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1. 发明专利

TW202030976A 用以支援多種介面標準的放大器之負載電路及驅動電路审中-公开
简体标题：用以支持多种界面标准的放大器之负载电路及驱动电路
公开(公告)号：TW202030976A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108121305
申请日：2019-06-19
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：章晉祥 , CHANG, CHING-HSIANG
IPC分类号： H03F3/45 , H03H11/00
摘要：負載電路包括第一電阻元件、第一電晶體及三態控制電路。該第一電晶體具有第一控制端子、第一連接端子及第二連接端子。該第一連接端子經由該第一電阻元件耦接於第一放大輸出端子與連接節點的其中之一。該第二連接端子耦接於該第一放大輸出端子與該連接節點其中之另一。該三態控制電路具有耦接於該第一控制端子的信號輸出端。當該信號輸出端處於低阻態時，該第一控制端子用以接收從該信號輸出端輸出的第一控制信號。當該信號輸出端處於高阻態時，該第一控制端子用以接收不同於該第一控制信號的第二控制信號。
简体摘要：负载电路包括第一电阻组件、第一晶体管及三态控制电路。该第一晶体管具有第一控制端子、第一连接端子及第二连接端子。该第一连接端子经由该第一电阻组件耦接于第一放大输出端子与连接节点的其中之一。该第二连接端子耦接于该第一放大输出端子与该连接节点其中之另一。该三态控制电路具有耦接于该第一控制端子的信号输出端。当该信号输出端处于低阻态时，该第一控制端子用以接收从该信号输出端输出的第一控制信号。当该信号输出端处于高阻态时，该第一控制端子用以接收不同于该第一控制信号的第二控制信号。

2. 发明专利

TWI592932B 多埠SRAM模組及其控制方法有权
简体标题：多端口SRAM模块及其控制方法
公开(公告)号：TWI592932B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105113355
申请日：2016-04-28
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：朱俐瑋 , CHU, LI-WEI , 連南鈞 , LIEN, NAN-CHUN
IPC分类号： G11C11/418 , G11C11/419
CPC分类号： G11C11/419 , G11C8/16 , G11C11/413 , G11C11/417 , G11C11/418

3. 发明专利

TW201703040A 多埠SRAM模組及其控制方法审中-公开
简体标题：多端口SRAM模块及其控制方法
公开(公告)号：TW201703040A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105113355
申请日：2016-04-28
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：朱俐瑋 , CHU, LI-WEI , 連南鈞 , LIEN, NAN-CHUN
IPC分类号： G11C11/418 , G11C11/419
CPC分类号： G11C11/419 , G11C8/16 , G11C11/413 , G11C11/417 , G11C11/418
摘要：一種多埠SRAM模組，包含：一記憶體單元陣列，包含複數列記憶體單元，每一記憶體單元包含至少一第一控制埠及一第二控制埠；一第一字元線，耦接一目標列的複數個記憶體單元，用來控制該第一控制埠是否開啟；一第二字元線，耦接該目標列的複數個記憶體單元，用來控制該第二控制埠是否開啟；以及一開關元件，耦接該第一字元線及該第二字元線，係依據該第一字元線之電位決定是否將該第二字元線耦接至一參考電位。
简体摘要：一种多端口SRAM模块，包含：一内存单元数组，包含复数列内存单元，每一内存单元包含至少一第一控制端口及一第二控制端口；一第一字符线，耦接一目标列的复数个内存单元，用来控制该第一控制端口是否打开；一第二字符线，耦接该目标列的复数个内存单元，用来控制该第二控制端口是否打开；以及一开关组件，耦接该第一字符线及该第二字符线，系依据该第一字符线之电位决定是否将该第二字符线耦接至一参考电位。

4. 发明专利

TWI557528B 電壓產生電路有权
简体标题：电压产生电路
公开(公告)号：TWI557528B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103134588
申请日：2014-10-03
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：范宏政 , FAN, HUNG-CHENG
IPC分类号： G05F1/10
CPC分类号： G05F1/56

5. 发明专利

TW201616812A 脈波寬度調節裝置审中-公开
简体标题：脉波宽度调节设备
公开(公告)号：TW201616812A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103136020
申请日：2014-10-17
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：連南鈞 , 林政偉 , 鍾兆貴 , 朱俐瑋 , 林育均 , 葉有偉 , 石維強
IPC分类号： H03K7/08
CPC分类号： G11C11/419 , G11C8/16 , G11C11/418
摘要：一種脈波寬度調節裝置與資料讀取裝置，應用於具有複數組字元線之N埠隨機存取記憶體中，其中一組字元線包含有N個埠字元線，而該脈波寬度調節裝置包含有狀態偵測裝置以及時脈信號產生器，狀態偵測裝置電性連接於該N個埠字元線，其因應該N個埠字元線中第一埠字元線上的電壓值與第二埠字元線上的電壓值皆位於第一準位範圍而相對應發出第一控制信號，時脈信號產生器電性連接於該狀態偵測裝置與該組字元線，用以產生送往該組字元線之第一時脈信號，該第一時脈信號位於該第一準位範圍的時間長度係因應該第一控制信號而改變。
简体摘要：一种脉波宽度调节设备与数据读取设备，应用于具有复数组字符线之N端口随机存取内存中，其中一组字符线包含有N个端口字符线，而该脉波宽度调节设备包含有状态侦测设备以及时脉信号产生器，状态侦测设备电性连接于该N个端口字符线，其因应该N个端口字符线中第一端口字符在线的电压值与第二端口字符在线的电压值皆位于第一准位范围而相对应发出第一控制信号，时脉信号产生器电性连接于该状态侦测设备与该组字符线，用以产生送往该组字符线之第一时脉信号，该第一时脉信号位于该第一准位范围的时间长度系因应该第一控制信号而改变。

6. 发明专利

TW201509136A 數位接收器及其方法审中-公开
简体标题：数码接收器及其方法
公开(公告)号：TW201509136A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102129991
申请日：2013-08-22
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃鼎鈞 , HUANG, TING CHUN , 陳冠宇 , CHEN, KUAN YU
IPC分类号： H03K7/08 , H03K21/00 , G06F13/42
摘要：本發明係提供一種可以將脈衝寬度調變訊號(pulse-width modulated signal)解調變或解碼的數位接收器。此接收器係以數位的方式解調變或解碼發送器輸出的脈衝寬度調變訊號，然後獲得脈衝寬度調變訊號所代表的數值(如二進制數值)。本發明之數位接收器至少包括數個延遲元件以及一個取樣電路，這些延遲元件係以串聯的方式耦接在一起，且此取樣電路係耦接這些延遲元件的其中之一。
简体摘要：本发明系提供一种可以将脉冲宽度调制信号(pulse-width modulated signal)解调制或译码的数码接收器。此接收器系以数码的方式解调制或译码发送器输出的脉冲宽度调制信号，然后获得脉冲宽度调制信号所代表的数值(如二进制数值)。本发明之数码接收器至少包括数个延迟组件以及一个采样电路，这些延迟组件系以串联的方式耦接在一起，且此采样电路系耦接这些延迟组件的其中之一。

7. 发明专利

TWI700889B 用以支援多種介面標準的放大器之負載電路及驅動電路有权
简体标题：用以支持多种界面标准的放大器之负载电路及驱动电路
公开(公告)号：TWI700889B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108121305
申请日：2019-06-19
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：章晉祥 , CHANG, CHING-HSIANG
IPC分类号： H03F3/45 , H03H11/00

8. 发明专利

TWI698092B 用於高速序列資料通訊系統的編碼和解碼架構及其相關方法、實體層電路、發射器與接收器及其中的通訊系統有权
简体标题：用于高速串行数据通信系统的编码和译码架构及其相关方法、实体层电路、发射器与接收器及其中的通信系统
公开(公告)号：TWI698092B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW107141765
申请日：2018-11-23
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：呂岳全 , LU, YUEH-CHUAN
IPC分类号： H03M7/28 , H04B1/44

9. 发明专利

TWI679650B 解決應力電壓之記憶體裝置有权
简体标题：解决应力电压之内存设备
公开(公告)号：TWI679650B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107131241
申请日：2018-09-06
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊仕祺 , YANG, SHYH-CHYI , 石維強 , SHIH, WEI-CHIANG
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/24 , G11C11/41

10. 发明专利

TWI670713B 於存取操作中輔助記憶單元的方法、操作記憶單元的方法，以及包含具有預定輔助強度之輔助電路的記憶體元件有权
简体标题：于存取操作中辅助记忆单元的方法、操作记忆单元的方法，以及包含具有预定辅助强度之辅助电路的内存组件
公开(公告)号：TWI670713B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107140244
申请日：2018-11-13
申请人：円星科技股份有限公司 , M31 TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：石維強 , SHIH, WEI-CHIANG , 周志賢 , CHOU, ZHI-XIAN
IPC分类号： G11C11/419

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