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1. 发明授权

KR102040571B1 나노와이어 기반의 기계적 스위칭 디바이스 有权
公开(公告)号：KR102040571B1
公开(公告)日：2019-11-06
申请号：KR1020157020504
申请日：2013-03-14
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 파워쉬,치트라 , 김,라성 , 김,세연 , 쿤,켈린 , 마니파트루니,사시칸트 , 리오스,라파엘 , 영,이안에이. , 린,케빈 , 차우드리,아누라그
IPC分类号： H01L29/84 , B82Y10/00 , H01H1/00 , H01H9/02 , H01H59/00 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/161

2. 发明授权

KR101753648B1 자기 상태 엘리먼트 및 회로 有权
标题翻译：磁性元件和电路
公开(公告)号：KR101753648B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020147026340
申请日：2012-03-29
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마니파트루니,사시칸트 , 니코노브,드미트리이. , 영,이안에이.
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/14 , G06F1/00
CPC分类号： H01L29/66984 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/226 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H03K19/16
摘要： 자기제어신호를수신하여자신의저항을조절하는가변저항자기(VRM; Variable Resistive Magnetic) 디바이스; 및 VRM 디바이스에연결되고, 자기논리입력을수신하여자기논리입력에대한논리연산을수행하고, VRM 디바이스의저항에기초하여출력자기신호를구동하는자기논리게이팅(MLG) 디바이스를포함하는, 스핀상태엘리먼트디바이스용장치가개시된다. 자기제어신호를수신하여자신의저항을조절하는제1 VRM 디바이스; 자기제어신호를수신하여자신의저항을조절하는제2 VRM 디바이스; 및상기제1 및제2 VRM 디바이스에연결되고, 상기제1 및제2 VRM 디바이스의저항에기초하여자기신호를출력하는적어도 2개의출력자석을갖는 MLG 디바이스를포함하는자기디멀티플렉서가개시된다.
摘要翻译：通过接收磁控制信号以控制它们的电阻的可变磁阻（VRM;可变磁阻）装置; 和它被联接到VRM设备，磁性接收逻辑输入到在磁性逻辑输入执行逻辑运算，并基于该VRM设备输出的电阻到一个磁逻辑选通（MLG），用于驱动磁信号，自旋状态的装置公开了一种用于元件装置的设备。第一VRM设备接收自控信号并调节其电阻; 第二VRM设备接收自控信号并调节其电阻; 和连接到所述第一mitje 2 VRM设备，包括具有至少两个输出磁体和输出基于所述第一mitje 2 VRM器件的电阻的所需信号MLG设备自多路分用器中公开。

3. 发明公开

KR1020140132375A 자기 상태 엘리먼트 및 회로 有权
标题翻译：磁性元件和电路
公开(公告)号：KR1020140132375A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：KR1020147026340
申请日：2012-03-29
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마니파트루니,사시칸트 , 니코노브,드미트리이. , 영,이안에이.
IPC分类号： G11C11/15 , G11C5/14 , G06F1/00
CPC分类号： H01L29/66984 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/226 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H03K19/16
摘要： 자기 제어 신호를 수신하여 자신의 저항을 조절하는 가변 저항 자기(VRM; Variable Resistive Magnetic) 디바이스; 및 VRM 디바이스에 연결되고, 자기 논리 입력을 수신하여 자기 논리 입력에 대한 논리 연산을 수행하고, VRM 디바이스의 저항에 기초하여 출력 자기 신호를 구동하는 자기 논리 게이팅(MLG) 디바이스를 포함하는, 스핀 상태 엘리먼트 디바이스용 장치가 개시된다. 자기 제어 신호를 수신하여 자신의 저항을 조절하는 제1 VRM 디바이스; 자기 제어 신호를 수신하여 자신의 저항을 조절하는 제2 VRM 디바이스; 및 상기 제1 및 제2 VRM 디바이스에 연결되고, 상기 제1 및 제2 VRM 디바이스의 저항에 기초하여 자기 신호를 출력하는 적어도 2개의 출력 자석을 갖는 MLG 디바이스를 포함하는 자기 디멀티플렉서가 개시된다.
摘要翻译：描述了一种用于自旋状态元件器件的装置，其包括：可变电阻磁极（VRM）器件，用于接收磁控制信号以调节VRM器件的电阻; 以及耦合到VRM装置的磁逻辑门控（MLG）装置，以接收磁逻辑输入并对磁逻辑输入执行逻辑运算，并且基于VRM装置的电阻来驱动输出磁信号。描述了一种磁解多路复用器，其包括：第一VRM装置，用于接收磁控制信号以调整第一VRM的电阻; 第二VRM装置，用于接收所述磁控信号以调整所述第二VRM装置的电阻; 以及耦合到第一和第二VRM装置的MLG装置，MLG装置具有至少两个输出磁体，以基于第一和第二VRM装置的电阻输出磁信号。

4. 发明公开

KR1020160136282A 자벽 로직 디바이스들 및 인터커넥트 审中-实审
标题翻译：磁力域逻辑设备和互连
公开(公告)号：KR1020160136282A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020167022288
申请日：2014-03-25
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 니코노프,드미트리이. , 마니파트루니,사시칸트 , 영,이안에이.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H03K19/18 , H03K19/23
摘要： 제1, 제2, 및제3 자유자기층들; 제1 및제3 자유자기층들에연결되는제1 재료의제1 금속층; 및제1 재료와상이한제2 재료의제2 금속층- 제2 금속층은제2 및제3 자유자기층들에연결됨 -을포함하는장치가설명된다. 링의자유자기층; 및자유자기층에연결되는제1, 제2, 제3 및제4 자유자기층들을포함하는 STT 다수결게이트디바이스가설명된다.
摘要翻译：描述了一种装置，其包括：第一，第二和第三自由磁性层; 耦合到所述第一和第三自由磁性层的第一材料的第一金属层; 以及与第一材料不同的第二材料的第二金属层，第二金属层耦合到第二和第三自由磁性层。描述的是STT多数门装置，其包括：环中的自由磁性层; 以及耦合到自由磁性层的第一，第二，第三和第四自由磁性层。

5. 发明公开

KR1020150130975A 나노와이어 기반의 기계적 스위칭 디바이스 审中-实审
标题翻译：基于纳米级的机械开关装置
公开(公告)号：KR1020150130975A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020157020504
申请日：2013-03-14
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 파워쉬,치트라 , 김,라성 , 김,세연 , 쿤,켈린 , 마니파트루니,사시칸트 , 리오스,라파엘 , 영,이안에이. , 린,케빈 , 차우드리,아누라그
IPC分类号： H01H59/00 , H01H1/00 , H01H9/02 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/84 , B82Y10/00 , H01H1/0094 , H01H9/0271 , H01H59/0009 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/161
摘要： 나노와이어기반의기계적스위칭디바이스들이설명된다. 예를들어, 나노와이어릴레이는기판위에배치되는보이드에배치되는나노와이어를포함한다. 이러한나노와이어는앵커링된부분과뜬 부분을갖는다. 제1 게이트전극은, 보이드에인접하여배치되고, 나노와이어로부터이격된다. 제1 도전성영역은, 제1 게이트전극에인접하고보이드에인접하여배치되며, 나노와이어로부터이격된다.
摘要翻译：描述了基于纳米线的机械开关装置。例如，纳米线继电器包括布置在衬底上方的空隙中的纳米线。纳米线具有锚固部分和悬挂部分。第一栅电极邻近空隙设置，并与纳米线隔开。第一导电区域邻近第一栅电极设置并邻近空隙，并与纳米线隔开。

6. 发明公开

KR1020150056855A 슈퍼커패시터를 제조하기 위한 구조 有权
标题翻译：结构化超临界
公开(公告)号：KR1020150056855A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020157010163
申请日：2013-06-24
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 도일,브라이언에스. , 마니파트루니,사시칸트 , 리프,샤나,엠. , 싱,비벡케이.
IPC分类号： H01G4/008 , B82Y10/00 , D03D1/00 , H01L49/02 , H01L29/06 , H01L29/775
CPC分类号： H01G4/008 , B82Y10/00 , D03D1/0088 , D10B2401/18 , H01G4/28 , H01L28/60 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/775 , Y02E60/13
摘要： 전하축적섬유가기재되어있다. 한실시형태에서, 전하축적섬유는, 가요성전기전도성섬유, 상기가요성전기전도성섬유상의유전체코팅, 및상기유전체코팅상의금속코팅을포함한다. 한실시형태에서, 전하축적섬유는직물기반제품에부착된다.
摘要翻译：描述电荷存储纤维。在一个实施例中，电荷存储光纤包括柔性导电纤维，柔性导电纤维上的介电涂层以及介电涂层上的金属涂层。在一个实施例中，电荷存储光纤连接到基于纺织品的产品上。

7. 发明授权

KR102244098B1 자벽 로직 디바이스들 및 인터커넥트 有权
公开(公告)号：KR102244098B1
公开(公告)日：2021-04-26
申请号：KR1020167022288
申请日：2014-03-25
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 니코노프,드미트리이. , 마니파트루니,사시칸트 , 영,이안에이.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/02 , H01L43/10
摘要： 제1, 제2, 및제3 자유자기층들; 제1 및제3 자유자기층들에연결되는제1 재료의제1 금속층; 및제1 재료와상이한제2 재료의제2 금속층- 제2 금속층은제2 및제3 자유자기층들에연결됨 -을포함하는장치가설명된다. 링의자유자기층; 및자유자기층에연결되는제1, 제2, 제3 및제4 자유자기층들을포함하는 STT 다수결게이트디바이스가설명된다.

8. 发明授权

KR102110859B1 통합된 캐패시터 기반 전력 분배 有权
公开(公告)号：KR102110859B1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：KR1020157021984
申请日：2013-03-15
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마니파트루니,사시칸트 , 니코노브,드미트리이. , 영,이안에이.
IPC分类号： G11C11/16 , G11C5/14

9. 发明授权

KR101738060B1 슈퍼커패시터를 제조하기 위한 구조 有权
公开(公告)号：KR101738060B1
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020157010163
申请日：2013-06-24
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 도일,브라이언에스. , 마니파트루니,사시칸트 , 리프,샤나,엠. , 싱,비벡케이.
IPC分类号： H01G4/008 , B82Y10/00 , D03D1/00 , H01L49/02 , H01L29/06 , H01L29/775
CPC分类号： H01G4/008 , B82Y10/00 , D03D1/0088 , D10B2401/18 , H01G4/28 , H01L28/60 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/775 , Y02E60/13
摘要： 전하축적섬유가기재되어있다. 한실시형태에서, 전하축적섬유는, 가요성전기전도성섬유, 상기가요성전기전도성섬유상의유전체코팅, 및상기유전체코팅상의금속코팅을포함한다. 한실시형태에서, 전하축적섬유는직물기반제품에부착된다.

10. 发明公开

KR1020160061316A 전압 제어된 나노-자기 난수 발생기 审中-实审
标题翻译：电压控制NANO-MAGNETIC随机数发电机
公开(公告)号：KR1020160061316A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020167004713
申请日：2013-09-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마니파트루니,사시칸트 , 니코노프,드미트리이. , 영,이언에이.
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/08 , G06F17/00 , G06F3/041 , G06F7/58
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , G06F1/1613 , G06F7/588 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/10
摘要： 전압제어된나노-자기난수발생기를위한장치가기술된다. 본장치는자유강자성층; 자유강자성층에대해비공선적방향에위치한고정강자성층; 및자유강자성층에결합되어, 자유강자성층에바이어스전압을제공하는제1 단자를포함한다. 비공선형으로위치하는자유및 고정강자성층들을갖는 MTJ(magnetic tunnel junction) 디바이스를포함하는난수발생기; 및자유강자성층에조정가능한바이어스전압을제공하여, 난수발생기에의해생성된전류의분산을제어하는회로를포함하는집적회로가또한기술된다.

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