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1. 发明公开

KR20180064084A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180064084A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：KR20160164249
申请日：2016-12-05
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/2427 , H01L27/249 , H01L45/065 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/1683
摘要： 반도체장치제조방법이제공된다. 상기반도체장치는제1 방향으로연장되는제1 워드라인, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되고, 상기제1 및제2 방향과교차하는제3 방향으로상기제1 워드라인과이격되는제1 비트라인, 상기제1 워드라인과상기제1 비트라인사이를채우는몰드막및 상기몰드막내에형성되고, 상기제1 워드라인과상기제1 비트라인사이에상기제3 방향으로형성되는제1 메모리셀로서, 상기제1 메모리셀은상기제1 워드라인과접하는제1 하부전극으로서, 상기제1 하부전극의상기제1 방향의양 측면은모두상기몰드층과직접접하는제1 하부전극과, 상기제1 하부전극과접하는제1 상변화메모리와, 상기제1 상변화메모리와접하는제1 중간전극과, 상기제1 중간전극과접하는제1 OTS(Ovonic Threshold Switch)와, 상기제1 OTS 및상기제1 비트라인사이에서상기제1 OTS 및상기제1 비트라인과접하는제1 상부전극을포함하는제1 메모리셀을포함한다.

2. 发明公开

KR1020170100160A 가변 저항 메모리 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：可变电阻存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170100160A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020160022344
申请日：2016-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심규리 , 강대환 , 고관협
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1675
摘要： 가변저항메모리장치는기판, 기판의상면에평행한제2 방향으로연장되며상기기판의상면에평행하고제2 방향과교차하는제1 방향을따라배열되는제1 도전라인들, 제1 도전라인들과기판의상면에수직한제3 방향으로이격되며제1 방향으로연장되며제2 방향을따라배열되는제2 도전라인들, 제2 도전라인들과제3 방향으로이격되며제2 방향으로연장되며상기제1 방향을따라배열되는제3 도전라인들, 제1 도전라인들및 제2 도전라인들의교차부들에배치되며각각독립적으로제1 가변저항패턴및 제1 선택패턴을포함하는제1 메모리셀들, 및제2 도전라인들및 제3 도전라인들의교차부들에배치되며각각독립적으로제2 가변저항패턴및 제2 선택패턴을포함하는제2 메모리셀들을포함한다. 제2 메모리셀들중 적어도하나의제2 메모리셀은제1 메모리셀들중 가장인접한제1 메모리셀에대해제1 방향또는제2 방향으로시프트(shift)된다.
摘要翻译：所述可变电阻存储器件包括：衬底;第一导线，所述第一导线在平行于所述衬底的上表面的第二方向上延伸，并且沿平行于所述衬底的上表面且与所述第二方向相交的第一方向布置; 第二导线在与介电板的上表面垂直的第三方向上间隔开并且沿第一方向延伸并且沿第二方向布置，第二导线在任务3的方向上间隔开并且沿第二方向延伸，第一存储器单元，所述第一存储器单元设置在所述第三导线，所述第一导线和所述第二导线的交叉处，所述第三导线和所述第二导线分别沿着所述第一方向布置，以及第二存储单元，设置在第二和第三导线的交叉点处，每个独立地包括第二可变电阻图案和第二被选图案。第二存储器单元中的至少一个第二存储器单元相对于第一存储器单元中的第一存储器单元在第一方向或第二方向上移位。

3. 发明公开

KR1020150129060A 저항 변화 메모리 소자용 전극 有权
标题翻译：电阻变化存储器件电极
公开(公告)号：KR1020150129060A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020157031495
申请日：2011-09-14
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 카우,더챙
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2427 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/16
摘要： 본발명의실시형태는, 상변화메모리(PCM) 소자로도공지된, 저항변화메모리소자에서단열을증가시키기위한기술및 구성을설명한다. 한실시형태에서, 장치는, 칼코게나이드재료를갖는, PCM 소자의저장구조체, 저장구조체와직접연결된제1면을갖는, 전기도전성재료를갖는전극, 및제1면에대향하여배치된전극의제2면과직접연결된, 유전체재료를갖는유전체막을포함한다. 다른실시형태를설명하고/설명하거나청구할수 있다.
摘要翻译：本公开的实施例描述了用于增加电阻变化存储器件（也称为相变存储器（PCM））器件中的热绝缘的技术和配置。在一个实施例中，一种装置包括PCM装置的存储结构，所述存储结构具有硫族化物材料，具有导电材料的电极，所述电极具有与所述存储结构直接耦合的第一表面，以及电介质膜具有电介质材料，电介质膜与电极的与第一表面相对设置的第二表面直接耦合。可以描述和/或要求保护其他实施例。

4. 发明公开

KR1020140121115A 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件和包括其的电子器件
公开(公告)号：KR1020140121115A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130037371
申请日：2013-04-05
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김범용 , 이기정 , 김완기 , 김효준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/085 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/55 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/04
摘要： 본 기술은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 반도체 장치는, 제1 도전층; 상기 제1 도전층과 이격된 제2 도전층; 상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 가변 저항층; 및 상기 가변 저항층의 측면을 둘러싸는 불순물 도핑층을 포함하고, 상기 가변 저항층의 폭은 상기 제1 및 제2 도전층의 폭보다 좁을 수 있다. 본 기술에 따르면, 가변 저항층의 측벽에 불순물을 주입하여 전류 통로가 생성되는 영역을 한정함으로써 가변 저항층 내에 전류 통로가 단일하거나 극소수로 생성되도록 할 수 있으며, 이에 따라 저항 스위칭 특성을 균일하게 하면서 비선형성, 동작 속도 등을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的电子器件。根据本发明的半导体器件包括第一导电层; 与所述第一导电层分离的第二导电层; 介于所述第一导电层和所述第二导电层之间的可变电阻层; 以及围绕可变电阻层一侧的杂质掺杂层。可变电阻层的宽度可以窄于第一和第二导电层的宽度。根据本发明，将杂质注入到可变电阻层的侧壁中以限定其中产生电流路径的区域，从而在可变电阻层中产生单个电流路径或几条电流路径。因此，可以提高非线性和运行速度，同时电阻切换特性是均匀的。

5. 发明授权

KR101390341B1 상변화 메모리 소자 有权
标题翻译：相变存储器件
公开(公告)号：KR101390341B1
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020070116666
申请日：2007-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유경창 , 고종우 , 송윤종
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/143 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S257/903
摘要： 열 간섭을 줄일 수 있는 상변화 메모리 소자가 제공된다. 상기 상변화 메모리 소자는 인접한 상변화 메모리 요소들 사이에 공극을 구비한다.
상변화 메모리 소자, 칼코겐 화합물

6. 发明公开

KR1020130092925A 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법 无效
标题翻译：可变电阻记忆体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130092925A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020120014536
申请日：2012-02-13
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이근
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1608 , H01L45/1683 , H01L45/04
摘要： PURPOSE: A variable resistance memory device and a manufacturing method thereof are provided to improve a driving speed by the sidewall of a variable resistance layer including a gap recessed on the inner surface of an opening part of an interlayer dielectric layer. CONSTITUTION: Memory cells are formed on a substrate (10). The memory cells include a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer (30), and an interlayer dielectric layer (40). The interlayer dielectric layer includes an opening part to partially expose the surface of the first electrode. The variable resistance layer is buried in the opening part. The second electrode is formed on the variable resistance layer. The sidewall of the variable resistance layer is recessed from the inner side of the opening part to define a gap.
摘要翻译：目的：提供一种可变电阻存储器件及其制造方法，以通过包含凹陷在层间电介质层的开口部的内表面上的间隙的可变电阻层的侧壁来提高驱动速度。构成：在衬底（10）上形成存储单元。存储单元包括第一电极，第二电极，可变电阻层（30）和层间电介质层（40）。层间介电层包括部分地暴露第一电极的表面的开口部分。可变电阻层埋在开口部分。第二电极形成在可变电阻层上。可变电阻层的侧壁从开口部分的内侧凹入以限定间隙。

7. 发明公开

KR1020130059913A 상변화 메모리 장치 및 그의 제조방법 无效
标题翻译：制造相变随机存取存储装置的方法及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130059913A
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020110126144
申请日：2011-11-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박남균
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1675 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/145
摘要： PURPOSE: A phase change memory device and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of the phase change memory device and to prevent the generation of thermal disturbance. CONSTITUTION: A word line region(220) consisting of a metal or a metal nitride layer is formed in the upper part of a semiconductor substrate(210). A schottky diode(230) includes a barrier metal layer(231) and a P+ polysilicon layer(232) formed in the upper part the barrier metal layer. A phase change structure is formed in the upper part of the schottky diode. The phase change structure includes a lower electrode(250), a phase changing layer(260), and an upper electrode(270). A thermal absorption layer(265) is adjacent to the lower electrode and the phase changing layer.
摘要翻译：目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，以提高相变存储器件的可靠性并防止产生热扰动。构成：在半导体衬底（210）的上部形成由金属或金属氮化物层构成的字线区域（220）。肖特基二极管（230）包括阻挡金属层（231）和形成在阻挡金属层的上部的P +多晶硅层（232）。在肖特基二极管的上部形成相变结构。相变结构包括下电极（250），相变层（260）和上电极（270）。热吸收层（265）与下电极和相变层相邻。

8. 发明授权

KR101002124B1 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：一种半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101002124B1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：KR1020080109294
申请日：2008-11-05
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 이병호
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/324 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1641 , H01L45/1683
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 대한 것으로서, 반도체 소자내의 RC 딜레이를 낮출 수 있는 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
본 실시예의 반도체 소자는 반도체 기판 상에 형성된 제 1 층간 절연층; 상기 제 1 층간 절연층 내에 형성된 컨택 플러그; 상기 컨택 플러그와 연결되고, 상기 제 1 층간 절연층 상에 형성된 제 1 금속 배선층 및 제 2 금속 배선층; 상기 제 1 및 제 2 금속 배선층 상에 형성된 제 2 층간 절연층; 및 상기 제 1 및 제 2 금속 배선층 사이에 형성되는 상변화 물질막;을 포함한다.
반도체 소자

9. 发明公开

KR1020100107438A 전자 부품 및 전자 부품의 제조 방법 有权
标题翻译：电子元件和制造电子元件的方法
公开(公告)号：KR1020100107438A
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：KR1020107007492
申请日：2008-08-29
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 제데마프리소 , 잰트마이클
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/141
摘要： 전자 부품(100)은, 제1실리콘 산화물 레이어(106) 및 제1실리콘 질화물 레이어(108)를 포함하는 제1이층 스택(102); 제2실리콘 산화물 레이어(110) 및 제2실리콘 질화물 레이어(112)를 포함하는 제2이층 스택(104); 및 상이한 전기적 특성을 갖는 적어도 두 개의 상태 사이에서 전환될 수 있는 컨버터블(convertible) 구조(114);를 포함하고, 상기 컨버터블 구조(114)가 상기 제1이층 스택(102)과 상기 제2이층 스택(104) 사이에 배치된다.

10. 发明公开

KR1020100018445A 불휘발성 기억 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100018445A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：KR1020090044433
申请日：2009-05-21
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 기노시따마사하루 , 사사고요시따까 , 다까우라노리까쯔
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90 , H01L45/143
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory device and a method for manufacturing the same are provided to realize a memory cell structure of which a diode is difficult to be heated using a cross-point type memory cell structure which is combined with a memory element composed of a phase change material and a selection element composed of the diode. CONSTITUTION: A first metal wire is electrically connected to a peripheral circuit on a semiconductor substrate. A selection element is electrically connected to a first metal wire. A memory element is electrically connected to the selection element. A second metal wire is electrically connected to the memory element. A third metal wire(109) is electrically connected to the second metal wire and the peripheral circuit. Current serially flows to the third metal wire, the second metal wire(108), a phase change material(107), a buffer layer(106) and the first metal wire(102). Heat generated from the phase change material is transferred to the buffer layer which is arranged around the phase change material, the second metal wire and an interlayer(110).
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，以实现使用与由相位相关的存储元件组合的交叉点型存储单元结构难以加热二极管的存储单元结构改变材料和由二极管组成的选择元件。构成：第一金属线电连接到半导体衬底上的外围电路。选择元件电连接到第一金属线。存储元件电连接到选择元件。第二金属线电连接到存储元件。第三金属线（109）电连接到第二金属线和外围电路。电流串联流向第三金属线，第二金属线（108），相变材料（107），缓冲层（106）和第一金属线（102）。从相变材料产生的热量转移到围绕相变材料，第二金属线和中间层（110）布置的缓冲层。

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