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1. 发明授权

KR101439165B1 캐리어 주입된 실리콘 발광 장치 有权
标题翻译：具有载体注入的硅发光器件
公开(公告)号：KR101439165B1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：KR1020107008565
申请日：2008-10-08
申请人： 인시아바 (피티와이) 리미티드
发明人： 두플레시스모누코
IPC分类号： H01L33/34
CPC分类号： H01L33/34 , H01L27/15 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/54
摘要： 발광 장치(10)는 간접 밴드갭 반도체 물질의 제1몸체(12)를 포함한다. 몸체 내의 제1접합 영역(18)은 제1도핑 유형의 상기 몸체의 제1영역(12.1)과 제2도핑 유형의 상기 몸체의 제2영역(12.2) 사이에 형성된다. 상기 몸체 내의 제2접합 영역(20)은 상기 몸체의 제2영역 및 상기 제1도핑 유형의 상기 몸체의 제3영역 사이에 형성된다. 상기 제1 및 제2접합 영역들은 소수 캐리어 확산 길이보다 멀지 않은 만큼 서로 이격되어 있다. 사용시, 애벌런치 또는 전계 방출 모드 내로 상기 제1접합 영역을 역방향 바이어스 하기 위해, 상기 제2접합 영역을 순방향 바이어스 하여 상기 제1접합 영역 내로 캐리어를 주입시키기 위하여 단자 배열이 상기 몸체의 상기 제1, 제2 및 제3영역들에 연결되어 있다. 절연 물질의 제2몸체(22)는 상기 제3영역의 적어도 하나의 벽에 바로 인접하여 위치함으로써, 상기 제3영역으로부터 기생 주입을 감소시킨다.

2. 发明公开

KR1020100080808A 캐리어 주입된 실리콘 발광 장치 有权
标题翻译：具有载体注射的硅光发射装置
公开(公告)号：KR1020100080808A
公开(公告)日：2010-07-12
申请号：KR1020107008565
申请日：2008-10-08
申请人： 인시아바 (피티와이) 리미티드
发明人： 두플레시스모누코
IPC分类号： H01L33/34
CPC分类号： H01L33/34 , H01L27/15 , H01L33/0008 , H01L33/0016 , H01L33/54
摘要： A light emitting device (10) comprises a first body (12) of an indirect bandgap semiconductor material. A first junction region (18) in the body is formed between a first region (12.1) of the body of a first doping kind and a second region (12.2) of the body of a second doping kind. A second junction (20) region in the body is formed between the second region of the body and a third region of the body of the first doping kind. The first and second junction regions being spaced from one another by not further than a minority carrier diffusion length. A terminal arrangement is connected to the first, second and third regions of the body for, in use, reverse biasing the first junction region into avalanche or field emission mode and for forward biasing the second junction region to inject carriers into the first junction region. A second body (22) of an isolation material is located immediately adjacent at least one wall of the third region, thereby to reduce parasitic injection from the third region.
摘要翻译：发光器件（10）包括间接带隙半导体材料的第一本体（12）。主体中的第一接合区域（18）形成在第一掺杂类型的主体的第一区域（12.1）和第二掺杂类型的主体的第二区域（12.2）之间。主体的第二结区（20）区域形成在主体的第二区域和第一掺杂类型的主体的第三区域之间。第一和第二结区彼此间隔不超过少数载流子扩散长度。端子装置连接到主体的第一，第二和第三区域，用于在使用时将第一接合区域反向偏置成雪崩或场致发射模式，并且用于向前偏置第二接合区域以将载流子注入第一接合区域。隔离材料的第二主体（22）紧邻第三区域的至少一个壁，从而减少从第三区域的寄生注入。

3. 发明公开

KR1020080073462A 교류전원용 발광소자 失效
标题翻译：用于替代电流源的发光器件
公开(公告)号：KR1020080073462A
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：KR1020070012111
申请日：2007-02-06
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 문원하 , 최창환 , 김현준
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/0016 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： A light emitting device for an AC source is provided to decrease a size of a light emitting module by driving a simplified light emitting element using an AC voltage. A light emitting device(100) for an AC source is operated by receiving an AC voltage from the AC source and includes a first semiconductor layer(110) of a first conductive type, a first electrode(111), a second semiconductor layer(130) of a second conductive type, a third semiconductor layer(150) of the first conductive type, and a second electrode(151). The first electrode is formed on the first semiconductor layer and electrically connected to the AC source. The second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer. The third semiconductor layer is formed on the second semiconductor layer. The second electrode is formed on the third semiconductor layer and electrically connected to the AC source.
摘要翻译：提供一种用于AC电源的发光器件，以通过使用AC电压驱动简化的发光元件来减小发光模块的尺寸。 AC电源的发光装置（100）通过从AC源接收AC电压来操作，并且包括第一导电类型的第一半导体层（110），第一电极（111），第二半导体层（130）），第一导电类型的第三半导体层（150）和第二电极（151）。第一电极形成在第一半导体层上并电连接到AC源。第二半导体层形成在第一半导体层上。第三半导体层形成在第二半导体层上。第二电极形成在第三半导体层上并与AC电源电连接。

4. 发明授权

KR101651923B1 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有高工作电压的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101651923B1
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020140194958
申请日：2014-12-31
申请人： 최운용
发明人： 최운용
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0016 , H01L33/0062 , H01L33/0066 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30
摘要： 본발명은인접한활성영역사이에터널링방지층이협지되는반도체발광소자에관한것으로, 상기터널링방지층은전체활성영역중 어느하나의활성영역만을활성화시키기에충분한인가전압하에서는전자또는정공이이동할수 없는반도체층으로, 양자영역범위에서인접한두 활성영역을독립적으로분리시켜, 반도체발광소자는단일칩 내에서수직방향으로복수의독립적인활성영역을포함하여, 고전압구동이가능한것을특징으로한다.

5. 发明公开

KR1020100108560A 이종접합을 포함하는 반도체 발광소자 无效
标题翻译：包含异常的半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020100108560A
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：KR1020107015821
申请日：2009-01-30
申请人： 인시아바 (피티와이) 리미티드
发明人： 스니먼루카스윌렘 , 두플레시스모누코
IPC分类号： H01L31/10 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0016 , H01L33/02
摘要： 반도체 발광소자(10)는 제1도핑 유형(본 경우에서는 n)의 제1영역을 포함하는 제1반도체 물질(본 경우에서는 Ge)의 제1바디(14) 및 제2도핑 유형(본 경우에서는 p)의 제1영역을 포함하는 제2반도체 물질(본 경우에서는 Si)의 제2바디(18)를 포함하는 반도체 구조(12)를 포함한다. 구조는 제1바디(14)와 제2바디(18) 사이에 형성되는 제1이종접합(16), 및 제1 및 제2도핑 유형들 각각의 구조(12)의 영역들 사이에 형성되는 pn접합(17)을 포함하는 접합 영역(15)을 포함한다. 사용시, pn접합에 역 바이어싱하기 위해 구조에 바이어싱 배열(20)이 연결되고, 이에 의해 발광시킨다.

6. 发明公开

KR1020020001809A 발광 사이리스터 매트릭스 어레이 有权
标题翻译：发光晶闸管矩阵阵列
公开(公告)号：KR1020020001809A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020017012424
申请日：2001-01-30
申请人： 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
发明人： 오흐추카순수케 , 쿠수다유키히사 , 오노세이지 , 아리마타카히사 , 사이토우히데아키 , 쿠로다야수나오
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/0016
摘要： 본발명은기판을공통의음극으로하는 3단자발광사이리스터의어레이를 n개(n은 2 이상의정수)의발광사이리스터마다블록화하고, 각블록내의 n개의발광사이리스터의게이트를각각독립인 n개의게이트선택선과접속하며, 또한각 블록내의 n개의발광사이리스터의양극을공통의전극에접속하고있는발광사이리스터매트릭스어레이에있어서, 전기적으로접속되지않고서배선을교차시키는구조를제공한다.
摘要翻译：可以提供发光晶闸管矩阵阵列，其中布线交叉而不彼此电连接。将衬底用作公共阴极或阳极的三端子发光晶闸管的阵列被n（n为整数> / = 2）分成块n，n个发光晶闸管的栅极包括在每个块分别连接到n个栅极选择线，并且每个块中包括的n个发光晶闸管的阳极或阴极分别共同连接到一个端子。

7. 发明公开

KR20180060704A 수직 적층형 마이크로 디스플레이 审中-公开
公开(公告)号：KR20180060704A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：KR20160160504
申请日：2016-11-29
IPC分类号： H05B33/12 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/14
CPC分类号： H01L27/3211 , H01L24/26 , H01L27/3246 , H01L33/0016 , H01L33/06 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/62
摘要： 마이크로디스플레이가개시된다. 디스플레이를구성하는각각의디스플레이부는라인형태로구성된복수개의 n형반도체상에개별화된활성층및 p형반도체층을가진다. 이를통해하나의스트링형태로제공되는공통 n형반도체상에다수개의발광구조가형성되며, n형반도체의배치방향과수직인양극패턴이배치되는크로스바구조가형성된다. 이를통해발광체들을개별적으로제어할수 있으며, 디스플레이를구현할수 있다.

8. 发明公开

KR1020160061452A 발광 사이리스터 및 이를 이용한 발광장치 有权
标题翻译：光产生装置和使用它的装置
公开(公告)号：KR1020160061452A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：KR1020140163087
申请日：2014-11-21
申请人： 주식회사 레이토피아
发明人： 소순진
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/08 , H01L29/74 , H01L33/0016
摘要： 발광효율을향상시킬수 있는발광사이리스터및 이를포함하는발광장치가개시된다. 이러한, 발광사이리스터는기판, 상기기판상부에형성된양극층, 상기양극층상부에형성된 n형게이트층, 상기 n형게이트층상부에형성된 p형게이트층및 상기 p형게이트층상부에형성된음극층을포함한다. 이때, 상기 n형게이트층의불순물의농도는상기양극층및 상기 p형게이트층의불순물의농도보다낮으며, 상기양극층및 상기 p형게이트층의불순물의농도차이는 1×10(원자/cm) 이하로형성된다.
摘要翻译：公开了一种发光晶闸管和包括发光晶闸管以提高发光效率的发光器件。发光晶闸管包括：基板; 阳极层，其形成在所述基板上; 在阳极层上形成的n型栅极层，形成在n型栅极层上的p型栅极层; 以及形成在p型栅极层上的阴极层。 n型栅极层的杂质浓度低于p型栅极层的杂质浓度，阳极层和p型栅极层之间的杂质浓度差等于或小于 1×10（原子/ cm 3）。

9. 发明授权

KR101431476B1 직류구동의 무기이엘소자와 발광방법 有权
标题翻译：直流电驱动无机电致发光元件和发光方法
公开(公告)号：KR101431476B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020127024336
申请日：2010-06-18
申请人： 고분도인사쓰 유겐가이샤
发明人： 이시무라다쿠요시
IPC分类号： H05B33/22
CPC分类号： C09K11/574 , C09K11/0822 , C09K11/7745 , H01L33/0016 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/502
摘要： 무기물인 형광체 물질에 직류전압을 인가함으로써 발광시킬 수 있고, 형광체층에 분산된 발광중심 또는 형광체의 종류를 변화시킴으로써 발광색을 적절하게 변화시킬 수 있는 무기EL소자를 제공한다.
직류구동의 발광소자의 내부에 반도체로 NPN형 구조를 형성하고, 또한 그것에 인접하여 형광체 물질을 증착한 후, 제1전극과 제2전극으로 협지한 구조의 무기EL소자를 만든다. 이 구조를 이용하여 음극측의 PN접합에 순방향 전압을 가하여 P형 반도체층 내에 전자를 주입한다. 또한 P형 반도체층과 N형 반도체의 가속층으로 형성되어 있는 PN접합부를 역바이어스함으로써 가속층 내부에 넓어진 공핍층의 전기장을 이용하여 전자를 가속하고, 발광중심 또는 형광체에 충돌시켜 발광을 얻는 방법이다.

10. 发明授权

KR100891799B1 교류전원용 발광소자 失效
标题翻译：交流电源用发光装置
公开(公告)号：KR100891799B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070012111
申请日：2007-02-06
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 문원하 , 최창환 , 김현준
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/0016 , H01L33/08 , H01L33/32
摘要： 보다 간단한 구조의 발광소자를 교류전원을 직접 이용하여 사용하여 발광소자 모듈이 소형화되고, 별도의 구동장치에 의한 발광효율의 감소를 방지하며, p형 전극의 오믹 접촉 문제를 해결할 수 있고, 전극 수 감소 및 보다 넓은 발광면적을 확보할 수 있는 발광소자가 제안된다. 본 발명에 따르면, 제1도전형의 제1반도체층, 상기 제1도전형의 제1반도체층 상에 형성되어 교류전원과 전기적으로 연결되는 제1전극, 제1도전형의 제1반도체층 상에 형성되고, 제1도전형의 제1반도체층과 반대극성으로 도핑된 제2도전형의 제2반도체층, 제2도전형의 제2반도체층 상에 형성되는 제1도전형의 제3반도체층, 및 제3반도체층 상에 형성되어 교류전원과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 교류전원으로부터 제1전극 및 제2전극을 통하여 전압을 인가받아 동작하는 교류전원용 발광소자가 개시된다.
발광소자, 활성층, 교류전원

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