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1. 发明公开

KR1020160017490A 엑스선 검출기 审中-实审
标题翻译： X射线探测器
公开(公告)号：KR1020160017490A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140101102
申请日：2014-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재철 , 김선일 , 이동욱 , 이창범
IPC分类号： G01T1/24 , G01N23/02 , H01L21/66
CPC分类号： G01T1/24 , H01L27/14612 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L31/0272 , H01L31/032
摘要： 엑스선검출기가개시된다. 개시된엑스선검출기는박막트랜지스터부및 캐패시터부를포함할수 있으며, 캐패시터부는다중스토리지캐패시터를포함하는구조로형성될수 있다. 상부전극을통하여광전자물질층에조사된엑스선에의해전자-홀쌍이생성될수 있으며, 생성된전자를다중스토리지캐패시터에저장할수 있다. 공통전극과스토리지전극및 공통전극과집전전극사이에각각스토리지캐패시터를형성할수 있다.
摘要翻译：公开了一种X射线检测器。 X射线检测器可以包括：薄膜晶体管（TFT）单元; 和电容器单元。电容器单元可以形成为具有多存储电容器的结构。可以通过通过上电极照射到光电导材料层的X射线产生电子 - 空穴对，并且所产生的电子可以存储在多存储电容器中。可以在公共电极和存储电极之间以及公共电极和收集电极之间分别形成存储电容器。

2. 发明公开

KR1020150067831A 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译： X射线探测器的阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150067831A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020130152850
申请日：2013-12-10
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김대규 , 하성봉
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/115
CPC分类号： H01L27/14676 , H01L31/085 , H01L31/105 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 본발명에따른엑스레이검출기의어레이기판은기판, 상기기판상에서로교차하도록형성된게이트라인및 리드아웃라인, 상기게이트라인및 리드아웃라인이교차하는영역에형성되며, 게이트전극, 게이트절연막, 액티브층, 소스전극, 드레인전극, 제1 층간절연막을포함하여이루어진박막트랜지스터, 상기박막트랜지스터와연결되는하부전극, 상기하부전극상에형성된 PIN층, 및상기 PIN층상에형성되는상부전극을포함하여이루어진 PIN 다이오드, 상기 PIN 다이오드의상부전극과연결되는바이어스라인, 및상기바이어스라인과상기 PIN 다이오드의단차부가중첩되는영역아래에형성된단차보상층을포함하는것을특징으로하여, 상기 PIN 다이오드의높은단차를감소시켜서상기바이어스라인의단선불량을감소시킬수 있다.
摘要翻译：根据本发明的X射线探测器的阵列基板包括基板，形成为与基板交叉的栅极线和引出线，栅极电极，栅极绝缘膜，有源层，一种薄膜晶体管，包括源电极，漏电极和第一层间绝缘膜;下电极，连接到薄膜晶体管; PIN层，形成在下电极上;以及上电极，形成在PIN层上。连接到PIN二极管的上电极的偏置线以及在偏置线和PIN二极管的台阶彼此叠加的区域下形成的电平差补偿层，可以减少偏置线的断开故障。

3. 发明公开

KR1020150064959A 엑스선 디텍터 및 이를 이용한 엑스선 영상장치와 이의 구동방법 审中-实审
标题翻译： X射线探测器和X射线成像装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020150064959A
公开(公告)日：2015-06-12
申请号：KR1020130149934
申请日：2013-12-04
申请人： 주식회사 레이언스 , (주)바텍이우홀딩스 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 이동진 , 김태우 , 임성일 , 전표진
IPC分类号： H01L31/115
CPC分类号： G01T1/241 , G01N23/04 , H01L27/14676 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/0328 , H01L31/085
摘要： 본발명은기판상에형성되고제 1 구동전압(V1)이인가되는하부전극과; 상기하부전극주변에형성되고제 2 구동전압(V2)이인가되는보조전극과; 상기하부전극및 보조전극상에형성된광도전층과; 상기광도전층상에형성되고제 3 구동전압(V3)이인가되는상부전극을포함하며, X선조사오프직후상기제 3 구동전압(V3)은역 바이어스전압인 X선디텍터를제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种形成在其上施加第一驱动电压（V1）的基板上的下电极; 形成在下电极周围的辅助电极，其中施加有第二驱动电压（V2）; 形成在下电极和辅助电极上的光导电层; 以及x射线检测器，其包括形成在稍后的光导上形成的上电极，其中施加有第三驱动电压（V3），其中第三驱动电压（V3）是在检测到x射线之后立即反转偏压。

4. 发明公开

KR1020150021051A 박막 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020150021051A
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020147035502
申请日：2013-06-04
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 오노마사시 , 다카타마사히로 , 이데우에도시야 , 다나카아츠시 , 스즈키마사유키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02628 , G01N23/04 , G01T1/24 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L29/263 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L31/032 , H01L29/78606 , H01L29/78618
摘要： 본 발명은, 액상법에 의해 투명 아모르퍼스 산화물 반도체층을 형성하고, 비교적 저온에서의 어닐 처리로 높은 이동도를 나타내는 박막 트랜지스터의 제조 방법, 그리고 그것에 의해 제조된 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극에 접하는 게이트 절연막을 형성하는 공정과, In
(a) Ga
(b) Zn
(c) O
(d) (a ≥ 0, b ≥ 0, c ≥ 0, a + b + c = 1, d > 0) 로 나타내고, b ≤ 1/3, 또한 b ≥ -10a/7 + 1 을 만족하는 제 1 영역, 및 In
(e) Ga
(f) Zn
(g) O
(h) (e ≥ 0, f ≥ 0, g ≥ 0, e + f > 0, h > 0) 로 나타내고, 상기 게이트 전극에 대하여 상기 제 1 영역보다 멀리 위치하는 제 2 영역을 갖고, 상기 게이트 절연막을 개재하여 상기 게이트 전극에 대향 배치되어 있는 산화물 반도체층을 액상법에 의해 형성하는 공정을 포함한다.
摘要翻译：制造薄膜晶体管的方法包括：形成栅电极; 形成与所述栅电极接触的栅极绝缘膜; 通过液相法形成面对栅极电极的氧化物半导体层，其间设置有栅极绝缘膜，所述氧化物半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域由In（a）Ga（ b）Zn（c）O（d），第二区域由In（e）Ga（f）Zn（g）O（h）表示，第二区域位于比第一区域更远离栅电极的位置; 并且形成彼此分离并能够通过氧化物半导体层导电连接的源电极和漏电极。

5. 发明公开

KR1020150006184A 이미지센서와 그 제조방법 无效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150006184A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：KR1020130079622
申请日：2013-07-08
申请人： 주식회사 레이언스 , (주)바텍이우홀딩스
发明人： 김태우 , 이동진
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14696 , H01L27/14676
摘要： 본 발명은 기판 상에, CdTe나 CdZnTe로 이루어진 광도전층과, 상기 광도전층을 이루는 물질에 도핑물질이 포함된 도핑층을 포함하는 광도전체와; 상기 광도전체 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够改善Cd（Zn）Te等的光电导体的泄漏电流的图像传感器及其制造方法。根据本发明，提供了一种图像传感器，包括：在基板上包括由CdTe或CdZnTe构成的光电导层的光电导体和包含掺杂材料的掺杂层，该掺杂材料构成光电导层; 以及包括形成在感光体上的上电极的图像传感器。

6. 发明公开

KR1020140144744A 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：制造场效应晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020140144744A
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020147031859
申请日：2013-05-08
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 모치즈키후미히코 , 다카타마사히로 , 오노마사시 , 다나카아츠시 , 스즈키마사유키
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/363 , H01L27/144 , H01L27/146 , G02F1/1368 , H01L51/50
CPC分类号： H01L21/02554 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L27/1222 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L29/7869 , H01L51/50 , H01L29/66477 , H01L21/76205 , H01L21/8232 , H01L29/66348
摘要： 게이트 전극 (14) 과, 게이트 절연막 (16) 과, 산화물 반도체층 (18) 과, 소스 전극 (20) 과, 드레인 전극 (22) 을 형성하는 보텀 게이트형의 전계 효과형 트랜지스터 (10, 30) 의 제조 방법의 산화물 반도체층 (18) 의 형성 공정으로서, In, Ga, Zn, Mg, Al, Sn, Sb, Cd, 및 Ge 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는 제 1 영역 (18A) 을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기와 동일한 조성을 함유하고 제 1 영역 (18A) 보다 전기 전도도가 작은 제 2 영역 (18B) 을, 제 1 영역 (18A) 의 표면에 스퍼터링법에 의해 성막하고, 또한, 제 2 영역 (18B) 의 적어도 성막 개시시의 성막 압력을 2.0 Pa 이상 13.0 Pa 이하로 조정하는 제 2 성막 공정을 순서대로 실시한다.

7. 发明公开

KR1020140053469A 엑스레이 검출기 및 그의 구동 방법 无效
标题翻译： X射线探测器及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020140053469A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020120119397
申请日：2012-10-26
申请人： 주식회사 레이언스 , (주)바텍이우홀딩스
发明人： 임조성
IPC分类号： H04N5/32 , G01T1/24 , A61B6/00
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14676
摘要： The present invention relates to a driving method of an X-ray detector having an X-ray detection switch, a light extraction capacitor, a light extraction element arranged on an X-ray extraction pixel, and a plurality of gate lines and data lines defining X-ray extraction pixel in matrix arranged along a first and second direction crossed to each other. The driving method comprises the following steps: (a) a current is produced in the light extraction element by visible rays converted from X-ray; (b) the light extraction element and light extraction capacitor send an electric current for two or more gate lines by the X-ray extraction switch for the two or more gate lines; (c) and image signals are outputted from voltage charged in the light extraction capacitor in each gate line. By using the present invention, an image shading phenomenon caused by time difference in reading in each gate line can be prevented, so that an accurate X-ray image of an object can be secured.
摘要翻译：本发明涉及具有X射线检测开关，光提取电容器，布置在X射线提取像素上的光提取元件以及多条栅极线和数据线的X射线检测器的驱动方法，沿着第一和第二方向布置的矩阵中的X射线提取像素彼此交叉。驱动方法包括以下步骤：（a）通过从X射线转换的可见光在光提取元件中产生电流; （b）光提取元件和光提取电容器通过用于两个或多个栅极线的X射线提取开关为两条或多条栅极线发送电流; （c），并且每个栅极线中的光提取电容器中充电的电压输出图像信号。通过使用本发明，可以防止由每个栅极线上的读取时间差引起的图像阴影现象，从而可以确保物体的精确的X射线图像。

8. 发明公开

KR1020140046320A 방사선 자동감지를 위한 디지털 방사선 감지장치 有权
标题翻译：用于辐射自动感应的数字式辐射感应装置
公开(公告)号：KR1020140046320A
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020120112641
申请日：2012-10-10
申请人： 주식회사 디알텍
发明人： 문범진 , 이상일 , 최진현 , 이원준
IPC分类号： G01N23/04 , H01L31/115 , G01T1/24
CPC分类号： G01N23/04 , G01T1/2018 , G01T1/24 , H01L27/14676 , H01L31/115 , H04N5/32
摘要： A digital radiation sensing apparatus to automatically sense radiation is disclosed. A digital radiation sensing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a high-voltage supply which supplies high-voltage to a digital radiation detector; a high-voltage supply power which applies power to the high-voltage supply; and an irradiation detection unit formed between the high-voltage supply and the high-voltage supply power so as to detect the radiation irradiation from the current change of a power line. [Reference numerals] (15) Image processing unit; (20) High-voltage supply unit; (22) High-voltage supply power; (24) Irradiation detection unit; (AA) Current increase; (BB) High-voltage line current increase; (CC,DD) Radiation
摘要翻译：公开了一种用于自动感测辐射的数字辐射感测装置。根据本发明实施例的数字辐射感测装置包括：向数字辐射检测器提供高电压的高压电源; 向高压电源供电的高压电源; 以及形成在高压电源和高压电源之间的照射检测单元，以便根据电力线的电流变化来检测辐射照射。（附图标记）（15）图像处理单元; （20）高压电源单元; （22）高压电源; （24）照射检测单元; （AA）当前增幅; （BB）高压线电流增加; （CC，DD）辐射

9. 发明授权

KR101318455B1 방사선 검출기 失效
公开(公告)号：KR101318455B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020117007778
申请日：2008-09-10
申请人： 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼
发明人： 후루이신고 , 요시무타토시노리 , 스즈키준이치 , 와타다니코지 , 모리타사토루
IPC分类号： H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146 , H01L31/09
CPC分类号： G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 방사선 검출기에는, 방사선 감응형의 반도체층, 캐리어 선택성의 고저항막, 공통 전극의 노출 면을 덮는 경화성 합성 수지막이, 그 경화성 합성 수지막의 제조 공정에 있어서 염소가 혼입되지 않는 것을 이용한다. 이것으로부터, 캐리어 선택성의 고저항막 및 반도체층이 염소 이온에 의해, 핀홀 및 보이드가 형성되는 것을 막는다.
또, 공통 전극의 노출 면상과 경화성 합성 수지막과의 사이에, 이온성 물질을 투과 시키지 않는 보호막을 갖추는 것도, 캐리어 선택성의 고저항막이 경화성 합성 수지막중에 포함되는 염소 이온에 부식되는 것을 막을 수 있고 반도체층을 흐르는 암전류의 증가를 막을 수 있다.

10. 发明公开

KR1020130098408A 방사선 검출기의 제조 방법 및 방사선 검출기 有权
标题翻译：生产辐射探测器的过程和辐射探测器
公开(公告)号：KR1020130098408A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020137015968
申请日：2012-03-19
申请人： 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼
发明人： 가이노마사토모 , 도쿠다사토시 , 요시무타도시노리 , 기시하라히로유키 , 요시마츠아키나 , 사토도시유키 , 구와바라쇼지
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/115 , G01T1/24 , A61B6/00
CPC分类号： H01L31/18 , A61B6/4233 , H01L27/14676 , H01L27/14696 , H01L31/0272
摘要： 챔버 (31) 내에그라파이트기판 (11) 을수용하여, 펌프 (P) 에의해진공화한다. 그리고, 진공중에서카본을가열함으로써카본중의불순물을증발시켜, 카본을순화한다. 그라파이트기판 (11) 의카본을순화함으로써, 그라파이트기판 (11) 의카본에함유되는반도체층의도너·억셉터원소, 나아가서는금속원소의불순물을 0.1 ppm 이하로억제할수 있다. 그결과, 리크전류나이상리크점의발생을억제하여, 반도체층에있어서의결정의이상성장을억제할수 있다.

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