , G11C8/12 , G11C16/10 , G11C29/74 , G11C29/765
摘要：藉由以下方法將相同資料寫入至連接至一記憶體匯流排之多個非揮發性記憶體晶片：將位址資訊發送至一第一非揮發性記憶體晶片及一第二非揮發性記憶體晶片；選擇該第一非揮發性記憶體晶片及該第二非揮發性記憶體晶片；在選擇該第一非揮發性記憶體晶片及該第二非揮發性記憶體晶片兩者時，經由該記憶體匯流排將使用者資料並行發送至該第一非揮發性記憶體晶片及該第二非揮發性記憶體晶片；且並行程式化該第一非揮發性記憶體晶片及該第二非揮發性記憶體晶片中之該使用者資料。
简体摘要：借由以下方法将相同数据写入至连接至一内存总线之多个非挥发性内存芯片：将位址信息发送至一第一非挥发性内存芯片及一第二非挥发性内存芯片；选择该第一非挥发性内存芯片及该第二非挥发性内存芯片；在选择该第一非挥发性内存芯片及该第二非挥发性内存芯片两者时，经由该内存总线将用户数据并行发送至该第一非挥发性内存芯片及该第二非挥发性内存芯片；且并行进程化该第一非挥发性内存芯片及该第二非挥发性内存芯片中之该用户数据。

93. 发明专利

TWI536394B 獨立連結與記憶庫選擇有权
简体标题：独立链接与记忆库选择
公开(公告)号：TWI536394B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103125753
申请日：2007-12-21
申请人：睦塞科技公司 , MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED
发明人：派恩宏賓 , PYEON, HONG BEOM , 歐海金 , OH, HAKJUNE , 金京奇 , KIM, JIN-KI
IPC分类号： G11C8/12 , G11C11/408
CPC分类号： G06F13/4022 , G11C7/1048 , G11C7/18 , G11C11/408

94. 发明专利

TWI534828B 非揮發性記憶體之以單一讀取爲基礎的軟決定解碼失效
简体标题：非挥发性内存之以单一读取为基础的软决定译码
公开(公告)号：TWI534828B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW102127659
申请日：2013-08-01
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：吳玉欣 , WU, YUNXIANG , 陳震剛 , CHEN, ZHENGANG , 陳寧 , CHEN, NING
IPC分类号： G11C8/10 , G11C8/12
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C16/26

95. 发明专利

TWI528357B 數位記憶體以及記憶體電阻狀態之辨別方法有权
简体标题：数码内存以及内存电阻状态之辨别方法
公开(公告)号：TWI528357B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102112630
申请日：2013-04-10
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：池育德 , CHIH, YUE DER , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
IPC分类号： G11C11/16 , G11C7/18 , G11C7/08 , G11C8/12
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/1673

96. 发明专利

TW201612753A 記憶體中輕量一致性审中-公开
简体标题：内存中轻量一致性
公开(公告)号：TW201612753A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104114781
申请日：2015-05-08
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：墨菲理查C , MURPHY, RICHARD C.
IPC分类号： G06F12/02 , G11C5/02 , G11C8/12
CPC分类号： G11C8/12 , G06F9/52 , G06F12/0284 , G06F12/0815 , G06F12/0817 , G06F12/0824 , G06F12/084 , G06F12/1072 , G06F2212/1032 , G06F2212/1048 , G06F2212/251 , G06F2212/3042 , G11C5/02 , G11C5/025
摘要：一種系統包含複數個主機處理器及經組態為用於該等主機處理器之一分散式共用記憶體之複數個混合記憶體立方體(HMC)裝置。一HMC裝置包含：複數個積體電路記憶體晶粒，其包含配置於一第二記憶體晶粒之頂部上之至少一第一記憶體晶粒，且該記憶體晶粒之記憶體之至少一部分經映射以包含一記憶體一致性目錄之至少一部分；及一邏輯基底晶粒，其包含：至少一個記憶體控制器，其經組態以管理至少一個第二裝置對該複數個記憶體晶粒之記憶體之三維(3D)存取；及邏輯電路，其經組態以判定儲存於該複數個記憶體晶粒之該記憶體中之資料之記憶體一致性狀態資訊、傳遞關於對記憶體之該存取之資訊且將該記憶體一致性資訊包含於該所傳遞資訊中。
简体摘要：一种系统包含复数个主机处理器及经组态为用于该等主机处理器之一分佈式共享内存之复数个混合内存立方体(HMC)设备。一HMC设备包含：复数个集成电路内存晶粒，其包含配置于一第二内存晶粒之顶部上之至少一第一内存晶粒，且该内存晶粒之内存之至少一部分经映射以包含一内存一致性目录之至少一部分；及一逻辑基底晶粒，其包含：至少一个内存控制器，其经组态以管理至少一个第二设备对该复数个内存晶粒之内存之三维(3D)存取；及逻辑电路，其经组态以判定存储于该复数个内存晶粒之该内存中之数据之内存一致性状态信息、传递关于对内存之该存取之信息且将该内存一致性信息包含于该所传递信息中。

97. 发明专利

TWI520152B 資料儲存裝置與快閃記憶體控制方法有权
简体标题：数据存储设备与闪存控制方法
公开(公告)号：TWI520152B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102107206
申请日：2013-03-01
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：鄭張鎧 , CHENG, CHANG KAI , 柯冠宇 , KE, KUAN YU
IPC分类号： G11C7/22 , G11C8/12
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F12/0873 , G06F2212/2022 , G06F2212/7203 , G06F2212/7208

98. 发明专利

TWI517180B 使用記憶體編譯器以產生最佳化記憶體物件的方法有权
简体标题：使用内存编译器以产生最优化内存对象的方法
公开(公告)号：TWI517180B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102103732
申请日：2013-01-31
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：連南鈞 , LIEN, NAN CHUN , 林孝平 , LIN, HSIAO PING , 石維強 , SHIH, WEI CHIANG , 林育均 , LIN, YU CHUN , 葉有偉 , YEH, YU WEI
IPC分类号： G11C8/12 , G11C15/00

99. 发明专利

TWI496163B 具有與陣列層級分開的頁面緩衝器層級中之頁面緩衝器的記憶體裝置構造有权
简体标题：具有与数组层级分开的页面缓冲器层级中之页面缓冲器的内存设备构造
公开(公告)号：TWI496163B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW102138666
申请日：2013-10-25
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳士弘 , CHEN, SHIH HUNG
IPC分类号： G11C8/16 , G11C8/12
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C5/063 , G11C7/1006 , G11C11/4097 , G11C16/06 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C2029/0411 , G11C2207/005 , G11C2207/2245 , H01L27/11578

100. 发明专利

TWI494948B 用於非揮發性記憶體的資料寫入方法、控制器與儲存裝置有权
简体标题：用于非挥发性内存的数据写入方法、控制器与存储设备
公开(公告)号：TWI494948B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100103732
申请日：2011-01-31
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳慶聰 , TAN, KHENG-CHONG , 蔡來福 , CHUA, LAI-HOCK
IPC分类号： G11C8/12
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7208

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