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    • 2. 发明专利
    • 用於非揮發性記憶體之混和粒度較高位準冗餘
    • 用于非挥发性内存之混和粒度较高位准冗余
    • TW201413726A
    • 2014-04-01
    • TW102127494
    • 2013-07-31
    • LSI公司LSI CORPORATION
    • 陳震剛CHEN, ZHENGANG吳玉欣WU, YUNXIANG
    • G11C29/38G11C29/44
    • G06F11/1068G06F11/1048G06F11/108G11C29/52
    • 本發明揭示用於非揮發性記憶體(NVM)之混合粒度較高位準冗餘,其提供錯誤校正恢復更好及/或冗餘資訊額外耗用減小之改良之較高位準冗餘操作。例如,可靠性較小(諸如相對更易於出現錯誤)之NVM之頁係以具有相對更多的錯誤保護之較高位準冗餘模式操作,其代價係冗餘資訊相對更多。同時,可靠性更大之NVM之區塊係以具有相對較少的錯誤保護之較高位準冗餘模式操作,其代價係冗餘資訊相對較少。與以具有相對較少的錯誤保護之該等較高位準冗餘模式操作整個NVM之技術相比較,本文中描述之技術提供更好的錯誤恢復。與以具有相對更多的錯誤保護之該等較高位準冗餘模式操作整個NVM之技術相比較,本文中描述之技術提供減小之冗餘資訊額外耗用。
    • 本发明揭示用于非挥发性内存(NVM)之混合粒度较高位准冗余,其提供错误校正恢复更好及/或冗余信息额外耗用减小之改良之较高位准冗余操作。例如,可靠性较小(诸如相对更易于出现错误)之NVM之页系以具有相对更多的错误保护之较高位准冗余模式操作,其代价系冗余信息相对更多。同时,可靠性更大之NVM之区块系以具有相对较少的错误保护之较高位准冗余模式操作,其代价系冗余信息相对较少。与以具有相对较少的错误保护之该等较高位准冗余模式操作整个NVM之技术相比较,本文中描述之技术提供更好的错误恢复。与以具有相对更多的错误保护之该等较高位准冗余模式操作整个NVM之技术相比较,本文中描述之技术提供减小之冗余信息额外耗用。