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1. 发明授权

KR101901036B1 종형 트랜지스터를 사용한 하중 센서 有权
公开(公告)号：KR101901036B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020167004036
申请日：2014-07-30
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 이노우에다카시 , 하타겐스케 , 가토데츠야 , 사카이겐이치 , 우노마유미 , 다케야준이치
IPC分类号： G01L1/18 , H01L51/05 , H01L29/84
CPC分类号： G01L1/2293 , G01L1/18 , H01L29/22 , H01L29/84 , H01L51/057
摘要： 리브및 유기반도체박막등을사용한종형트랜지스터에의해하중센서를구성하고, 종형트랜지스터에있어서의채널길이, 즉, 드레인·소스간의간격의변화에기초하여하중측정을행한다. 이에의해, 전류 Ids가인가되는하중에대해선형적인변화를나타내도록할 수있다.

2. 发明授权

KR101825111B1 압전 장치 및 그 제조 및 사용 방법 有权
标题翻译：压电器件及其制造和使用方法
公开(公告)号：KR101825111B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020147011557
申请日：2011-12-20
申请人： 인디언 인스티튜트 오브 테크놀로지 마드라스
发明人： 찬드란,마니쉬 , 라오,엠.에스.라마찬드라
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/18 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/0815 , H01L21/02521 , H01L29/1602 , H01L29/66015 , H01L29/84 , H01L41/1876 , H01L41/253 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H9/02582
摘要： 본발명의일 실시예에따르면압전장치를제조하는방법이제공된다. 방법은, 기판을제공하는단계및 그기판의제1 표면상에나노결정다이아몬드층을형성하는단계를포함한다. 방법은또한나노결정다이아몬드의제1 표면상에압전장치를증착하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，提供了一种制造压电器件的方法。该方法包括提供衬底并在衬底的第一表面上形成纳米晶金刚石层。该方法还包括在纳米晶金刚石的第一表面上沉积压电器件。

3. 发明公开

KR1020170143461A 가혹 환경 반도체 센서 조립체 审中-实审
标题翻译：恶劣的环境半导体传感器组件
公开(公告)号：KR1020170143461A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020170078346
申请日：2017-06-21
申请人： 멜렉시스 테크놀로지스 엔브이
发明人： 첸지안 , 오테라우렌트
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/58 , H01L23/00
CPC分类号： G01L9/0055 , G01L9/0042 , G01L19/0069 , G01L19/0084 , G01L19/06 , G01L19/0627 , G01L19/143 , H01L29/84 , H01L2224/05554 , H01L2224/06 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 부식성환경에사용하기위한반도체센서조립체(30, 30', 30")는, - 부식성환경에서부식성구성요소에의해부식될수 있는물질의적어도하나의제 1 본드패드(12)를포함하는처리디바이스(10')와, - 제 1 내부식성물질로구성될수 있고, 및/또는제 1 내부식성물질로덮일수 있는, 적어도하나의제 2 본드패드(21, 21')를포함하는센서디바이스(20, 20')와, - 상기처리디바이스의적어도하나의제 1 본드패드와, 상기센서디바이스의적어도하나의제 2 본드패드사이의신호연결을위한적어도하나의본딩와이어(34)를포함하되, 상기처리디바이스(10')는제 2 내부식성물질(32)에의해부분적으로오버몰딩되고, 상기제 2 내부식성물질(32) 내공동(36)에부분적으로노출되며, 상기센서디바이스(20, 20')는상기공동(36) 내에존재하고, 제 2 내부식성물질(32)이적어도하나의제 1 본드패드(12)를덮는동안상기처리디바이스(10')와센서디바이스(20, 20') 사이의신호연결이공동(36) 내에서물리적으로이루어지도록재분배층(18)이제공된다.
摘要翻译：一种用于腐蚀环境中的半导体传感器组件（30,30'，30“），包括： - 处理装置，包括至少一个第一接合垫（12），该第一接合垫能够被腐蚀性环境中的腐蚀性组分腐蚀以及至少一个第二接合垫（21,21'），其可以由第一耐腐蚀材料构成和/或可以用第一耐腐蚀材料覆盖， 20'）;用于信号连接在处理装置的至少一个第一接合焊盘与传感器装置的至少一个第二接合焊盘之间的至少一根接合线（34）装置10'部分地由第二耐腐蚀材料32包覆成型并部分暴露于第二耐腐蚀材料32和传感器装置20,20'中的空腔36，存在于空腔36中，并且第二耐腐蚀材料32甚至覆盖一个第一接合焊盘12 现在提供再分配层18，使得处理装置10'和传感器装置20,20'之间的信号连接物理地在空腔36内。

4. 发明授权

KR101767726B1 디랙 물질을 구비한 압력 감지 소자 및 이의 동작 방법 有权
标题翻译：具有对角线材料的压力传感元件和操作方法
公开(公告)号：KR101767726B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020150090446
申请日：2015-06-25
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이승백 , 설원제 , 전현석
IPC分类号： G01L1/14 , G01L9/00 , G01L5/00
CPC分类号： G01L1/005 , G01L1/148 , G01L1/2293 , G01L5/228 , G01L9/0098 , H01L29/1606 , H01L29/66015 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/84
摘要： 디랙물질을구비한압력감지소자및 이의동작방법을제공한다. 압력감지소자는기판상에배치되고디랙콘들이디랙점에서만나는밴드구조를갖는디랙물질을구비한다. 상기디랙물질패턴의양단에소오스전극과드레인전극이각각접속한다. 상기디랙물질패턴상에서캐버티를구비하는스페이서층이상기기판상에배치된다. 상기디랙물질패턴과중첩된게이트전극이상기캐버티상부에배치된다.
摘要翻译：提供了一种具有斜材料的压力传感元件及其操作方法。压力传感元件设置在基底上，并且具有斜向材料，该斜向材料具有微妙物在对角点处相交的能带结构。源电极和漏电极分别连接到材料图案的两端。设置在具有潮解材料图案上的空腔的间隔层或更多器件板上。并设置在栅极电极移相器腔体的顶部，与腔体材料图案重叠。

5. 发明公开

KR1020160033176A 종형 트랜지스터를 사용한 하중 센서 审中-实审
标题翻译：使用垂直晶体管的负载传感器
公开(公告)号：KR1020160033176A
公开(公告)日：2016-03-25
申请号：KR1020167004036
申请日：2014-07-30
申请人： 가부시키가이샤 덴소
发明人： 이노우에다카시 , 하타겐스케 , 가토데츠야 , 사카이겐이치 , 우노마유미 , 다케야준이치
IPC分类号： G01L1/18 , H01L51/05 , H01L29/84
CPC分类号： G01L1/2293 , G01L1/18 , H01L29/22 , H01L29/84 , H01L51/057
摘要： 리브(2) 및유기반도체박막(5) 등을사용한종형트랜지스터에의해하중센서(100)를구성하고, 종형트랜지스터에있어서의채널길이, 즉, 드레인·소스간의간격의변화에기초하여하중측정을행한다. 이에의해, 전류 Ids가인가되는하중에대해선형적인변화를나타내도록할 수있다.
摘要翻译：负载传感器由肋和包括有机半导体膜的垂直晶体管构成，并且可以基于作为垂直晶体管的沟道长度的漏电极和源电极之间的间隙的变化来执行负载测量。因此，电流Ids的改变与施加到负载传感器的负载成线性关系。

6. 发明公开

KR1020150144750A 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 초음파 트랜스듀서 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：补充金属氧化物半导体（CMOS）超声波传感器及其形成方法
公开(公告)号：KR1020150144750A
公开(公告)日：2015-12-28
申请号：KR1020157029571
申请日：2014-03-13
申请人： 버터플라이 네트워크, 인크.
发明人： 로스버그,조나단,엠. , 피페,키스,지. , 랄스톤,타일러,에스. , 찰바트,그레고리,엘. , 산체스,네바다,제이.
IPC分类号： H01L29/84 , B81B7/00 , H04R19/00 , B06B1/02 , B81C1/00 , G01N29/24 , H01L21/8238
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： 상보성금속산화물반도체(CMOS) 초음파트랜스듀서들(CUTs)과 CUT들을형성하기위한방법들이설명된다. CUT들은모놀리식으로통합된초음파트랜스듀서들과, 이트랜스듀서들과관련하여작동하기위한집적회로들을포함할수 있다. CUT들은초음파촬상장치들및/또는고강도집속초음파(HIFU) 장치들과같은초음파장치들에사용될수 있다.
摘要翻译：描述了互补金属氧化物半导体（CMOS）超声波换能器（CUT）以及用于形成CUT的方法。 CUT可以包括用于与换能器连接的单体集成超声换能器和集成电路。 CUT可用于超声波装置，例如超声成像装置和/或高强度聚焦超声（HIFU）装置。

7. 发明授权

KR101573645B1 변형을 감지하는 전계 효과 트랜지스터 장치, 기기 및 방법 有权
标题翻译：场效应晶体管装置和感测变形的方法
公开(公告)号：KR101573645B1
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020147006227
申请日：2012-07-24
申请人： 노키아 코포레이션
发明人： 키비오자자니 , 화이트리차드
IPC分类号： H01L29/78 , G01L1/00
CPC分类号： G01L1/2293 , H01L29/1606 , H01L29/404 , H01L29/66015 , H01L29/778 , H01L29/84
摘要： 장치는전하캐리어들을소스전극(203)으로부터드레인전극(204)으로흐를수 있도록구성된제1 층(201)과, 제1 층(201)과제2 층(206) 사이에서형성된전계를이용하여제1 층(201) 내전하캐리어들의밀도를제어하도록구성된제2 층(206)과, 제1 층(201)과제2 층(206) 사이에위치하여제1 층(201)을전계로부터차폐시키는제3 층(211)을포함하며, 제3 층(211)은전기전도성나노입자들(212)의층을포함하며제3 층(211)에응력이가해질때 제1 층(201)이받는전계의강도가변하여전하캐리어밀도의변화및 제1 층(201)의컨덕턴스의상응하는변화를일으키도록구성된다.

8. 发明公开

KR1020150130975A 나노와이어 기반의 기계적 스위칭 디바이스 审中-实审
标题翻译：基于纳米级的机械开关装置
公开(公告)号：KR1020150130975A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020157020504
申请日：2013-03-14
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 파워쉬,치트라 , 김,라성 , 김,세연 , 쿤,켈린 , 마니파트루니,사시칸트 , 리오스,라파엘 , 영,이안에이. , 린,케빈 , 차우드리,아누라그
IPC分类号： H01H59/00 , H01H1/00 , H01H9/02 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/84 , B82Y10/00 , H01H1/0094 , H01H9/0271 , H01H59/0009 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/161
摘要： 나노와이어기반의기계적스위칭디바이스들이설명된다. 예를들어, 나노와이어릴레이는기판위에배치되는보이드에배치되는나노와이어를포함한다. 이러한나노와이어는앵커링된부분과뜬 부분을갖는다. 제1 게이트전극은, 보이드에인접하여배치되고, 나노와이어로부터이격된다. 제1 도전성영역은, 제1 게이트전극에인접하고보이드에인접하여배치되며, 나노와이어로부터이격된다.
摘要翻译：描述了基于纳米线的机械开关装置。例如，纳米线继电器包括布置在衬底上方的空隙中的纳米线。纳米线具有锚固部分和悬挂部分。第一栅电极邻近空隙设置，并与纳米线隔开。第一导电区域邻近第一栅电极设置并邻近空隙，并与纳米线隔开。

9. 发明授权

KR101542971B1 압저항 센서 有权
标题翻译： PIEZORESISTIVE传感器
公开(公告)号：KR101542971B1
公开(公告)日：2015-08-07
申请号：KR1020130165486
申请日：2013-12-27
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 김동구 , 이용성 , 이희원
IPC分类号： G01L5/16 , G01L1/18 , G01L3/10
CPC分类号： H01L29/84 , G01L1/18 , G01L5/162
摘要： 압저항센서는반도체기판, 상기반도체기판에서중심체를중심으로십자형태로형성된 4개의빔, 및상기 4개의빔 위에형성된 16개의압저항패턴을포함하고, 상기 16개의압저항패턴은 X자형태로구성되어상기 4개의빔에배치되는 4개의압저항패턴그룹을포함한다. 압저항센서의측정정밀도가향상될수 있다.

10. 发明授权

KR101539670B1 전기에너지 발생장치 有权
标题翻译：用于产生电能的装置
公开(公告)号：KR101539670B1
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020090097449
申请日：2009-10-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박영준 , 차승남
IPC分类号： H01L31/04 , H01L41/04
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L27/20 , H01L29/0676 , H01L29/43 , H01L29/84 , H01L31/035227 , H01L41/1136
摘要： 전기에너지발생장치가개시된다. 개시된전기에너지발생장치는압전특성을가지는반도체물질로이루어진복수의나노와이어를이용하여태양전지소자와압전소자를일체로형성한다.

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