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1. 发明公开

KR1020140068162A 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：可变电阻元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140068162A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020147009144
申请日：2013-08-27
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 후쿠다,나츠키 , 후쿠쥬,카즈노리 , 니시오카,유타카 , 수우,코우코우
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： [과제] 소자 사이즈의 대형화를 부르는 일 없이 과대 전류로부터 소자를 보호할 수 있는 가변 저항 소자를 제공한다. [해결 수단] 본 발명의 일 실시형태에 따른 가변 저항 소자(1)는 하부 전극층(3)과, 상부 전극층(6)과, 제1금속 산화물층(51)과, 제2금속 산화물층(52)과, 전류 제한층(4)을 구비한다. 제1금속 산화물층(51)은, 하부 전극층(3)과 상부 전극층(6)의 사이에 배치되고 제1저항율을 가진다. 제2금속 산화물층(52)은, 제1금속 산화물층(51)과 상부 전극층(6)의 사이에 배치되고 상기 제1저항율보다 높은 제2저항율을 가진다. 전류 제한층(4)은, 하부 전극층(3)과 제1금속 산화물층(51)의 사이에 배치되고 상기 제1저항율보다 높고 상기 제2저항율보다 낮은 제3저항율을 가진다.

2. 发明公开

KR1020120062821A ＥＳＤ 보호 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： ESD保护装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120062821A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020127007528
申请日：2010-09-29
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 히에하타쿠미코 , 스미타카히로 , 아다치준 , 우라카와준 , 츠키자와타카유키
IPC分类号： H01C7/12 , H01T4/10 , H01T4/12
CPC分类号： H01T4/12 , H01C7/108 , H01C7/12 , H01L23/60 , H01L27/0288 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01T1/20 , H01T21/00 , H01L2924/00
摘要： 반복하여 정전기를 인가하더라도 특성의 열화를 일으키지 않는 안정된 특성을 포함한 ESD 보호 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
세라믹 기재(1)의 내부에, 대향하도록 형성된 일방측 대향 전극(2a)와 타방측 대향 전극(2b)를 포함하여 이루어지는 대향 전극(2)과, 일방측 대향 전극과 타방측 대향 전극의 각각과 접하고, 일방측 대향 전극으로부터 타방측 대향 전극에 걸치도록 배치된 방전 보조 전극(3)을 포함하고, 방전 보조 전극은 금속 입자와 반도체 입자 및 유리질을 포함하고, 아울러 금속 입자 사이, 반도체 입자 사이, 및 금속 입자와 반도체 입자의 사이가, 유리질을 개재하여 결합되어 있음과 아울러, 금속 입자의 평균 입자 직경 X가 1.0μm 이상이고, 방전 보조 전극의 두께 Y와 금속 입자의 평균 입자 직경 X의 관계가, 0.5≤Y/X≤3의 요건을 만족하는 구성으로 한다.

3. 发明公开

KR1020160093372A 정전기 보호소자용 페이스트 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译： ESD涂料及其方法
公开(公告)号：KR1020160093372A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150014275
申请日：2015-01-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 구본석 , 구근회 , 서정욱
IPC分类号： H01C7/108 , H01C17/00
CPC分类号： H01C7/108 , H01C17/00
摘要： 본발명은전도성입자, 수산화물, 수화물, 탄산염또는붕산염형태의나노세라믹분말및 유기바인더를포함하는정전기보호소자용페이스트를제공하여내구성이향상된정전기보호소자를제조할수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种用于静电放电（ESD）保护装置的浆料，其包括导电颗粒，氢氧化物，氢化物，碳酸盐或硼酸盐形纳米陶瓷粉末和有机粘合剂，从而提供具有改善的耐久性的ESD保护装置。

4. 发明公开

KR1020120104333A 컨덕터 온 컨덕터 코어 쉘 입자를 포함하는 전압 절환형 절연물질 无效
标题翻译：含导通导体芯片的电压可切换电介质材料颗粒
公开(公告)号：KR1020120104333A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020127018154
申请日：2010-12-15
申请人： 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
发明人： 코소우스키렉스 , 플레밍로버트 , 우준준 , 사라프프라그냐 , 랑가나탄탄가마니
IPC分类号： H01B3/18 , H01B1/22 , C23C18/00
CPC分类号： H01C7/108 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01B1/24 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/0257 , H05K1/0259 , H05K1/0373 , H05K2201/0218 , H05K2201/0738 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： VSD 물질을 위한 컨덕터 온 컨덕터 코어 쉘 입자 구성요소를 형성하기 위하여, 각각이 도전 코어 및 도전 쉘을 포함하는 코어 셀 입자의 집단을 구비하는 전압 절환형 절연(VSD) 물질의 조성이 개시된다.

5. 发明授权

KR101607820B1 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：可变电阻元件及其制造方法
公开(公告)号：KR101607820B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020157033560
申请日：2013-08-27
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 후쿠다,나츠키 , 후쿠쥬,카즈노리 , 니시오카,유타카 , 수우,코우코우
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： [과제] 소자사이즈의대형화를부르는일 없이과대전류로부터소자를보호할수 있는가변저항소자를제공한다. [해결수단] 본발명의일 실시형태에따른가변저항소자(1)는하부전극층(3)과, 상부전극층(6)과, 제1금속산화물층(51)과, 제2금속산화물층(52)과, 전류제한층(4)을구비한다. 제1금속산화물층(51)은, 하부전극층(3)과상부전극층(6)의사이에배치되고제1저항율을가진다. 제2금속산화물층(52)은, 제1금속산화물층(51)과상부전극층(6)의사이에배치되고상기제1저항율보다높은제2저항율을가진다. 전류제한층(4)은, 하부전극층(3)과제1금속산화물층(51)의사이에배치되고상기제1저항율보다높고상기제2저항율보다낮은제3저항율을가진다.

6. 发明公开

KR1020150079899A 전압 비직선성 저항 소자 无效
标题翻译：电压非线性电阻元件
公开(公告)号：KR1020150079899A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020157014166
申请日：2013-10-24
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 무라마츠나오쿠니
IPC分类号： H01C7/10 , B22F3/105 , C22C1/04 , C22C9/00
CPC分类号： H01C7/10 , B22F3/105 , B22F2003/1051 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C1/0491 , C22C9/00 , H01C7/108 , H01C17/00 , B22F2202/13
摘要： 본발명의전압비직선성저항소자(20)는, Cu상(31)과, 공정상(共晶相; eutectic phase)을포함하지않는 Cu-Zr 화합물상(32)의 2상의조직을갖는구리합금으로이루어지는전압비직선성저항재료(30)와, 전극(21, 22)을구비하고있다. 이전압비직선성저항재료(30)는, Cu상(31)과 Cu-Zr 화합물상(32)이, 단면에서봤을때에크기 10 ㎛이하의결정으로서분산된모자이크형상의조직을구성하고있는것으로해도좋다. 또한, Cu-Zr 화합물상(32)은, CuZr, CuZr및 CuZr중적어도하나이상인것으로해도좋다. 또한, 전압비직선성저항재료(30)는, Cu-Zr 이원계합금분말이방전플라즈마소결되어형성되어있는것으로해도좋다. 이전압비직선성저항재료(30)는, Zr을 0.2 at% 이상 18.0 at% 이하함유하는것으로해도좋다.

7. 发明授权

KR101392455B1 ＥＳＤ 보호 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： ESD保护装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101392455B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020127007528
申请日：2010-09-29
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 히에하타쿠미코 , 스미타카히로 , 아다치준 , 우라카와준 , 츠키자와타카유키
IPC分类号： H01C7/12 , H01T4/10 , H01T4/12
CPC分类号： H01T4/12 , H01C7/108 , H01C7/12 , H01L23/60 , H01L27/0288 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01T1/20 , H01T21/00 , H01L2924/00
摘要： 반복하여정전기를인가하더라도특성의열화를일으키지않는안정된특성을포함한 ESD 보호디바이스및 그제조방법을제공한다. 세라믹기재(1)의내부에, 대향하도록형성된일방측대향전극(2a)와타방측대향전극(2b)를포함하여이루어지는대향전극(2)과, 일방측대향전극과타방측대향전극의각각과접하고, 일방측대향전극으로부터타방측대향전극에걸치도록배치된방전보조전극(3)을포함하고, 방전보조전극은금속입자와반도체입자및 유리질을포함하고, 아울러금속입자사이, 반도체입자사이, 및금속입자와반도체입자의사이가, 유리질을개재하여결합되어있음과아울러, 금속입자의평균입자직경 X가 1.0μm 이상이고, 방전보조전극의두께 Y와금속입자의평균입자직경 X의관계가, 0.5≤Y/X≤3의요건을만족하는구성으로한다.

8. 发明授权

KR100975530B1 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 失效
标题翻译：使用阳极氧化铝和瞬态脉冲滤波器的瞬态脉冲滤波器制造方法
公开(公告)号：KR100975530B1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020080076812
申请日：2008-08-06
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/20
CPC分类号： H01C7/108 , H01C7/10 , H01C7/12 , Y10S977/932 , Y10T29/41
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 오동작, 짧은 수명 등의 원인이 될 수 있는 순간펄스필터를 알루미늄 양극산화법을 이용하여 제조한 것으로, 특히 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 제1단계와; 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 제2단계와; 상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 제3단계와; 상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여, 상기 알루미늄 박막층(200) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 제4단계와; 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 박막층(200) 상부에 내부전극(500)을 형성시키는 제5단계와; 상기 알루미늄 박막층(200) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 제6단계와; 상기 보호막층(600)이 형성된 기판 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전도성 나노봉으로 이루어진 전도체들의 규칙적인 분포와 에너지 장벽의 균일성을 확보할 수 있어, 기존 기술에 비해 더 좋은 비선형 특성과 더 높은 순간펄스 내량의 특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 부품을 제조할 수 있는 이점이 있다.
양극산화 순간펄스필터 알루미늄 나노봉 순간펄스

9. 发明授权

KR100670690B1 전압 비선형성 저항체 자기 조성물, 전자 부품 및 적층 칩배리스터 有权
标题翻译：电压非线性电阻陶瓷组件，电子元件和层压片变压器
公开(公告)号：KR100670690B1
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020057007167
申请日：2003-10-22
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 마츠오카다이
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： H01C7/108
摘要： 본 발명은 산화아연을 포함하는 주성분과, 희토류 원소의 산화물을 포함하는 제1 부성분과, Sb의 산화물 또는 Si의 산화물을 포함하는 제2 부성분을 가지는 전압 비선형성 저항체 자기 조성물이다. 제2 부성분의 비율이, 주성분 100몰에 대해, Sb 환산으로, 3원자%≤제2부성분

10. 发明公开

KR1020150138423A 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：可变电阻元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150138423A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020157033560
申请日：2013-08-27
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 후쿠다,나츠키 , 후쿠쥬,카즈노리 , 니시오카,유타카 , 수우,코우코우
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01C7/108 , C23C14/0036 , C23C14/08 , H01C17/06 , H01C17/12 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要： [과제] 소자사이즈의대형화를부르는일 없이과대전류로부터소자를보호할수 있는가변저항소자를제공한다. [해결수단] 본발명의일 실시형태에따른가변저항소자(1)는하부전극층(3)과, 상부전극층(6)과, 제1금속산화물층(51)과, 제2금속산화물층(52)과, 전류제한층(4)을구비한다. 제1금속산화물층(51)은, 하부전극층(3)과상부전극층(6)의사이에배치되고제1저항율을가진다. 제2금속산화물층(52)은, 제1금속산화물층(51)과상부전극층(6)의사이에배치되고상기제1저항율보다높은제2저항율을가진다. 전류제한층(4)은, 하부전극층(3)과제1금속산화물층(51)의사이에배치되고상기제1저항율보다높고상기제2저항율보다낮은제3저항율을가진다.

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