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1. 发明公开

KR1020170057114A 하이브리드 다이오드 소자 审中-实审
标题翻译：混合二极管器件
公开(公告)号：KR1020170057114A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160067678
申请日：2016-05-31
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 고상춘 , 김민기 , 나제호 , 박영락 , 박준보 , 이현수 , 이형석 , 장현규 , 정동윤
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/778 , H01L41/08
摘要： 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.
摘要翻译：提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽，层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜，并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。

2. 发明公开

KR1020150083310A 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150083310A
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 고상춘 , 문석환 , 장우진 , 배성범 , 박영락 , 나제호 , 문재경 , 남은수
IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：设置在基板上的激活区域; 流入通道在基体的一侧上积累有单个公共腔; 在具有单个公共空腔的衬底的另一侧上积累的流出通道; 通常在基板上堆积的微通道阵列，其一端连接到流入通道的一侧，另一侧连接到流出通道的一侧; 和微型散热器阵列，以分隔待分离的微通道。

3. 发明授权

KR101878934B1 전자 소자 有权
公开(公告)号：KR101878934B1
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이형석 , 김기환 , 고상춘 , 김진식 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 전치훈 , 정동윤
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
摘要： 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.

4. 发明公开

KR1020170027257A 전력 변환 장치 审中-实审
标题翻译：电源转换装置
公开(公告)号：KR1020170027257A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020160020723
申请日：2016-02-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정동윤 , 고상춘 , 전치훈 , 김민기 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 이현수 , 이형석 , 장현규
IPC分类号： H02M7/00 , H05K7/20
摘要： 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.

5. 发明公开

KR1020170033219A 전자 소자 审中-实审
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：KR1020170033219A
公开(公告)日：2017-03-24
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이형석 , 김기환 , 고상춘 , 김진식 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 전치훈 , 정동윤
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
摘要： 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
摘要翻译：由此提供电子设备。该电子器件包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层和第二半导体层以及布置在第二半导体层上的源电极，栅电极和漏电极。所述电子器件还包括场板，所述场板与所述源电极电连接并且在所述漏电极的方向上并且远离所述衬底朝向所述漏电极延伸。

6. 发明授权

KR101695708B1 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101695708B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 고상춘 , 문석환 , 장우진 , 배성범 , 박영락 , 나제호 , 문재경 , 남은수
IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
摘要翻译：提供半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：设置在衬底上的有源区; 入口通道形成为隐藏在所述基板的一侧中的单个空腔; 出口通道形成为埋在基板的另一侧中的单个腔; 微通道阵列，其包括多个微通道，其中所述多个微通道形成为埋在所述衬底中的多个空腔，并且所述微通道阵列的一端连接到所述入口通道的一侧，而另一端的微通道阵列连接到出口通道的一侧; 以及将微通道彼此分离的微型散热器阵列。

7. 发明公开

KR1020150077737A 질화물 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制备氮化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150077737A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고상춘 , 문재경 , 장우진 , 배성범 , 박영락 , 전치훈 , 문석환 , 장우영 , 김정진 , 장현규 , 나제호 , 남은수
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/475 , H01L29/778
摘要： 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。

8. 发明公开

KR1020170089390A 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170089390A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160101508
申请日：2016-08-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 나제호 , 이형석 , 전치훈 , 고상춘 , 곽명준 , 박영락 , 장우진 , 장현규 , 정동윤
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/28 , H01L29/49 , H01L21/768
摘要： 반도체소자는기판, 기판상의제1 반도체층및 제1 반도체층상의제2 반도체층을포함하는반도체구조체, 반도체구조체상에제공되는제1 패시베이션패턴, 및반도체구조체상에제공되고, 제1 패시베이션패턴으로부터이격되는제1 및제2 도전패턴들을포함한다.
摘要翻译：一种半导体器件被提供在衬底上，半导体结构包括衬底上的第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层，设置在半导体结构上的第一钝化图案以及第一钝化图案以及与第一和第二导电图案间隔开的第二和第二导电图案。

9. 发明授权

KR101758082B1 질화물 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101758082B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 고상춘 , 문재경 , 장우진 , 배성범 , 박영락 , 전치훈 , 문석환 , 장우영 , 김정진 , 장현규 , 나제호 , 남은수
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.

10. 发明公开

KR1020170012861A 브릿지 다이오드 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：桥二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170012861A
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020160007195
申请日：2016-01-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 정동윤 , 이현수 , 고상춘 , 김민기 , 나제호 , 남은수 , 박영락 , 박준보 , 이형석 , 장현규 , 전치훈
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/778 , H01L29/66
摘要： 본발명의실시예에따른브릿지다이오드를제공한다. 브릿지다이오드는기판상에순차적으로적층되는제 1 하부질화막및 제 1 상부질화막을포함하는제 1 구조, 상기기판상에순차적으로적층되는제 2 하부질화막및 제 2 상부질화막을포함하는제 2 구조, 상기제 1 구조상에배치되는제 1 전극구조체및 상기제 2 구조상에배치되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 1 전극구조체는시계방향으로배열되는제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을포함하고, 상기제 2 전극구조체는시계방향으로배열되는제 4 전극, 제 5 전극및 제 6 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기제 6 전극및 상기제 3 전극과상기제 4 전극은서로연결되어외부회로와연결되고, 제 2 전극과제 5 전극은각각외부회로와연결된다.

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