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1. 发明授权

KR102462379B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102462379B1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：KR1020227028447
申请日：2018-03-12
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/52 , H01J37/32
摘要： 처리가스가플라스마여기되는플라스마생성공간과, 플라스마생성공간에연통하는기판처리공간을포함하는적어도하나의처리용기와, 플라스마생성공간을둘러싸도록배치됨과함께상기적어도하나의처리용기의외주에권회하도록마련된코일, 및해당코일에고주파전력을공급하는고주파전원을포함하는플라스마생성부와, 상기플라스마생성공간에처리가스를공급하는가스공급부와, 상기적어도하나의처리용기의외측에마련되어, 상기적어도하나의처리용기의온도를검출하도록구성되어있는적어도하나의온도센서와, 기판을처리하기위한처리레시피의실행전에, 상기적어도하나의온도센서에의해검출되는상기적어도하나의처리용기의온도가미리설정되는상한값및 하한값에의해규정되는목표온도의범위내에수렴되도록제어하는제어부를포함하는구성이제공된다.

2. 发明授权

KR101591404B1 플라즈마 생성장치 및 플라즈마 처리장치 有权
标题翻译：等离子体发生装置和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101591404B1
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020107028814
申请日：2009-05-21
申请人： 가부시키가이샤 이엠디
发明人： 에베아키노리 , 안도야스노리 , 와타나베마사노리
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/507
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3266
摘要： 진공용기의일부를겸하는직사각형의개구부를가지는플랜지에, 상기개구부를둘러싸는절연애자틀체를끼워지지하여상기개구부를덮도록평판형상의고주파안테나도체(13)를설치한다. 상기구조에있어서, 고주파안테나도체의장변을따른일방의단에매칭박스를통하여고주파전원을접속하고, 타단을접지하여고주파전류가고주파안테나도체의일방의단으로부터타방의단으로흐르도록급전한다. 이로써, 고주파안테나도체의임피던스를낮게할 수있어, 낮은전자온도의고밀도플라즈마를효율적으로발생시킬수 있다.

3. 发明公开

KR1020110110006A 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020110110006A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020110028709
申请日：2011-03-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 야마모토다카시 , 미즈카미슌스케 , 오타니류지 , 히구치기미히로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/507 , C23C16/509 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/507 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32642 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , Y10T29/41 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/0273 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/76825 , H01L21/76826
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 양품률을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
처리 챔버와, 처리 챔버내에 마련되고, 고주파 전력이 인가되는 도전성 금속으로 이루어지는 기재를 갖고, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대를 겸한 하부 전극과, 처리 챔버내에 마련되고, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 하부 전극상에, 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 하부 전극의 기재와 포커스 링 사이에, 전류 제어 소자를 거쳐서 전기적인 접속을 실행하고 전위차에 따라 직류 전류를 발생시키는 전기적 접속 기구가 배치된다.
摘要翻译：等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极，具有由导电金属制成的基座，高频电源施加到该底座，下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间，通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接，并根据电位差产生直流电流。

4. 发明公开

KR1020040102051A 유도결합형 화학증착을 이용하여 유기 전계발광소자에 막을 형성하기 위한 장치 및 방법 无效
标题翻译：使用电感耦合化学气相沉积在有机电致发光器件上形成膜的装置和方法
公开(公告)号：KR1020040102051A
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020047015023
申请日：2003-03-25
申请人： 셀박 코포레이션
发明人： 와다가즈오
IPC分类号： H05B33/10 , B01J3/00 , B01J19/08 , C23C16/507
CPC分类号： C23C16/507 , H01L51/5256
摘要： 본 발명은 플라즈마 발생기로 유도결합형 플라즈마 소스를 사용하는 것을 포함하며, 감압된 진공용기내에서 유기 EL 기판의 음극전극(9)의 상면에 먼저 폴리머막(10)을 플라즈마 CVD로 형성시키고, 그 위에 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘나이트라이드 막(11)을 형성시키는 것에 의해서 유기 EL 소자(9)의 상면에 ICP-CVD 방법으로 산화에 대한 보호막(10 및 11)을 형성시키는 유기 EL 소자의 제조방법으로, 유기 EL의 보호막으로서 폴리머, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘나이트라이드 막을 80℃ 이하의 저온에서 플라즈마에 의한 유기재료의 손상이 없이 형성시키고 상기 막은 외부로부터 수분이나 산소의 침입을 방지한다.

5. 发明授权

KR102454251B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102454251B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：KR1020217024586
申请日：2017-03-28
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/507

6. 发明公开

KR1020220110153A 기판 표면들 상에 유동성 유전체 디포지션 처리 审中-实审
公开(公告)号：KR1020220110153A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：KR1020220092400
申请日：2022-07-26
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/517 , C23C16/507 , C23C16/04 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 기판표면들상에향상된유동성유전체디포지션을위한방법들및 장치들이본 명세서에제공된다. 방법들은핵생성을향상시키고두꺼운고 습윤에칭레이트계면층을형성함이없이상기기판상을습윤하는단계를수반한다. 다양한실시예들에따라, 방법들은디포지션표면의단일또는다단계원격플라즈마처리들을포함할수도있다. 일부실시예들에서, 처리는환원화학물및 수소-함유산화화학물양자로의노출을포함할수도있다. 이방법들을수행하기위한장치가또한제공된다.

7. 发明公开

KR1020210028171A 리모트 원자층 증착을 위한 시스템들 및 방법들 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210028171A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020210025070
申请日：2021-02-24
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 나정석 , 고피나스산제이
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/507 , C23C16/34 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要： 시스템들과방법들은, 전구체가스를프로세싱챔버의반응체적내로도입함으로써, 기판상에막을증착한다. 기판은반응체적내에배치된다. 미리결정된담금기간후에, 전구체가스는반응체적으로부터퍼지된다. 기판은리모트플라즈마소스를사용하여플라즈마가스에노출된다.

8. 发明公开

KR20200130416A 챔버 어셈블리 및 반응 챔버 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130416A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20207029179
申请日：2019-03-12
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： SHI SHUAITAO , DING ANBANG , CHEN PENG , SHI XIAOPING , LI CHUNLEI , LAN YUNFENG
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/507 , C23C16/517
摘要： 챔버어셈블리에있어서, 전극판(8) 및흐름균일화부재(9)를포함하고, 전극판(8)은 RF 전원(16)과의전기적연결에사용되며, 전극판(8)에는가스유입구(81)가마련된다. 흐름균일화부재(9)는절연재료를사용하여제조되고, 전극판(8)과함께흐름균일화공간(10)을형성하며, 가스유입구(81)는흐름균일화공간(10)과연통되고, 흐름균일화부재(9)에는복수의가스유출구(911)가마련된다. 챔버어셈블리는중공음극방전문제가발생하는것을방지하고, 플라즈마의안정성을향상시킨다. 나아가, 반응챔버를제공한다.

9. 发明公开

KR1020150004274A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR1020150004274A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020140079070
申请日：2014-06-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 후쿠시마,고헤이 , 마츠우라,히로유키 , 모토야마,유타카 , 시마다,고이치 , 안도,다케시
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/452 , C23C16/507 , H01J37/32 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/507 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32779 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/205
摘要： 본 발명은, 웨이퍼 근방에서의 플라즈마의 생성을 억제하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 해결하기 위하여, 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기와, 복수의 기판을 보유 지지하며 상기 처리 용기 내로 삽입 분리되는 보유 지지 수단과, 상기 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기의 외측으로 돌출된 상태에서 상기 처리 용기의 길이 방향을 따라 설치된 플라즈마 구획벽에 의해 구획 형성된 플라즈마 형성 박스와, 상기 플라즈마 형성 박스의 외부측벽에, 길이 방향을 따라 설치된 유도 결합형 전극과, 상기 유도 결합형 전극에 급전 라인을 개재하여 접속된 고주파 전원과, 상기 플라즈마 형성 박스의 외부이며, 상기 처리 용기와 상기 유도 결합형 전극 사이에 설치되고, 상기 플라즈마 형성 박스의 외부측벽의 근방에 혹은 상기 외부측벽에 적어도 일부가 접촉되어 배치됨과 함께, 상기 플라즈마 형성 박스의 � �측을 향하여 연장되는 지락 전극을 갖는 기판 처리 장치를 제공한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于抑制等离子体在晶片周边产生的衬底处理装置。为此，基板处理装置包括：要被抽真空的处理容器; 待处理容器插入或分离以保持多个基板的保持单元; 气体供给单元，用于向处理容器供给气体; 等离子体生成箱，其由等离子体分隔壁分隔并形成，所述等离子体分隔壁沿着处理容器的纵向方向安装，同时突出到处理容器的外侧; 位于所述等离子体发生箱的外侧壁的电感耦合电极沿着所述等离子体生成箱的长度方向; 高频电源，通过电源线连接到电感耦合电极; 位于等离子体生成箱的外部，处理容器与电感耦合电极之间的配置在等离子体生成箱的外侧壁附近，或至少部分地与外侧壁接触的接地电极。

10. 发明公开

KR1020130135981A 기판 처리 장치 无效
公开(公告)号：KR1020130135981A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020137028218
申请日：2012-03-07
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 요시다다츠히코 , 하세가와마사미 , 오사다도모아키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463
摘要： A substrate processing apparatus for processing a substrate with plasma including: a container including a first container member that forms a processing space in which the substrate is processed, and a second container member that forms a plasma generation space in which plasma is generated a gas introduction unit for introducing gas into the container; a plasma generation unit including an antenna that is provided in an external space of the container and configured to excite the gas in the plasma generation space with an electric field that is generated by a high-frequency voltage fed from a power supply; and a substrate holding unit that is capable of holding the substrate. A coating film that contains a semiconductor material is formed on a surface of the second container member that is arranged close to the antenna.

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