专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100253660B1 이색 적외선 검출소자의 구조 및 제조방법 有权
标题翻译：两种颜色红外线检测装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100253660B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤재룡 , 김재묵 , 박승만 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
CPC分类号： H01L31/02966 , H01L31/11
摘要： PURPOSE: A structure of a two color infrared detector and a manufacturing method thereof are to change x value of Hg(1-x)Cd(x)Te layer consisting of a long wavelength(LW) photodiode and a middle wavelength(MW) photodiode, thereby constituting a device for detecting short wavelength infrared(SWIR) and middle wavelength infrared(MWIR) simultaneously. CONSTITUTION: The two color infrared detector comprises a semiconductor substrate, an N-HgCdTe layer(13), a p-HgCdTe layer(23) and an n-HgCdTe layer(33). The N-HgCdTe layer is formed on the semiconductor substrate and has a large energy band gap. The p-HgCdTe layer is formed on the N-HgCdTe layer and has a small energy band gap. Another n-HgCdTe layer is formed on the p-HgCdTe layer and is of small energy band gap. The semiconductor substrate comprise a CdZnTe layer. The N-HgCdTe layer is formed of N-Hg0.692Cd0.308Te layer or N-Hg0.636Cd0.364Te layer. The p-HgCdTe layer is formed of p-Hg0.78Cd0.22Te layer or p-Hg0.692Cd0.308Te layer.
摘要翻译：目的：双色红外检测器的结构及其制造方法是改变由长波长（LW）光电二极管和中波长（MW）光电二极管组成的Hg（1-x）Cd（x）Te层的x值从而构成同时检测短波长红外（SWIR）和中波长红外（MWIR）的装置。构成：双色红外检测器包括半导体衬底，N-HgCdTe层（13），p-HgCdTe层（23）和n-HgCdTe层（33）。 N-HgCdTe层形成在半导体衬底上并且具有大的能带隙。 p-HgCdTe层形成在N-HgCdTe层上，具有小的能带隙。在p-HgCdTe层上形成另一个n-HgCdTe层，其能带隙较小。半导体衬底包括CdZnTe层。 N-HgCdTe层由N-Hg0.692Cd0.308Te层或N-Hg0.636Cd0.364Te层形成。 p-HgCdTe层由p-Hg0.78Cd0.22Te层或p-Hg0.692Cd0.308Te层形成。

2. 发明授权

KR100914653B1 수소 분리막과 이의 제조방법 有权
标题翻译：氢分离器及其制造方法
公开(公告)号：KR100914653B1
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020070089177
申请日：2007-09-03
申请人： 국방과학연구소
发明人： 권세진 , 김충기 , 박대은 , 양준서
IPC分类号： B01D69/00
摘要： 본 발명은 수소 분리막과 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는, 연료전지의 연료로 사용되는 수소의 선택적 분리를 위한 마이크로 사이즈 분리막과 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 수소 분리막은, 제1층과; 제1층의 일면에 위치하며, 제1층을 노출시키는 복수의 노출공이 형성되어 있는 보강층과; 제1층의 타면에 위치하며, 제1층의 가장자리를 따라 형성되어 있는 지지층을 포함하며, 제1층과 보강층은 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따르는 수소 분리막의 제조방법은, 지지층을 마련하는 단계와; 지지층의 일면에 제1층을 형성하는 단계와; 제1층 상에 감광막을 형성하는 단계와; 감광막을 노광 및 현상하여 상기 제1층을 노출시키는 개구부와 제1층을 덮고 있는 차단부로 이루어진 패턴을 형성하는 단계와; 개구부에 제1층과 동일한 재질을 채운 후 차단부를 제거하여 보강층을 형성하는 단계; 및 지지층의 타면을 식각하여 제1층의 중앙부를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 기계적 강도와 내구성이 뛰어나고 수소의 분리 성능도 우수할 뿐만 아니라, 제조하기 용이한 수소 분리막과 이의 제조방법이 제공된다.

3. 发明公开

KR1020090024005A 수소 분리막과 이의 제조방법 有权
标题翻译：氢分离器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090024005A
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020070089177
申请日：2007-09-03
申请人： 국방과학연구소
发明人： 권세진 , 김충기 , 박대은 , 양준서
IPC分类号： B01D69/00
摘要： A hydrogen separating membrane and a manufacturing method thereof are provided to improve mechanical strength and durability of the hydrogen separating membrane. A hydrogen separating membrane includes a first layer(20), a reinforcement layer(30) in which a plurality of nozzle holes(32) formed, and a support layer formed according to an edge of the first layer. The first layer and the reinforcement layer are made of the same material, palladium. The first layer and the second layer are manufactured by a sputtering method or an evaporation method. The reinforcement layer is manufactured by an electroplating method.
摘要翻译：提供氢分离膜及其制造方法以提高氢分离膜的机械强度和耐久性。氢分离膜包括第一层（20），形成有多个喷嘴孔（32）的加强层（30）和根据第一层的边缘形成的支撑层。第一层和加强层由相同的材料制成。第一层和第二层通过溅射法或蒸发法制造。加强层通过电镀法制造。

4. 发明授权

KR100292246B1 전류거울회로를이용한감지소자의신호취득회로 失效
标题翻译：传感元件的信号采集电路采用电流镜像电路
公开(公告)号：KR100292246B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤난영 , 김병혁 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H03F3/343
摘要： PURPOSE: A readout circuit of a detecting device using current mirror circuit is provided to constantly maintain bias voltage of the detecting device by adapting a unit cell circuit using current mirror circuit to the readout circuit of detecting device. CONSTITUTION: A readout circuit of a detecting device uses a current mirror circuit. The current mirror circuit consists of two NMOSFETs and two PMOSFETs. The PMOSFETs include a first PMOSFET(Mp1) for providing reference current and a second PMOSFET(Mp2) for providing same current as the fist PMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first one are respectively connected with a gate terminal and a source terminal of the second one. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. The NMOSFETs include a first NMOSFET(Mn1) for providing reference current and a second NMOSFET(Mn2) for providing same current as the fist NMOSFET. A gate terminal and a source terminal of the first NMOSFET are respectively connected with a gate terminal of the second one and negative terminal of photo-voltage type detecting device. In the second one, a drain terminal is connected with the gate terminal. To the source terminal of the second one is applied same voltage as bias voltage to be applied to the detecting device. The drain terminals of the first/second NMOSFETs are respectively connected with respective drain terminal of the second/first PMOSFETs. A capacitor is connected with the source terminals of the PMOSFETs.

5. 发明公开

KR1019990070997A 전류거울회로를이용한감지소자의신호취득회로 失效
公开(公告)号：KR1019990070997A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019980006192
申请日：1998-02-26
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤난영 , 김병혁 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 전류거울(current mirror)회로를 이용하는, 성능이 우수한 적외선 감지 소자의 신호취득(readout)회로를 제공한다.
본 발명에 의한 신호취득회로는 작은 면적만을 필요로 함으로써 감지소자의 고집적화를 가능하게 하며, 입력 임피던스가 작아서 높은 주입효율(high injection efficiency)을 얻을 수 있으며, 전력소모가 작고 높은 전하용량을 가진다는 장점이 있다. 또한 전류거울 회로를 사용함으로써 적외선 감지소자의 동작 바이어스 전압(bias voltage)을 안정화시킬 수 있으며, 이로 인하여 저잡음 특성의 회로를 얻을 수 있다.

6. 发明公开

KR1019990025657A 이색 적외선 검출소자의 구조 및 제조방법 有权
标题翻译：双色红外探测器的结构和制造方法
公开(公告)号：KR1019990025657A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
申请人： 국방과학연구소
发明人： 윤재룡 , 김재묵 , 박승만 , 이희철 , 김충기
IPC分类号： H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
摘要： 본 발명은 p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdZnTe의 이종접합을 이용한 독립적이면서 동시에 동작하는 이색 적외선 검출기(two color infrared detector)의 구조 및 제조방법 관한 것이다. 본 발명의 이색 적외선 검출기의 구조는 에너지 밴드갭이 다른 2층의 HgCdTe박막을 순차적으로 성장시킨 재료에 n-형 불순물 이온을 주입함으로써 형성한 npN 구조로 되어 있다.
즉, CdZnTe기판(1)위에 N-HgCdTe(13)/p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)층을 형성하여, 장파장 적외선(LWIR; Long Wave Length Infrared)이 입사하면 p-HgCdTe(23)층에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)로 구성되는 LW 포토다이오드(D1)로부터 광전류가 검출되고, 중파장의 적외선(MWIR; Middle Wave Length Infrared)이 입사하면 N-HgCdTe층(13)에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13)으로 구성되는 MW 포토다이오드(D2)로부터 광전류가 검출되며, p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13) 이종접합의 전도대에 생기는 전위장벽은 p-HgCdTe(23)에서 생성된 전자가 N-HgCdTe(13)층으로 넘어가는 것을 막아줌으로서 MWIR과 LWIR을 동시에 독립적으로 감지할 수 있다. 본발명의 상기 LW 포토다이오드(D1)와 MW 포토다이오드(D2)를 구성하고 있는 각각의 Hg
(1-x) Cd
(x) Te층의 x값을 변화시킴으로써 단파장 적외선(Short Wave Length Infrared; SWIR)과 MWIR을 동시에 검출하는 소자를 용이하게 구성할 수 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式