基本信息:
- 专利标题: 이미지센서와 그 제조방법
- 专利标题(英):Image sensor and method of manufacturing the same
- 专利标题(中):图像传感器及其制造方法
- 申请号:KR1020130079622 申请日:2013-07-08
- 公开(公告)号:KR1020150006184A 公开(公告)日:2015-01-16
- 发明人: 김태우 , 이동진
- 申请人: 주식회사 레이언스 , (주)바텍이우홀딩스
- 申请人地址: **, Samsung *-ro *-gil, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea
- 专利权人: 주식회사 레이언스,(주)바텍이우홀딩스
- 当前专利权人: 주식회사 레이언스,(주)바텍이우홀딩스
- 当前专利权人地址: **, Samsung *-ro *-gil, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea
- 代理人: 특허법인네이트
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
본 발명은 기판 상에, CdTe나 CdZnTe로 이루어진 광도전층과, 상기 광도전층을 이루는 물질에 도핑물질이 포함된 도핑층을 포함하는 광도전체와; 상기 광도전체 상에 형성된 상부전극을 포함하는 이미지센서를 제공한다.
摘要(中):
本发明涉及一种能够改善Cd(Zn)Te等的光电导体的泄漏电流的图像传感器及其制造方法。 根据本发明,提供了一种图像传感器,包括:在基板上包括由CdTe或CdZnTe构成的光电导层的光电导体和包含掺杂材料的掺杂层,该掺杂材料构成光电导层; 以及包括形成在感光体上的上电极的图像传感器。
摘要(英):
The present invention on the substrate, and the total light intensity, including a doped layer comprising the doped material to the photoconductive layer and the material forming the photoconductive layer made of CdTe or CdZnTe; It provides an image sensor including an upper electrode formed on the whole of the light intensity.