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1. 发明授权

KR101764787B1 광대역 음향 결합 박막 ＢＡＷ 필터 有权
标题翻译：宽频声学耦合薄膜BAW滤波器
公开(公告)号：KR101764787B1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020127030465
申请日：2011-04-21
申请人： 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이
发明人： 멜타우스,요한나 , 펜살라,투오마스
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/205 , H03H9/56
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/0095 , H03H9/02007 , H03H9/02125 , H03H9/175 , H03H9/177 , H03H9/205 , H03H9/564 , H03H9/584 , H03H2003/0414 , Y10T29/42
摘要： 압전박막상의측면음향결합공진기에기초한벌크탄성파(BAW) 필터에있어서, 상이한특성을갖는 2개의서로다른음향판파모드, 예컨대두께확장(종축)(TE1) 및제 2 조파두께전단(TS2) 모드를이용하여통과대역응답을형성할수 있다. 본발명은, 신호의전달을용이하게하는상이한판파모드에속하는적어도 2개의측면정상파공진의여기에기초한것이다. 통과대역은장치의파동전파특성을조정함으로써설계되어, 적절한주파수에서공진이여기되며, 원하는형상의통과대역을형성하게된다. 따라서, 본명세서에기재된필터의대역폭은종래의마이크로음향필터의 2배이상이될 수도있다. 그결과, 상당한상업성및 기술적가치를갖게된다.
摘要翻译：在基于压电薄膜上的侧声学耦合谐振器的体声波（BAW）滤波器中，使用具有不同特性的两种不同的声波模式，例如，厚度延伸TE1和第二波形厚度SH2模式形成通带响应。本发明基于对便于信号传输的属于不同平板波模式的至少两个侧驻波共振的激励。通带的设计是通过调节器件的波动传播特性，以适当的频率激发谐振，形成所需形状的通带。因此，这里描述的滤波器的带宽可以至少是传统微型声学滤波器的带宽的两倍。因此，它们具有显着的商业和技术价值。

2. 发明公开

KR1020140033909A 전도성 물질을 이용하여 전기적 손실을 처리하는 공진 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于处理使用导电材料的电力损失的谐振装置及其制造原理的方法
公开(公告)号：KR1020140033909A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：KR1020120100437
申请日：2012-09-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박호수 , 김덕환 , 김철수 , 손상욱 , 송인상 , 신제식 , 이문철
IPC分类号： H03H9/15 , H03H3/02
CPC分类号： H01L41/047 , H01L41/29 , H03H9/0211 , H03H9/132 , H03H9/174 , H03H9/175 , Y10T29/42
摘要： The present invention provides s resonance apparatus for processing electric loss using a conductive material and the method for manufacturing a resonator. The resonator may include a lower electrode layer which is separated from the upper part of a substrate with a preset distance, a piezoelectric layer which is formed in the upper part of the lower electrode layer and changes an electric signal into an acoustic wave, an upper electrode layer which is formed in the upper part of the piezoelectric layer, and a conductive layer which is formed by depositing conducive material on the upper electrode layer and/or the lower electrode layer.
摘要翻译：本发明提供一种用于使用导电材料处理电损耗的谐振装置和用于制造谐振器的方法。谐振器可以包括以预定距离与衬底的上部分离的下电极层，形成在下电极层的上部并将电信号改变成声波的压电层，上层形成在压电层的上部的电极层，以及通过在上部电极层和/或下部电极层上沉积导电材料而形成的导电层。

3. 发明授权

KR101288190B1 ＢＡＷ 공진기 디바이스, 필터 및 전자 장치 有权
标题翻译：大容量声波谐振器装置
公开(公告)号：KR101288190B1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：KR1020077030406
申请日：2006-05-23
申请人： 트리퀸트 세미컨덕터 인코퍼레이티드
发明人： 밀섬로버트에프 , 반헬몬트프레드릭더블유엠 , 얀스만안드레아스비엠 , 루이그로크야프 , 로에블한스-피터
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/171 , H03H9/175
摘要： 제 1 및 제 2 금속층(10, 20), 및 중간 압전층(30)을 포함하는 BAW(bulk acoustic wave)가 개시되며, 제 1 금속층(10)은 이격된 제 1 및 제 2 부분(12, 14)을 포함하고, 제 1 및 제 2 부분(12, 14)은 복수의 상호접속 핑거(16, 18)로서 각각 배열되며, 제 1 부분(12)의 복수의 핑거(16) 각각은 제 2 부분(14)의 핑거(18) 중 적어도 하나에 음향적으로 연결된다. 일실시예에서, 제 1 부분(12)은 제 2 부분(14)의 핑거(18)와 인터레이싱됨으로써, 직접적인 연결을 제공한다. 다른 실시예에서, 제 1 금속층(10)의 다른 부분(15)에 의해, 제 1 및 제 2 부분의 핑거들 사이에 음향 연결이 간접적으로 제공된다.

4. 发明授权

KR100486627B1 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR100486627B1
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030011088
申请日：2003-02-21
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 박재영
IPC分类号： H03H9/56
CPC分类号： H03H9/706 , H03H9/02094 , H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/587 , H03H9/72 , H03H9/725
摘要： 이 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 판상의 반도체 서브스트레이트와, 반도체 서브스트레이트의 상면에 형성된 적어도 2층 이상의 하부 전극과, 하부 전극의 상면에 일정 두께로 증착된 압전막과, 압전막의 상면에 형성된 적어도 2층 이상의 상부 전극으로 이루어져 접합성 및 성장성이 우수한 필름 벌크 탄성파 공진기가 제공되고, 위의 필름 벌크 탄성파 공진기가 다수 직,병렬로 연결된 필름 벌크 탄성파 필터 및 그 주변의 수동소자를 하나의 반도체칩에 집적하여 크기를 소형화할 수 있는 듀플렉서 필터가 제공되며, 또한 이러한 듀플렉서 필터에 적합한 반도체패키지가 제공된다.

5. 发明公开

KR1020030025834A 압전박막 공진기 및 그러한 공진기를 이용하는 주파수가변 공진기 失效
标题翻译：使用它的压电薄膜振动器和可变频率谐振器
公开(公告)号：KR1020030025834A
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020020056854
申请日：2002-09-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 아베가즈히데 , 야나세나오꼬 , 야스모또다까아끼 , 오하라료이찌 , 시미즈다쯔오 , 가와꾸보다까시
IPC分类号： H03H9/13
CPC分类号： H03H9/176 , H03B5/366 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要： PURPOSE: To provide a piezoelectric thin-film vibrator which has a large electromechanical coefficient, exhibits a large mechanical quality coefficient, and is capable of largely varying a resonance frequency by applying a DC electric field. CONSTITUTION: A thin film of barium titanium is used as a piezoelectric thin film, which is epitaxially grown in a (001) orientation. By suppressing distortion in surface, the thin film is used in a state of c-phase so as to have a polarization component in a film thickness direction. Also, the thin film is used in a region where the distortion in the surface is larger than -0.025.
摘要翻译：目的：提供一种具有大机电系数的压电薄膜振动器，具有较大的机械质量系数，能够通过施加直流电场来大幅度地改变谐振频率。构成：使用钡钛薄膜作为以（001）取向外延生长的压电薄膜。通过抑制表面的变形，薄膜以c相的状态被使用，以具有膜厚度方向的偏振分量。此外，薄膜用于表面变形大于-0.025的区域。

6. 发明公开

KR1020010082097A 아연 산화물에 기초한 공진기 제조 방법 无效
标题翻译：基于氧化锌的共振器的制备方法
公开(公告)号：KR1020010082097A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：KR1020010006384
申请日：2001-02-09
申请人： 알카텔-루센트 유에스에이 인코포레이티드
发明人： 코워치글렌로버트
IPC分类号： H03H3/02 , H01L41/27
CPC分类号： H03H9/175 , H03H3/04 , H03H3/10 , H03H9/02094 , H03H9/02574
摘要： PURPOSE: A method of fabricating a zinc oxide based resonator is provided to form the zinc oxide with the highest possible crystallinity, the highest possible orientation, thus yielding the highest value for electromechanical coupling coefficient, K2, as well as the lowest possible loss for its utilization as a controllable vibrating element. CONSTITUTION: The resonator comprises a resonator substrate base. It should be apparent to one of ordinary skill in the art that resonator substrate base may also comprise an air gap acoustic cavity . Substrate base comprises a substrate layer. Substrate layer comprises silicon(Si). In the alternative, however, substrate layer may also comprise diamond, quartz, silicon carbide(SiC), sapphire(Al2O3), gallium arsenide(GaAs), as well as other materials apparent.
摘要翻译：目的：提供一种制造基于氧化锌的共振器的方法，以形成具有最高可能结晶度，最高可能取向的氧化锌，从而产生机电耦合系数K2的最高值以及其最低可能的损耗利用作为可控振动元件。谐振器包括谐振器基底。对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，谐振器基板基座还可以包括气隙声腔。基底基底包括基底层。衬底层包括硅（Si）。然而，在替代方案中，衬底层还可以包括金刚石，石英，碳化硅（SiC），蓝宝石（Al 2 O 3），砷化镓（GaAs）以及其它材料。

7. 发明公开

KR1020170056000A 압전 모듈 审中-实审
标题翻译：压电模块
公开(公告)号：KR1020170056000A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020177010218
申请日：2015-10-22
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 키시모토유타카 , 이다야스유키 , 코바야시히데아키
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/25 , H03H9/54
CPC分类号： H03H9/173 , H03H3/02 , H03H9/02228 , H03H9/0547 , H03H9/175
摘要： 압전모듈(10)은압전박막(20), 고정층(30), 및지지기판(40)을포함한다. 압전박막(20)은고정층(30)에의해지지기판(40)에지지되어있다. 압전박막(20)의표면에는기능도체(211, 212)가형성되어있다. 기능도체(211, 212)에겹치는영역을포함하도록, 고정층(30)에는틈(300)이형성되어있다. 지지기판(40)의고정층(30) 측의면에는, 틈(300)의영역내에회로소자를구성하는도체패턴(50)이형성되어있다.
摘要翻译：压电模块10包括压电薄膜20，固定层30和支撑基板40。压电薄膜20通过固定层30被支撑在基板40上。功能导体211和212形成在压电薄膜20的表面上。在固定层（30）中形成间隙（300），以包括与功能导体（211,212）重叠的区域。构成电路元件的导体图案50形成在支撑基板40的固定层30侧的表面上的间隙300的区域中。

8. 发明公开

KR1020150096344A 음향 반사기, 프레임 및 칼라를 포함하는 음향 공진기 审中-实审
标题翻译：包含声学反射器，框架和COLLAR的声学谐振器
公开(公告)号：KR1020150096344A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020150022690
申请日：2015-02-13
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 부라크다리우스
IPC分类号： H03H9/17 , H03H9/02 , H03H9/54
CPC分类号： H03H9/175 , H03H9/02102 , H03H9/02118 , H03H9/54
摘要： SMR(solidly mounted resonator; 고상으로 실장된 공진기) 디바이스는, 적층된 음향 반사기 층 쌍들을 구비하는 음향 반사기를 포함하고, 적층된 음향 반사기 층 쌍들의 각각은 높은 음향 임피던스 재료로 형성된 높은 음향 임피던스 층 상에 적층된 낮은 음향 임피던스 재료로 형성된 낮은 음향 임피던스 층을 포함한다. SMR 디바이스는 음향 반사기 상에 배치된 하부 전극, 하부 전극 상에 배치된 압전층, 및 압전층 상에 배치된 상부 전극을 더 포함한다. 상부 전극, 압전층 및 하부 전극 사이의 오버랩에 의해 정의되는 메인 액티브 영역 외부에 칼라가 형성되고, 적어도 하나의 프레임이 메인 액티브 영역 내에 배치된다. 칼라는 메인 액티브 영역의 경계와 실질적으로 정렬되는 또는 메인 액티브 영역과 오버랩하는 내부 에지를 구비하고, 적어도 하나의 프레임은 메인 액티브 영역의 경계와 실질적으로 정렬되는 외부 에지를 구비한다.
摘要翻译：固体安装的谐振器（SMR）装置包括声反射器，其包括堆叠的声反射器层对，并且每个堆叠的声反射器层对包括形成有低声阻抗材料的低声阻抗层，该低声阻抗层堆叠在形成有高的声阻抗层声阻材料。 SMR装置还包括布置在声反射器上的下电极; 布置在下电极上的压电层; 以及布置在压电层上的上电极。在由上部电极，压电体层和下部电极之间的重叠限定的主要有效区域的外部形成有环，并且至少一个框架布置在主要有效区域中。轴环包括与主有效区域的边界大致对准或与主有效区域重叠的内边缘，并且至少一个框架包括与主活动区域的边界基本对准的外边缘。

9. 发明公开

KR1020130091658A 광대역 음향 결합 박막 ＢＡＷ 필터 有权
标题翻译：宽带超声波耦合薄膜滤波器
公开(公告)号：KR1020130091658A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020127030465
申请日：2011-04-21
申请人： 테크놀로지안 투트키무스케스쿠스 브이티티 오와이
发明人： 멜타우스,요한나 , 펜살라,투오마스
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/205 , H03H9/56
CPC分类号： H03H9/02228 , H03H9/0095 , H03H9/02007 , H03H9/02125 , H03H9/175 , H03H9/177 , H03H9/205 , H03H9/564 , H03H9/584 , H03H2003/0414 , Y10T29/42
摘要： 압전 박막 상의 측면 음향 결합 공진기에 기초한 벌크 탄성파(BAW) 필터에 있어서, 상이한 특성을 갖는 2개의 서로 다른 음향 판파 모드, 예컨대 두께 확장(종축)(TE1) 및 제 2 조파 두께 전단(TS2) 모드를 이용하여 통과 대역 응답을 형성할 수 있다. 본 발명은, 신호의 전달을 용이하게 하는 상이한 판파 모드에 속하는 적어도 2개의 측면 정상파 공진의 여기에 기초한 것이다. 통과 대역은 장치의 파동 전파 특성을 조정함으로써 설계되어, 적절한 주파수에서 공진이 여기되며, 원하는 형상의 통과 대역을 형성하게 된다. 따라서, 본 명세서에 기재된 필터의 대역폭은 종래의 마이크로 음향 필터의 2배 이상이 될 수도 있다. 그 결과, 상당한 상업성 및 기술적 가치를 갖게 된다.

10. 发明公开

KR1020120048481A 음향 공진기 형성 방법, 음향 변환기 장치 형성 방법 및 ＦＢＡＲ 장치를 형성하는 방법 无效
标题翻译：使用干涉种子层形成声学谐振器的方法
公开(公告)号：KR1020120048481A
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020110110087
申请日：2011-10-26
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 그래넨케빈제이 , 펭크리스 , 닉켈필 , 최존
IPC分类号： H03H9/17 , H03H3/02
CPC分类号： H03H3/02 , H01L41/314 , H01L41/317 , H01L41/319 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H2003/021 , H03H2003/025 , Y10T29/42
摘要： PURPOSE: A method of forming an acoustic resonator, a method for forming acoustic transducer, and a method for forming a FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) apparatus are provided to maximize the coupling coefficient of transducer devices by generating improved crystalline structure orientation. CONSTITUTION: An acoustic resonator includes a first seed layer(231) and a first electrode layer(232) formed on the first seed layer. The acoustic resonator includes a second seed layer(233) formed on the first electrode layer and a piezoelectric layer(234) formed on the second seed layer. The second seed layer is interposed between the first electrode layer and the piezoelectric layer. A second electrode layer(235) is formed on the piezoelectric layer to form an acoustic resonator(230). An arrow in the piezoelectric layer comes under an axial direction of crystallization from a piezoelectric material.
摘要翻译：目的：提供形成声谐振器的方法，形成声换能器的方法以及形成FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator）装置的方法，以通过产生改进的晶体结构取向来最大化换能器装置的耦合系数。构成：声谐振器包括形成在第一种子层上的第一种子层（231）和第一电极层（232）。声谐振器包括形成在第一电极层上的第二晶种层（233）和形成在第二晶种层上的压电层（234）。第二种子层介于第一电极层和压电层之间。第二电极层（235）形成在压电层上以形成声谐振器（230）。压电层中的箭头来自压电材料的轴向结晶方向。

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