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1. 发明公开

KR1020060124554A 박막 압전 공진기, 필터 및 전압 제어 발진기 失效
标题翻译：薄膜压电谐振器，滤波器和电压控制振荡器
公开(公告)号：KR1020060124554A
公开(公告)日：2006-12-05
申请号：KR1020060026306
申请日：2006-03-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야나세나오꼬 , 사노겐야 , 야스모또다까아끼 , 오하라료이찌 , 이따야가즈히꼬
IPC分类号： H03H9/15 , H01L41/08 , H01L41/047
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
摘要： A thin-film piezoelectric resonator, a filter, and a voltage-controlled oscillator are provided to reduce a variation in a capacitance value of an excitation part by improving crystallinity of the excitation part arranged on a cavity or an acoustic reflection layer. A substrate(2) includes a first cavity(21,22,24,26,27) and a second cavity(23,25). The first and second cavities are separated from each other. A first excitation part(71,72,74,76,77) is arranged on the first cavity. A second excitation part(73,75) is arranged on the second cavity. The first excitation part includes a first electrode, a first piezoelectric material, and a second electrode. An overlapping region among the first electrode, the first piezoelectric material, and the second electrode defines a peripheral contour of the first excitation part. A first distance is defined as a distance from an end of the first excitation part to an opening end of the first cavity. The second excitation part includes a third electrode, a second piezoelectric material, and a fourth electrode. An overlapping region among the third electrode, the second piezoelectric material, and the fourth electrode defines a peripheral contour of the second excitation part. A second distance is defined as a distance from an end of the second excitation part to an opening end of the second cavity. The second distance is different from the first distance.
摘要翻译：提供薄膜压电谐振器，滤波器和压控振荡器，以通过改善布置在空腔或声反射层上的激励部分的结晶度来减小激励部分的电容值的变化。基板（2）包括第一腔（21,22,24,26,27）和第二腔（23,25）。第一和第二腔彼此分离。第一激励部分（71,72,74,76,77）布置在第一腔上。第二激励部分（73,75）布置在第二腔体上。第一激励部分包括第一电极，第一压电材料和第二电极。第一电极，第一压电材料和第二电极之间的重叠区域限定第一激励部分的外围轮廓。第一距离被定义为从第一激励部分的端部到第一腔体的开口端的距离。第二激励部包括第三电极，第二压电材料和第四电极。第三电极，第二压电材料和第四电极之间的重叠区域限定第二激励部分的外围轮廓。第二距离被定义为从第二激励部分的端部到第二腔的开口端的距离。第二距离与第一距离不同。

2. 发明授权

KR100431908B1 산화물 에피택셜 스트레인 격자 막을 제조하는 방법 失效
标题翻译： 산화물에피택셜스트레인격자을제조하는방
公开(公告)号：KR100431908B1
公开(公告)日：2004-05-24
申请号：KR1020010014555
申请日：2001-03-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 가와꾸보다까시 , 야스모또다까아끼 , 아베가즈히데 , 야나세나오꼬
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/0068 , C23C14/088 , C23C14/3407 , C23C14/352 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： 산화물의 에피택셜 스트레인 격자 막을 제조하는 방법에 있어서, 양호한 결정학적 특성을 갖는 에피택셜 스트레인 격자가, 산소 음이온에 의해 적층될 스트레인 격자 막에 가해지는 손상을 방지하면서, 기판 홀더에 RF 전력을 가하여 적당한 에너지를 갖는 양이온을 조사하여 형성된다. 상기 방법은 산소 음이온의 조사에 의한 막의 손상 문제 - 스퍼터링 산화물의 고유한 특성임 - 와 증착동안에 스트레인의 이완에 의해 스트레인되지 못하는 문제 둘 다 동시에 해결할 수 있다.
摘要翻译：一种制造氧化物的外延应变晶格膜的方法，其中通过将RF功率施加到衬底支架并且照射具有适中能量的正离子同时防止对应变晶格的损伤而形成具有良好结晶性的外延应变晶格薄膜被氧负离子堆积。该方法同时克服了氧化物溅射所特有的氧负离子辐照对膜损伤的问题以及由于沉积过程中应变松弛导致的应变失效问题。

3. 发明授权

KR100537128B1 압전박막 공진기 및 그러한 공진기를 이용하는 주파수가변 공진기 失效
标题翻译：使用谐振器的压电薄膜谐振器和频率可变谐振器
公开(公告)号：KR100537128B1
公开(公告)日：2005-12-19
申请号：KR1020020056854
申请日：2002-09-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 아베가즈히데 , 야나세나오꼬 , 야스모또다까아끼 , 오하라료이찌 , 시미즈다쯔오 , 가와꾸보다까시
IPC分类号： H03H9/13
CPC分类号： H03H9/176 , H03B5/366 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要： 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 삽입되고, 티탄산바륨을 포함하는 에피택셜 강유전성 박막으로 형성되며, 상기 에피택셜 강유전성 박막의 자발분극은 막표면에 수직인 방향으로 단일축 배향되는(uniaxially oriented) 압전박막을 포함하는 압전박막 공진기.

4. 发明授权

KR100758093B1 박막 압전 공진기, 필터 및 전압 제어 발진기 失效
标题翻译：薄膜压电谐振器，滤波器和电压控制振荡器
公开(公告)号：KR100758093B1
公开(公告)日：2007-09-11
申请号：KR1020060026306
申请日：2006-03-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 야나세나오꼬 , 사노겐야 , 야스모또다까아끼 , 오하라료이찌 , 이따야가즈히꼬
IPC分类号： H03H9/15 , H01L41/08 , H01L41/047
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
摘要： 박막 압전 발진기는 기판, 제1 여기부 및 제2 여기부를 포함한다. 기판은 제1 공동 및 제2 공동을 포함한다. 제1 여기부는 제1 공동 상에 배치되고, 순차적으로 적층된 제1 전극, 제1 압전체 및 제2 전극을 포함한다. 제1 전극, 제1 압전체 및 제2 전극 사이의 중복 영역은 제1 여기부의 주변 윤곽을 한정한다. 제1 거리는 제1 여기부의 단부로부터 제1 공동의 개구 단부에 이르는 거리로 정의된다. 제2 여기부는 제2 공동 상에 배치되고, 순차적으로 적층되는 제3 전극, 제2 압전체 및 제4 전극을 포함한다. 제2 거리는 제2 여기부의 단부로부터 제2 공동의 개구 단부에 이르는 거리로 정의되며, 제1 거리와 다르다.
박막 압전 공진기, 필터, 여기부, 공동, 발진기

5. 发明公开

KR1020030025834A 압전박막 공진기 및 그러한 공진기를 이용하는 주파수가변 공진기 失效
标题翻译：使用它的压电薄膜振动器和可变频率谐振器
公开(公告)号：KR1020030025834A
公开(公告)日：2003-03-29
申请号：KR1020020056854
申请日：2002-09-18
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 아베가즈히데 , 야나세나오꼬 , 야스모또다까아끼 , 오하라료이찌 , 시미즈다쯔오 , 가와꾸보다까시
IPC分类号： H03H9/13
CPC分类号： H03H9/176 , H03B5/366 , H03H9/173 , H03H9/175
摘要： PURPOSE: To provide a piezoelectric thin-film vibrator which has a large electromechanical coefficient, exhibits a large mechanical quality coefficient, and is capable of largely varying a resonance frequency by applying a DC electric field. CONSTITUTION: A thin film of barium titanium is used as a piezoelectric thin film, which is epitaxially grown in a (001) orientation. By suppressing distortion in surface, the thin film is used in a state of c-phase so as to have a polarization component in a film thickness direction. Also, the thin film is used in a region where the distortion in the surface is larger than -0.025.
摘要翻译：目的：提供一种具有大机电系数的压电薄膜振动器，具有较大的机械质量系数，能够通过施加直流电场来大幅度地改变谐振频率。构成：使用钡钛薄膜作为以（001）取向外延生长的压电薄膜。通过抑制表面的变形，薄膜以c相的状态被使用，以具有膜厚度方向的偏振分量。此外，薄膜用于表面变形大于-0.025的区域。

6. 发明公开

KR1020010093671A 산화물 에피택셜 스트레인 격자 막을 제조하는 방법 失效
标题翻译：用于生产氧化物外延应变片的方法
公开(公告)号：KR1020010093671A
公开(公告)日：2001-10-29
申请号：KR1020010014555
申请日：2001-03-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 가와꾸보다까시 , 야스모또다까아끼 , 아베가즈히데 , 야나세나오꼬
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/0068 , C23C14/088 , C23C14/3407 , C23C14/352 , C30B23/02 , C30B29/22 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/31691 , H01L28/55
摘要： PURPOSE: To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide. CONSTITUTION: An RF electric power is applied to a substrate holder while preventing damage of a strain lattice film to be formed by an oxygen negative ion and an epitaxial strain lattice having excellent crystallizability is formed by irradiation with a positive ion having a proper energy.
摘要翻译：目的：为了同时克服由于氧化物溅射时的氧负离子照射引起的膜损伤等问题，以及在形成氧化物外延应变晶格膜的方法中成膜时的应变弛豫和应变的解除等问题。构成：通过用具有适当能量的正离子照射形成具有优异结晶性的RF电力，同时防止由氧负离子形成的应变格子膜的损伤，并形成具有优异结晶性的外延应变晶格。

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