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1. 发明授权

KR100623873B1 정밀 모스전류미러 회로 有权
标题翻译：精密MOS电流镜电路
公开(公告)号：KR100623873B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020060028740
申请日：2006-03-30
申请人： 아이케이세미콘주식회사
发明人： 애드워드래빈스키
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 본 발명은 정밀 모스전류미러회로에 관한 것으로,
종래의 기술에서는
부하저항이나 부하전압 차의 변화와 같은 예기치 못한 변화가 발생했을 때, 도2에서 제23 트랜지스터(M23)의 드레인전류인 출력전류(Iout21)은 제24 트랜지스터(M24)의 드레인전류(Iin21)인 입력전류보다 더 커지게 되는 문제점을 포함하고 있다.
이에 본 발명에서는
고 출력저항, 저 포화전압과 적은 소자배치 면적을 갖는 개선된 전류미러회로인 도5에서 2단계 캐스케이드 모스전류미러인 제53, 54 트랜지스터(M53, M54)의 바디바이어스를 다이오드 처리된 제54 트랜지스터(M54)의 소스에 연결하므로써 종래기술의 문제점을 해결하도록 고안된 것이다.
종래의 기술에서
출력전류가 입력전류보다 더 커지게 되는 것은, 도2에서 제23 트랜지스터(M23)의 바디와 소스간의 전위차가 증가하여 제21 트랜지스터(M21)의 채널간 전압이 증가하는 반면에 제24 트랜지스터(M24)의 전위는 영으로 머물러 있기 때문이다.
그런데,
본 발명에서는 도5에서 바디 시리즈 네거티브 피드백으로 인해 제53 트랜지스터(M53)의 드레인전류를 감소하게 하며 제53 트랜지스터(M53)의 드레인전류(Iout51)인 출력전류는 제54 트랜지스터(M54)의 드레인전류(Iin51)인 입력전류와 같아지게 된다.
전류미러회로
摘要翻译：本发明涉及一种精密mos电流镜像电路，

2. 发明授权

KR100452176B1 전류원-숏회로 失效
标题翻译： 전류원 - 숏회로
公开(公告)号：KR100452176B1
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：KR1019970705327
申请日：1996-11-20
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 마틴,브리안,시.
IPC分类号： H03F3/343
CPC分类号： H03F3/345
摘要： A one-shot current circuit generates a current for a desired period during an input signal transition, the desired period during an input signal transition being proportional to the edge rate of the input signal. The circuit includes a MOS transistor device which selectively conducts current between an input terminal and a current generating circuit. The current generating circuit can be a bipolar transistor having its base coupled to the input terminal and a main current path between a circuit output and a supply voltage.
摘要翻译：单触发电流电路在输入信号转换期间产生期望时间段的电流，输入信号转换期间的期望时段与输入信号的边沿速率成比例。该电路包括在输入端子和电流产生电路之间选择性地传导电流的MOS晶体管器件。电流产生电路可以是双极晶体管，其基极耦合到输入端子以及电路输出和电源电压之间的主电流路径。

3. 发明授权

KR100345586B1 종속증폭기 失效
公开(公告)号：KR100345586B1
公开(公告)日：2002-12-05
申请号：KR1019940015961
申请日：1994-07-05
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 폴안쏘니무어 , 안쏘니리차드커딘
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 종속 증폭기(cascaded amplifier)는 도시된 이중 이미터-결합 증폭기와 같은 종속으로 접속된 다수의 증폭단들로 구성된다. 제 1 쌍의 트랜지스터들(14, 20)은 제한 증폭을 제공하고, 축퇴(22, 24)를 가진 제 2 쌍의 트랜지스터들(16, 18)은 선형 증폭을 제공한다. 트랜지스터들의 각 쌍은 절대 온도(PTAT)에 비례하는 전류(IT, IT2)를 공급하는 전류원(28, 26)에 의해 구동된다. 그 후, 소신호 증폭은 실질적으로 온도에 무관하며 제한된 출력의 값은 절대 온도에 비례한다. 후자의 효과는 종속 증폭기의 최종 이중 이득단의 트랜스리니어(translinear) 가변 전류 이득 증폭기(54, 56, 58, 60)를 포함함으로써 반대로 되어, 절대 온도에 반비례하는 방식으로 출력 전압을 변화시키게 된다. 따라서, 온도와 실질적으로 무관한 전달 함수가 제공될 수 있다.

4. 发明授权

KR100346989B1 차동전압을 전평형전류로 변환하는 장치 및 방법 失效
标题翻译：将差分电压转换为完全平衡电流的装置和方法
公开(公告)号：KR100346989B1
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：KR1019990049968
申请日：1999-11-11
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 지스라후차널 , 이시이히로토모 , 오다가즈히로
IPC分类号： H03F3/343 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/45206 , H03F3/45278 , H03F3/4565 , H03F3/45654 , H03F3/45659 , H03F3/45672 , H03F3/45726 , H03F2203/45394 , H03F2203/45402 , H03F2203/45418 , H03F2203/45424 , H03F2203/45711
摘要： 본발명의차동입력전압을 2개의전평형출력전류로변환하는장치는, 연산상호컨덕턴스증폭기(OTA)에간단화된회로구성의공통모드제어회로를제공함으로써달성된다. 본장치는, 상기차동입력전압의두 입력전압을한쌍의중간출력전류로변환하기위한 OTA 입력부와상기중간출력전류를출력전류로변환하기위한 OTA 출력부로구성된연산상호컨덕턴스증폭기(OTA)와, 이 OTA에제어전압을공급하기위한공통모드제어회로를포함하고있다. 공통모드제어회로는상기 OTA 출력부와거의동일한회로구성으로구성되어상기 OTA 입력부로부터의중간출력전류에기초하여 2개의출력제어전류를발생시킨다. 상기 OTA 출력부로부터의출력전류를전평형상태로제어하기위해, 상기공통모드제어회로로부터의두 출력제어전류는가산되어거의제로로되도록유지된다.

5. 发明授权

KR100292246B1 전류거울회로를이용한감지소자의신호취득회로 失效
标题翻译：传感元件的信号采集电路采用电流镜像电路
公开(公告)号：KR100292246B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤난영 , 김병혁 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H03F3/343
摘要： PURPOSE: A readout circuit of a detecting device using current mirror circuit is provided to constantly maintain bias voltage of the detecting device by adapting a unit cell circuit using current mirror circuit to the readout circuit of detecting device. CONSTITUTION: A readout circuit of a detecting device uses a current mirror circuit. The current mirror circuit consists of two NMOSFETs and two PMOSFETs. The PMOSFETs include a first PMOSFET(Mp1) for providing reference current and a second PMOSFET(Mp2) for providing same current as the fist PMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first one are respectively connected with a gate terminal and a source terminal of the second one. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. The NMOSFETs include a first NMOSFET(Mn1) for providing reference current and a second NMOSFET(Mn2) for providing same current as the fist NMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first NMOSFET are respectively connected with a gate terminal of the second one and negative terminal of photo-voltage type detecting device. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. To the source terminal of the second one is applied same voltage as bias voltage to be applied to the detecting device. The drain terminals of the first/second NMOSFETs are respectively connected with respective drain terminal of the second/first PMOSFETs. A capacitor is connected with the source terminals of the PMOSFETs.

6. 发明公开

KR1020010016279A A급 바이폴라 전류 콘베이어 失效
标题翻译：一类双极电流输送机
公开(公告)号：KR1020010016279A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1020000071765
申请日：2000-11-29
申请人： 차형우
发明人： 차형우
IPC分类号： H03F3/343
摘要： PURPOSE: A class A bipolar current conveyer is provided to decrease the impedance of a current input and enhance a voltage/current follower performance by using a controlled current cell and adaptive current feedback. CONSTITUTION: A class a bipolar current conveyer comprises a circuit in which emitter followers using a NPN transistor and a PNP transistor are respectively serially connected in symmetrically and another circuit for a current mirror. The circuit is operated as a current cell, a current mirror circuit and a voltage follower. Bias current of the emitter follower using the NPN and PNP transistors is always equal to the total input current for supplying input terminals by the another circuit. The current conveyer has a cascade structure for increasing the internal resistance of a bias current source of a NPN emitter follower and the output impedance of a current output terminal(Z).
摘要翻译：目的：提供A类双极电流输送器，以减少电流输入的阻抗，并通过使用受控电流单元和自适应电流反馈来提高电压/电流跟随器的性能。构成：双极电流输送机类包括一个电路，其中使用NPN晶体管和PNP晶体管的发射极跟随器分别串联连接在对称上，另一个电路用于电流镜。电路作为电流单元，电流镜电路和电压跟随器工作。使用NPN和PNP晶体管的射极跟随器的偏置电流总是等于另一个电路为输入端子供电的总输入电流。电流输送机具有用于增加NPN射极跟随器的偏置电流源的内部电阻和电流输出端子（Z）的输出阻抗的级联结构。

7. 发明公开

KR1020000052589A 연산 증폭기 失效
标题翻译：操作放大器
公开(公告)号：KR1020000052589A
公开(公告)日：2000-08-25
申请号：KR1019990063163
申请日：1999-12-28
申请人： 닛본 덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 가또후미히꼬
IPC分类号： H03F3/343
CPC分类号： H03F3/345 , H03F3/3023 , H03F3/4521 , H03F2203/45674
摘要： PURPOSE: An operational amplifier is provided to minimize overshoot or undershoot and to perform stable operation. CONSTITUTION: An operational amplifier comprises an input block(K1), a driving block(K2) and an output block(K3). The input block consists of P-channel FETs(M51, M52), N-channel FETs(M55, M56), a P-channel FET(M91) for a constant current source, an N-channel FET(M92) for a constant current source, N-channel FETs(M53, M59), N-channel FETs(M54, M60) and P-channel FETs(M57, M58). The input block has a wide input range by connecting the pair of differential transistors(M51, M52) and the pair of differential transistors(M55, M56) to each other in parallel. The driving block consists of P-channel FETs(M61, M62, M63, M64), and N-channel FETs(M67, M68, M69) for the constant current source. The output block consists of a P-channel FET(M65), an N-channel FET(M66) and an N-channel FET(M70) for the constant current source. The output block performs push-pull operation in response to a plurality of specific signals generated on the basis of an input signal. The output block has the transistors(M65, M66) for generating an output signal as a result of the push-pull operation. The plurality of specific signals have the same delay time before entering the transistors(M65, M66).
摘要翻译：目的：提供运算放大器以最小化过冲或下冲并执行稳定运行。构成：运算放大器包括输入块（K1），驱动块（K2）和输出块（K3）。输入块由P沟道FET（M51，M52），N沟道FET（M55，M56），用于恒流源的P沟道FET（M91），用于恒定电流源的N沟道FET（M92）电流源，N沟道FET（M53，M59），N沟道FET（M54，M60）和P沟道FET（M57，M58）。通过将一对差分晶体管（M51，M52）和一对差分晶体管（M55，M56）并联连接，输入块具有宽的输入范围。驱动块由用于恒流源的P沟道FET（M61，M62，M63，M64）和N沟道FET（M67，M68，M69）组成。输出模块由用于恒流源的P沟道FET（M65），N沟道FET（M66）和N沟道FET（M70）组成。响应于基于输入信号产生的多个特定信号，输出块执行推挽操作。输出块具有作为推挽操作的结果产生输出信号的晶体管（M65，M66）。多个特定信号在进入晶体管（M65，M66）之前具有相同的延迟时间。

8. 发明公开

KR1019990070997A 전류거울회로를이용한감지소자의신호취득회로 失效
公开(公告)号：KR1019990070997A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤난영 , 김병혁 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다.
본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의 회로를 얻을 수 있다.

9. 发明授权

KR100165889B1 전류차를 형성하기 위한 회로 失效
标题翻译：电流差动电路
公开(公告)号：KR100165889B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019900003298
申请日：1990-03-13
申请人： 콘티 테믹 마이크로일렉트로닉 게엠베하 , 테믹테레풍켄마이크로엘렉트로닉스게엠베하
发明人： 지글레미르틴
IPC分类号： G06G7/14 , H03D1/18 , H03F3/343
CPC分类号： G06G7/14 , G05F3/265 , H03F3/45071
摘要： 내용없음.

10. 发明公开

KR1019980070085A 안정화전류미러회로 有权
公开(公告)号：KR1019980070085A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970059382
申请日：1997-11-12
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 유아사타찌오
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 본 발명은 제조 프로세스의 산포 등이 있어도 입출력 특성을 보다 일정하게 하는 안정화 전류 미러 회로에 관한 것이다. 본 발명의 구성은, 입력측 nMOS 트랜지스터(11)와 출력측 nMOS 트랜지스터(12)를 구비한 전류 미러 회로(10)와, 출력측 nMOS 트랜지스터(12)의 출력 전위(V2)의 소정치로부터의 상승에 대해서 출력 전류(I3)가 소정치로부터 감소하는 오차 증폭 회로(30)와, 이 전류(I3)가 흐르는 입력측 pMOS 트랜지스터(22)와 출력측 nMOS 트랜지스터(12)에 직렬 접속된 출력측 pMOS 트랜지스터(21)를 구비한 전류 미러 회로(20)와, 출력측 pMOS 트랜지스터(21)와 출력측 nMOS 트랜지스터(12) 사이에 접속된 nMOS 트랜지스터(42)를 구비한다. 입력단에 접속된 nMOS 트랜지스터(41)는, nMOS 트랜지스터(42)가 노레타로서 기능하기 위한 바이어스 전압을 nMOS 트랜지스터(42)의 게이트로 인가한다.

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