专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201731596A 清洗半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201731596A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105106141
申请日：2016-03-01
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , HUI WANG , 陳福發 , FU-FA CHEN , 陳福平 , FU-PING CHEN , 王堅 , JIAN WANG , 王希 , XI WANG , 張曉燕 , XIAO-YAN ZHANG , 金一諾 , YI-NUO JIN , 賈照偉 , ZHAO-WEI JIA , 謝良智 , LIANG-ZHI XIE , 王俊 , JUN WANG , 李學軍 , XUE-JUN LI
IPC分类号： B08B3/12
摘要：一種使用超/兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法包括將液體噴射到半導體襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到半導體襯底洗淨。通常，如果f1=f2，那麽P2等於0或遠小於P1；如果P1=P2，那麽f2大於f1；如果f1
简体摘要：一种使用超/兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法包括将液体喷射到半导体衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到半导体衬底洗净。通常，如果f1=f2，那么P2等于0或远小于P1；如果P1=P2，那么f2大于f1；如果f1

2. 发明专利

TW201817503A 襯底清洗方法及清洗裝置审中-公开
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TW201817503A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02
摘要：本發明揭示了一種使用超/兆聲波裝置清洗襯底且不損傷襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡內爆產生微噴射之後且在氣泡內爆產生的微噴射損傷襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到襯底被洗淨。
简体摘要：本发明揭示了一种使用超/兆声波设备清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到衬底被洗净。

3. 发明专利

TW201801210A 清潔半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洁半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201801210A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119588
申请日：2016-06-22
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王俊 , WANG, JUN , 王暉 , WANG, HUI , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 王堅 , WANG, JIAN , 王希 , WANG, XI , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 謝良智 , XIE, LIANG-ZHI , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02
摘要：一種使用超聲波或兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到半導體襯底和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中；設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超聲波或兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超聲波或兆聲波電源的輸出為零；待氣泡內的溫度下降到設定溫度後，再次設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；分別檢測頻率為f1，功率為P1時的通電時間和斷電時間或者檢測超聲波或兆聲波電源每個輸出波形的振幅；將檢測到的通電時間和預設時間T1進行比較，或者將檢測到的斷電時間和預設時間T2進行比較，或者將檢測到的每個波形的振幅和預設值進行比較；如果檢測到的通電時間比預設時間T1長，或者檢測到的斷電時間比預設時間T2短，或者檢測到的任一波形的振幅比預設值大，則關閉超聲波或兆聲波電源並發出報警信號。
简体摘要：一种使用超声波或兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到半导体衬底和超声波或兆声波设备之间的间隙中；设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超声波或兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超声波或兆声波电源的输出为零；待气泡内的温度下降到设置温度后，再次设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1；分别检测频率为f1，功率为P1时的通电时间和断电时间或者检测超声波或兆声波电源每个输出波形的振幅；将检测到的通电时间和默认时间T1进行比较，或者将检测到的断电时间和默认时间T2进行比较，或者将检测到的每个波形的振幅和默认值进行比较；如果检测到的通电时间比默认时间T1长，或者检测到的断电时间比默认时间T2短，或者检测到的任一波形的振幅比默认值大，则关闭超声波或兆声波电源并发出报警信号。

4. 发明专利

TW201624554A 在半導體基底上貼附黏性薄膜的裝置和方法审中-公开
简体标题：在半导体基底上贴附黏性薄膜的设备和方法
公开(公告)号：TW201624554A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103144544
申请日：2014-12-19
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, DAVID , 王希 , WANG, XI , 趙虎 , ZHAO, HU , 王俊 , WANG, JUN
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明公開了一種在半導體基底上貼附黏性薄膜的裝置和方法。在一個實施例中，該裝置包括：支援臂，固持半導體基底；工作臺，載入和定位黏性薄膜，使黏性薄膜位於半導體基底上方；旋轉盤，具有線性軌道，旋轉盤設置在黏性薄膜的上方；線性驅動器，安裝在旋轉盤的線性軌道上且能夠沿著線性軌道移動；氣體噴嘴，向黏性薄膜上提供貼膜氣體以將黏性薄膜壓在半導體基底的待黏貼面上，氣體噴嘴安裝在線性驅動器上且與線性驅動器一起移動；及旋轉驅動器，與旋轉盤連接並驅動旋轉盤在平行於半導體基底的平面內旋轉。
简体摘要：本发明公开了一种在半导体基底上贴附黏性薄膜的设备和方法。在一个实施例中，该设备包括：支持臂，固持半导体基底；工作台，加载和定位黏性薄膜，使黏性薄膜位于半导体基底上方；旋转盘，具有线性轨道，旋转盘设置在黏性薄膜的上方；线性驱动器，安装在旋转盘的线性轨道上且能够沿着线性轨道移动；气体喷嘴，向黏性薄膜上提供贴膜气体以将黏性薄膜压在半导体基底的待黏贴面上，气体喷嘴安装在线性驱动器上且与线性驱动器一起移动；及旋转驱动器，与旋转盘连接并驱动旋转盘在平行于半导体基底的平面内旋转。

5. 发明专利

TWI501307B 脈衝電化學拋光方法及裝置有权
简体标题：脉冲电化学抛光方法及设备
公开(公告)号：TWI501307B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102127457
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王俊 , WANG, JEAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明专利

TW201817502A 清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201817502A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12
摘要：本發明公開了一種使用超/兆聲波裝置有效清洗襯底上的通孔、槽或凹進區域的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值增大到第一設定值後，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值減小到第二設定值後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復以上步驟直到襯底洗淨。
简体摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波设备有效清洗衬底上的通孔、槽或凹进区域的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值增大到第一设置值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值减小到第二设置值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底洗净。

7. 发明专利

TWI604521B 在半導體基底上貼附黏性薄膜的裝置和方法有权
简体标题：在半导体基底上贴附黏性薄膜的设备和方法
公开(公告)号：TWI604521B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103144544
申请日：2014-12-19
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, DAVID , 王希 , WANG, XI , 趙虎 , ZHAO, HU , 王俊 , WANG, JUN
IPC分类号： H01L21/304

8. 发明专利

TW201505086A 脈衝電化學拋光方法及裝置审中-公开
简体标题：脉冲电化学抛光方法及设备
公开(公告)号：TW201505086A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127457
申请日：2013-07-31
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王堅 , WANG, JIAN , 金一諾 , JIN, YINUO , 王俊 , WANG, JEAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明揭示了一種脈衝電化學抛光方法及裝置，以提高電化學抛光精度及抛光均勻性。該方法包括：建立占空比表，占空比表揭示了晶圓上所有點、與各點相對應的金屬層去除厚度值及與金屬層去除厚度值相對應的占空比；驅動夾持有晶圓的晶圓夾盤以預設的速度移動，晶圓上一特定點位於噴嘴的正上方；查占空比表，獲得與該特定點相對應的金屬層去除厚度值及占空比；及提供預設的脈衝電源至晶圓及噴嘴，抛光該特定點的實際抛光電源等於與該特定點相對應的占空比乘以預設的脈衝電源。
简体摘要：本发明揭示了一种脉冲电化学抛光方法及设备，以提高电化学抛光精度及抛光均匀性。该方法包括：创建占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持有晶圆的晶圆夹盘以默认的速度移动，晶圆上一特定点位于喷嘴的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供默认的脉冲电源至晶圆及喷嘴，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以默认的脉冲电源。

9. 发明专利

TWI695743B 清洗襯底的方法和裝置有权
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TWI695743B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12

10. 发明专利

TWI698291B 襯底清洗方法及清洗裝置有权
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TWI698291B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式