专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160088625A 전력 검출 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于功率检测的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160088625A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150007928
申请日：2015-01-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최재원 , 명성식 , 이종수 , 권대현 , 꽝디엡부이 , 이재훈 , 오동진
IPC分类号： G01R11/32
CPC分类号： H03G3/3042 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/451 , H03F2200/465 , H03F2203/45394 , H03F2203/45522 , H03F2203/45526 , G01R11/32
摘要： 본발명의다양한실시예는전력검출을위한통신장치및 방법에관한것으로, RF(Radio Frequency) 통신장치는, 다수의송신출력전력범위중 하나를지시하는세그먼트값을수신하는제1 수신부, 상기세그먼트값에대응하는출력전력범위에서, RF 송신신호의크기를검출하는전력검출기및 상기검출된 RF 송신신호의크기를송신하는제1 송신부를포함하며, 상기전력검출기는, 상기 RF 송신신호를피드백받는피드백부상기 RF 송신신호의평균제곱근(root mean square)을생성하는 RF 코어부및 상기 RF 송신신호의평균제곱근에대응하는전류신호를전압신호로변환하고, 상기변환된전압신호를차등신호(differential signal)에서단일신호(single signal)로변환하는변환기를포함할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的各种实施例，用于检测功率的通信装置和方法包括：第一接收单元，接收指示多个发射输出功率范围中的一个的段值; 功率检测器，检测与所述分段值对应的输出功率范围内的RF发射信号的大小; 以及发送检测到的RF发射信号的大小的第一发送单元。功率检测器包括：接收RF发射信号反馈的反馈单元; 产生RF发射信号的均方根的RF核心单元; 以及转换器，将与所生成的RF发射信号的均方根相对应的电流信号转换为电压信号，并将转换的电压信号从差分信号转换为单个信号。

2. 发明授权

KR101089876B1 차동 전력 증폭기용 적응형 바이어스 회로 및 이를 포함하는 전력 증폭 시스템 有权
标题翻译：用于差分功率放大器的自适应偏置电路
公开(公告)号：KR101089876B1
公开(公告)日：2011-12-05
申请号：KR1020090123319
申请日：2009-12-11
申请人： 삼성전기주식회사 , 조지아 테크 리서치 코오포레이션
发明人： 이동호 , 안규환 , 한정후 , 이창호 , 라스카조이
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F2203/45394 , H03F2203/45541
摘要： 차동 증폭기, 저역 통과 필터 및 공통 소스 증폭기 또는 공통 에미터 증폭기를 포함하는 적응형 바이어스 회로가 개시된다. 상기 적응형 바이어스 회로는 입력 신호의 전력 레벨에 기초하여 결정되는 적응형 바이어스 신호를 생성할 수 있다. 입력 전력 레벨이 증가함에 따라, 적응형 바이어스 회로는 적응형 바이어스 출력 신호의 바이어스 전압 또는 바이어스 전류를 증가한다. 전력 증폭기(예를 들어, 차동 증폭기)는 낮은 전력 동작 레벨에서 전류 소모를 감소시킬 수 있도록 적응형 바이어스 출력 신호에 따라 바이어스될 수 있다.
적응형 바이어스, 차동 증폭기, 전력 증폭기, 전류 미러, 필터, 공통 소스, 공통 에미터

3. 发明授权

KR101027273B1 다중―대역 저 잡음 증폭기 및 이것을 동작시키는 방법 有权
标题翻译：多声道低噪声放大器系统
公开(公告)号：KR101027273B1
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：KR1020067024130
申请日：2005-04-15
申请人： 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 헝,치-밍 , 라이폴트,디르크 , 호,요-철
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/26 , H03F3/191
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/223 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/492 , H03F2203/45394 , H03F2203/7209
摘要： 저 잡음 증폭기(low noise amplifier:LNA)(400)는 공지된 LNA 구현보다 실리콘 영역을 덜 차지하면서 다수의 주파수에 걸쳐 동작한다. LNA는 동조가능한 캐패시터 뱅크와 함께 조정가능한 인덕터에 의해 동조될 수 있는 출력 매칭을 포함한다. 출력 매칭은 조정가능한 인덕터(402)와 함께 동조가능한 캐패시터 뱅크에 의해 달성된다.
동조가능한 캐패시터 뱅크, 출력 매칭, 조정가능한 인덕터

4. 发明公开

KR1020050066466A ＤＣ 옵셋성분이 제거되고 비대칭성이 개선된 트랜스컨덕터 失效
标题翻译：具有直流偏移消除和低失真功能的运行型交叉放大器
公开(公告)号：KR1020050066466A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097756
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김영호 , 박문양
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F3/45659 , H03F3/45717 , H03F2203/45356 , H03F2203/45394 , H03F2203/45574
摘要： 본 발명은 신호의 DC옵셋성분이 제거되고 비대칭성이 개선되는 트랜스컨덕터에 관한 것이다. 간단한 회로구성의 증폭기들과 공통모드제어 DC옵셋제거회로에 의해서 상기 목적은 달성된다. 본 발명의 트랜스컨덕터는, 이전단에서 발생된 DC옵셋신호나 설계회로의 비대칭성으로 인한 신호의 비대칭으로 때문에 입출력노드에 걸리는 DC전압이 안정화되지 않고 과포화상태를 만들기 때문에 신호왜곡을 초래하거나 회로 오동작을 유발하게 된다. 이를 방지하기 위하여 본 DC옵셋 영향이 작은 트랜스컨덕터는 입출력 전압을 입력받아 전류공급과 출력DC값을 일정한 값으로 안정화하는 공통모드제어 DC옵셋제거회로부 트랜스컨덕터 회로내 비대칭성을 줄이고 출력저항 증가를 목적으로 하는 제1증폭부, 제2증폭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

5. 发明授权

KR100423494B1 교차쌍 구조의 트랜스 컨덕터 有权
标题翻译： 교차쌍구조의트랜스컨덕터
公开(公告)号：KR100423494B1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：KR1020020012222
申请日：2002-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정원 , 조계옥 , 이정은
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45807 , H02M7/217 , H03F1/223 , H03F3/45286 , H03F2203/45394
摘要： A transconductor for generating a current corresponding to an input voltage. The transconductor has a crossing pairs structure. The transconductor comprises a first and a second MOS(Metal-Oxide Semiconductor) transistors mutually connected in series to a voltage source. A first bipolar transistor is connected to a current source. A collector terminal of the first bipolar terminal is connected to an output current terminal. An emitter terminal of the first bipolar terminal is connected to a gate terminal of the second MOS transistor. A second bipolar transistor is connected in series to the first bipolar transistor. A base terminal of the second bipolar transistor is connected to a node between the first MOS transistor and the second MOS transistor. A third MOS transistor is provided. A gate terminal of the third MOS transistor is connected to an input terminal for a signal from outside. A drain terminal of the third MOS transistor is connected to an emitter terminal of the second bipolar transistor.
摘要翻译：用于产生对应于输入电压的电流的跨导器。跨导体具有交叉对结构。跨导器包括相互串联连接到电压源的第一和第二MOS（金属氧化物半导体）晶体管。第一个双极晶体管连接到电流源。第一双极端子的集电极端子连接到输出电流端子。第一双极端子的发射极端子连接到第二MOS晶体管的栅极端子。第二双极晶体管串联连接到第一双极晶体管。第二双极晶体管的基极端子连接到第一MOS晶体管和第二MOS晶体管之间的节点。提供第三MOS晶体管。第三MOS晶体管的栅极端子连接到用于来自外部的信号的输入端子。第三MOS晶体管的漏极端连接到第二双极晶体管的发射极端。

6. 发明公开

KR1020020025701A 증폭회로 失效
标题翻译：放大器电路
公开(公告)号：KR1020020025701A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020010057535
申请日：2001-09-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우메다도시유키 , 오타카쇼지
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45089 , H03D7/1433 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/191 , H03F2203/45394 , H03F2203/45544 , H03F2203/45702 , H03F2203/45704 , H03F2203/45706
摘要： PURPOSE: The amplifier circuit is provided, in which a tertiary intermodulation distortion is controlled without a need to reduce output power. CONSTITUTION: The amplifier circuit comprises a differential amplifier(102), a common emitter amplifier(101), input and output terminals(Vin,Vout), and a bias controller(201). The differential amplifier(102) includes a pair of transistors. The common emitter amplifier(101) is connected in parallel to the differential amplifier(102) and configured by a pair of common-emitter configuration transistors. The input and output terminals(Vin,Vout) are common to the differential amplifier and the common emitter amplifier. The bias controller(201) is connected to the differential amplifier and the common emitter amplifier and configured to control a bias of at least one of the differential amplifier and the common emitter amplifier.
摘要翻译：目的：提供放大器电路，其中控制三次互调失真，而不需要降低输出功率。构成：放大器电路包括差分放大器（102），公共发射极放大器（101），输入和输出端子（Vin，Vout）和偏置控制器（201）。差分放大器（102）包括一对晶体管。公共发射极放大器（101）并联连接到差分放大器（102）并由一对共发射极配置晶体管构成。输入和输出端子（Vin，Vout）是差分放大器和公共发射极放大器公共的。偏置控制器（201）连接到差分放大器和公共发射极放大器，并被配置为控制差分放大器和公共发射极放大器中的至少一个的偏置。

7. 发明授权

KR101873754B1 고주파 수신기 有权
公开(公告)号：KR101873754B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020110124217
申请日：2011-11-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 현석봉 , 박봉혁 , 최윤호 , 정재호
IPC分类号： H04B1/10 , H04B7/04
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2203/45302 , H03F2203/45394 , H03F2203/7236
摘要： 본발명의고주파수신기는 SAW 필터없이대역외방해신호및 간섭신호를제거한다. 고주파수신기는안테나를통해수신된신호를증폭하는저잡음증폭기, 상기저잡음증폭기로부터출력되는신호에포함된대역외방해신호또는간섭신호에의한 2차혼변조를제거하는 2차혼변조제거부, 상기 2차혼변조제거부로부터출력되는신호의주파수를변환하는수동형믹서부, 및상기수동형믹서부로부터출력되는신호에포함된대역외방해신호또는간섭신호를제거하여트랜스임피던스증폭기로전달하는저역통과필터부를포함한다.

8. 发明公开

KR1020170091753A 라디오 주파수 시스템 스위칭 전력 증폭기 시스템들 및 방법들 审中-实审
标题翻译：射频系统开关功率放大器系统和方法
公开(公告)号：KR1020170091753A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020177020785
申请日：2016-02-24
申请人： 애플 인크.
发明人： 아다비,에산 , 정,알버트씨.
IPC分类号： H03F3/217 , H03F1/02 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F3/45 , H04B1/04
CPC分类号： H03F3/217 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/2173 , H03F3/2178 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/451 , H03F2203/45352 , H03F2203/45366 , H03F2203/45394 , H03F2203/45562 , H03F2203/45631 , H03F2203/45638 , H04B1/04 , H04B2001/0408
摘要： 라디오주파수시스템의동작을개선하기위한시스템들및 방법이제공된다. 일실시예는제1 입력아날로그전기신호및 엔벨로프전압공급레일의전압에기초하여증폭된아날로그전기신호를출력하는제1 스위칭전력증폭기를포함하는라디오주파수시스템을설명한다. 제1 스위칭전력증폭기는, 제1 입력아날로그전기신호를수신하는게이트, 엔벨로프전압공급레일에전기적으로커플링되는소스및 제1 스위칭전력증폭기의출력에전기적으로커플링되는드레인을갖는제1 트랜지스터; 제1 입력아날로그전기신호를수신하는게이트, 접지에전기적으로커플링되는소스및 제1 스위칭전력증폭기의출력에전기적으로커플링되는드레인을갖는제2 트랜지스터; 및제1 입력아날로그전기신호를수신하는게이트, 엔벨로프전압공급레일에전기적으로커플링되는드레인및 제2 스위칭전력증폭기의출력에전기적으로커플링되는소스를갖는제3 트랜지스터를포함한다.
摘要翻译：提供了用于改进射频系统的操作的系统和方法。一个实施例描述了一种射频系统，其包括基于第一输入模拟电信号的电压和包络电压供应轨道输出放大的模拟电信号的第一开关功率放大器。所述第一开关功率放大器包括：第一晶体管，具有接收第一输入模拟电信号的栅极，电耦合到所述包络电压供应轨的源极以及电耦合到所述第一开关功率放大器的输出的漏极; 第二晶体管，具有接收第一输入模拟电信号的栅极，电耦合到地的源极和电耦合到所述第一开关功率放大器的输出的漏极; 以及第三晶体管，具有接收第一输入模拟电信号的栅极，电耦合到包络电压电源轨的漏极以及电耦合到第二开关功率放大器的输出的源极。

9. 发明公开

KR1020150139553A 부스팅되거나 디부스팅된 소스 디제너레이션 인덕턴스를 갖는 증폭기들 有权
标题翻译：具有升压或去离子源变差电感的放大器
公开(公告)号：KR1020150139553A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020157031061
申请日：2014-04-01
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 수,루이 , 창,리-청
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/34 , H03F3/193 , H03F3/24 , H03F3/45 , H03F3/68 , H03F3/72
CPC分类号： H03F1/342 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/121 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F2203/45302 , H03F2203/45318 , H03F2203/45332 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45534 , H03F2203/7209
摘要： 부스팅되거나디부스팅된소스디제너레이션인덕턴스를갖는증폭기들이개시된다. 예시적인설계에서, 장치는증폭기회로및 피드백회로를포함한다. 증폭기회로는입력신호를수신하고출력신호를제공하며소스디제너레이션인덕터를포함한다. 피드백회로는증폭기회로의노드와소스디제너레이션인덕터간에커플링된다. 피드백회로는증폭기회로및 피드백회로를포함하는증폭기의입력임피던스를변동시키기위한피드백을제공한다. 피드백회로는프로그래밍가능할수 있고, 피드백을제공하도록인에이블되거나피드백을제공하지않도록디스에이블될수 있다. 대안적으로, 피드백회로는피드백을제공하도록항상인에이블될수 있다. 어느경우든, 피드백회로는증폭기에대한가변입력임피던스를제공하도록가변이득을가질수 있다.

10. 发明授权

KR101124116B1 증폭기용 적응형 바이어스 전류 회로 및 방법 有权
标题翻译：自适应偏置电流电路和放大器的方法
公开(公告)号：KR101124116B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020067016294
申请日：2005-02-14
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 릉빈센트더블유 , 구뎀프라사드에스 , 라센로렌스이
IPC分类号： H03F3/04
CPC分类号： H03F1/0266 , H03F1/22 , H03F3/19 , H03F3/4508 , H03F2200/18 , H03F2200/451 , H03F2200/465 , H03F2203/45112 , H03F2203/45154 , H03F2203/45394 , H03F2203/45481
摘要： 본 발명은 증폭기 회로의 감지된 입력 전력에 적어도 부분적으로 기초하여 상당한 전류 부스트를 제공하는 증폭기용 적응형 바이어스 방법 및 회로를 제공한다. 본 발명의 방법 및 회로는 감지된 입력 전력에 기초한 추가 바이어스 회로를 제공한다. 본 발명의 회로는 단순하고 공간 효율적이고 저전력에 안정하며, 디지털식으로 프로그램할 수 있다. 게다가, 본 발명의 방법 및 회로는 인덕터 및/또는 디제너레이션 저항을 갖는 증폭기를 포함하는 다수의 증폭기 회로 구성으로 사용될 수 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式