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1. 发明授权

KR100623873B1 정밀 모스전류미러 회로 有权
标题翻译：精密MOS电流镜电路
公开(公告)号：KR100623873B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020060028740
申请日：2006-03-30
申请人： 아이케이세미콘주식회사
发明人： 애드워드래빈스키
IPC分类号： H03F3/343
摘要： 본 발명은 정밀 모스전류미러회로에 관한 것으로,
종래의 기술에서는
부하저항이나 부하전압 차의 변화와 같은 예기치 못한 변화가 발생했을 때, 도2에서 제23 트랜지스터(M23)의 드레인전류인 출력전류(Iout21)은 제24 트랜지스터(M24)의 드레인전류(Iin21)인 입력전류보다 더 커지게 되는 문제점을 포함하고 있다.
이에 본 발명에서는
고 출력저항, 저 포화전압과 적은 소자배치 면적을 갖는 개선된 전류미러회로인 도5에서 2단계 캐스케이드 모스전류미러인 제53, 54 트랜지스터(M53, M54)의 바디바이어스를 다이오드 처리된 제54 트랜지스터(M54)의 소스에 연결하므로써 종래기술의 문제점을 해결하도록 고안된 것이다.
종래의 기술에서
출력전류가 입력전류보다 더 커지게 되는 것은, 도2에서 제23 트랜지스터(M23)의 바디와 소스간의 전위차가 증가하여 제21 트랜지스터(M21)의 채널간 전압이 증가하는 반면에 제24 트랜지스터(M24)의 전위는 영으로 머물러 있기 때문이다.
그런데,
본 발명에서는 도5에서 바디 시리즈 네거티브 피드백으로 인해 제53 트랜지스터(M53)의 드레인전류를 감소하게 하며 제53 트랜지스터(M53)의 드레인전류(Iout51)인 출력전류는 제54 트랜지스터(M54)의 드레인전류(Iin51)인 입력전류와 같아지게 된다.
전류미러회로
摘要翻译：本发明涉及一种精密mos电流镜像电路，

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