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1. 发明授权

KR101845600B1 집적 회로에서의 전자이주 신뢰성을 향상시키기 위한 능동 원자 저장소 有权
标题翻译：有源原子存储，以提高集成电路中的电子迁移可靠性
公开(公告)号：KR101845600B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160018347
申请日：2016-02-17
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린밍시엔 , 오츠안토니
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/768 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/5286 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L23/58 , H01L27/0203
摘要： 집적회로(IC)는, IC의하나의층에있는제1 전도체, IC의다른층에있는제2 전도체, 및제1 전도체와제2 전도체를접속시키는제1 금속플러그를포함한다. IC는, IC의하나의층에있으며제1 전도체에연결되는원자소스전도체(ASC), 및 ASC를 IC의전압소스에접속시키는제2 금속플러그를더 포함한다. 제1 전도체및 ASC는, 제2 금속플러그로부터제1 금속플러그로전자경로를확립하도록상이한전압들로바이어싱되게구성되며, 그리하여 ASC는제1 전도체에대한능동원자소스로서작용한다.
摘要翻译：集成电路（IC）包括在IC的下层中的第一导体，在IC的另一层中的第二导体以及连接第一导体和第二导体的第一金属插塞。 IC进一步包括在IC底部的原子源导体（ASC）并连接到第一导体，以及第二金属插头，将ASC连接到IC的电压源。第一导体和ASC，所述第二配置为在不同的电压加偏压以建立到金属插塞的第一金属插塞的电子路径，并因此充当neunje第一导体的ASC原子的活性源。

2. 发明授权

KR101806657B1 수직 금속 절연체 금속 커패시터 有权
标题翻译：垂直金属绝缘金属电容器
公开(公告)号：KR101806657B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160007226
申请日：2016-01-20
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리아오웬시앙 , 조우첸푸
IPC分类号： H01L27/08 , H01L27/24 , H01L49/02
CPC分类号： H01L23/642 , H01L21/568 , H01L23/58 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/83005
摘要： 반도체디바이스및 방법이본 명세서에개시된다. 반도체디바이스는디바이스다이, 상기디바이스다이를둘러싸는몰딩층, 상기몰딩층 내에형성된복수의제1 수직도전형구조체, 및상기몰딩층 내에형성된복수의제2 수직도전형구조체를포함한다. 제1 수직도전형구조체및 제2 수직도전형구조체는서로얽혀있으며, 절연구조체는상기제1 수직도전형구조체들과상기제2 수직도전형구조체들사이에형성된다.
摘要翻译：这里公开了半导体器件和方法。该半导体器件包括多个形成在所述第一多个垂直传导结构的第二垂直传导的结构，以及形成在所述模制层的模制层，和包围所述装置裸片，所述器件管芯的模制层。第一垂直导电型结构与第二垂直导电型结构彼此缠结，且绝缘结构形成于第一垂直导电型结构与第二垂直型导电结构之间。

3. 发明公开

KR1020170121954A 복수의 방향으로 전자기파를 방사하는 전자 장치 审中-实审
标题翻译：一种向多个方向发射电磁波的电子设备
公开(公告)号：KR1020170121954A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160050891
申请日：2016-04-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최세환 , 박정식 , 이우섭 , 김건우
IPC分类号： H01Q1/22 , H01Q1/24 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H04M1/02
CPC分类号： H04B5/0031 , G06F1/1637 , G06F1/1698 , H01L23/5227 , H01L23/58 , H01L25/0655 , H04B5/0081 , H04W4/80 , H05K1/028 , H05K1/0393 , H05K1/165
摘要： 본발명의다양한실시예에따른전자장치는제1 방향을향하는제1 플레이트, 상기제1 방향에반대되는제2 방향을향하는제2 플레이트, 및상기제1 플레이트와상기제2 플레이트사이공간의적어도일부를둘러싸고상기제1 방향및 상기제2 방향과다른제3 방향을향하는적어도하나의측면부를포함하는하우징, 상기제1 방향또는상기제2 방향으로실질적으로연장되는제1 축을가지는제1 코일을 포함하는제1 도전성패턴, 상기제3 방향으로실질적으로연장되는제2 축을가지는제2 코일을포함하는제2 도전성패턴및 상기제1 도전성패턴및 상기제2 도전성패턴과전기적으로연결되는통신회로를포함할수 있다. 이외에도, 명세서를통해파악될수 있는다른실시예들이가능하다.
摘要翻译：在根据本发明的各种实施例的电子装置中，第一方向上的朝向所述第一板，相对朝向所述第二板的第一方向的第二方向，并且所述第一板和第二板区域之间的第二至少围绕第一方向的一部分，并且具有在所述壳体基本上延伸的第一轴线的第一线圈，所述第一方向或所述第二方向包括朝向所述第二方向不同的第三方向的至少一侧的表面部分第二导电图案，包括具有基本沿第三方向延伸的第二轴的第二线圈以及电连接到第一导电图案和第二导电图案的通信电路，你可以包括它。另外，可以通过说明书理解其他实施例。

4. 发明授权

KR101781383B1 기판 제조 장치 및 그에 사용되는 제어 모듈 有权
标题翻译：基板制造装置及其使用的控制模块
公开(公告)号：KR101781383B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020170018330
申请日：2017-02-09
申请人： 김용규
发明人： 김용규
IPC分类号： H01L23/58 , H01L23/50 , H01L21/66 , H04L12/933
CPC分类号： H01L23/58 , H01L22/34 , H01L23/50 , H04L49/109
摘要： 본발명은기판제조장치및 그에사용되는통신회로모듈을개시한다. 그의장치는호스트컴퓨터와, 상기호스트컴퓨터에의해모니터링되는제조설비와, 상기제조설비와상기호스트컴퓨터사이에연결되는제어모듈을포함한다. 제어모듈은상기제조설비에연결되고, 상기제조설비의입출력신호를제어하는입출력제어모듈과, 상기입출력제어모듈및 상기호스트컴퓨터사이에연결되고, 상기호스트컴퓨터의네트워크통신을변경할때마다상기입출력제어모듈로부터탈착되는통신제어모듈을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种在其中使用的基板制造设备和通信电路模块。他的装置包括耦合在所述生产设施到由主计算机进行监控和主计算机，所述生产设备和主计算机之间的控制模块。所述控制模块连接到所述生产设施每次输入 - 输出控制，并且，与输入和输出控制模块，用于控制制造设备的输入和输出信号，被连接在输入和输出控制模块之间和所述主计算机，改变主计算机的网络通信还有一个与模块分开的通讯控制模块。

5. 发明授权

KR101630394B1 패키지 기판, 이를 구비한 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조방법 有权
标题翻译：包含衬底的半导体封装及其制造方法用于制造半导体封装
公开(公告)号：KR101630394B1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020100020504
申请日：2010-03-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박진우 , 임환식 , 안은철
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/48 , H01L23/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2924/00012
摘要： 본발명은반도체패키지에관한것으로, 반도체칩과, 상기반도체칩이실장되는영역을제공하는패키지기판과, 그리고상기반도체칩을몰딩하는몰딩막을포함한다. 상기패키지기판은상기반도체칩과전기적으로연결되는오픈된영역을제공하며상기반도체칩과의전기적접속에필요한영역에비해더 확장된제1 개구부를포함한다.

6. 发明公开

KR1020160045477A 전력 모듈 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电源模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160045477A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020140141108
申请日：2014-10-17
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이석호
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/40137 , H01L23/58 , H01L21/563 , H01L23/538 , H01L24/11 , H01L24/12
摘要： 본발명은제조가용이하고소형화가가능한전력모듈과그 제조방법에관한것이다. 이를위한본 발명의전력모듈은, 회로층상에절연층이형성되는기판; 및상기기판에플립칩 방식으로실장되는적어도하나의전자소자와적어도하나의외부접속단자;를포함하며, 상기전자소자는다수의전극이형성된활성면이상기절연층에접합될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及容易制造和小型化的功率模块及其制造方法。根据本发明，功率模块包括：在电路层上形成绝缘层的基板; 以及至少一个电子装置和通过倒装芯片方法安装在基板中的至少一个外部连接端子。在其上形成有多个电极的活性表面被分配到电子设备中的绝缘层上。

7. 发明公开

KR1020160011588A 실리콘 이차전지 审中-实审
标题翻译：硅二次电池
公开(公告)号：KR1020160011588A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020150102800
申请日：2015-07-21
申请人： 주식회사 리크릭스
发明人： 류병훈 , 공재경
IPC分类号： H01M10/054 , H01M4/38 , H01M10/0562
CPC分类号： H01M10/054 , H01L23/58 , H01M2/0262 , H01M2/0277 , H01M2/1072 , H01M2/1077 , H01M2/206 , H01M4/133 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M4/74 , H01M4/80 , H01M4/808 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0565 , H01M10/0585 , H01M10/36 , H01M10/425 , H01M2004/025 , H01M2004/029 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0071 , H01M2300/0082 , H01M2300/0085 , H05K1/181 , H05K2201/10037
摘要： 본발명은실리콘이차전지에관한것으로, 더욱상세하게는고체전해질을갖는고체형실리콘이차전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 이차전지의리튬을실리콘으로대체함으로써, 제조비용감소및 이차전지폐기시 환경오염을최소화할수 있는효과가있다. 또한, 양극또는음극물질을다수회 적층압착하여양극또는음극활물질을제조함으로써, 양극또는음극활물질의밀도를증가시켜전류밀도및 용량을증가시킬수 있는효과가있다. 또한, 양극활물질및 음극활물질의내부에메쉬플레이트를내장시킴으로써전자를효율적으로이동시킬수 있는효과가있다. 또한, 실리콘이차전지의직렬연결시 연결되는실리콘이차전지의전극을공용화함으로써, 실리콘이차전지어셈블리의두께를감소시키고출력전압을증대시킬수 있는효과가있다. 또한, PCB 또는칩과일체로형성되어전원을공급함으로써순간방전에대한백업전원의역할을할 수있는효과가있다.
摘要翻译：硅二次电池技术领域本发明涉及硅二次电池，更具体地涉及具有固体电解质的固体硅二次电池及其制造方法。根据本发明，通过用硅取代二次电池中的锂，可以降低制造成本并且在放置二次电池时使环境污染最小化。此外，通过多次层叠正极或负极材料形成正极或负极活性物质，正极或负极活性物质的密度增加，电流密度和容量增加。另外，通过在正极活性物质和负极活性物质的内部组装网孔板，可以使电子高效率地移动。另外，由于硅二次电池的串联连接的硅二次电池的电极是共用的，所以硅二次电池组件的厚度可以减小并且可以增加输出电压。而且，由于电源与PCB或芯片一体形成，电源可以作为瞬时放电的备用电源。

8. 发明公开

KR1020160007560A 안과용 디바이스 상에 박막 나노결정 집적 회로를 갖는 안과용 디바이스 审中-实审
标题翻译：具有薄膜的光学器件纳米晶体集成电路在光学器件上
公开(公告)号：KR1020160007560A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020157034605
申请日：2014-05-08
申请人： 존슨 앤드 존슨 비젼 케어, 인코포레이티드
发明人： 퓨랜달비. , 플릿시프레드릭에이.
IPC分类号： G02C7/04 , G02C7/08 , B29D11/00 , H01L23/58 , H01L25/065
CPC分类号： G02C7/04 , B29D11/00817 , G02C7/081 , H01L23/58 , H01L25/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본발명은박막나노결정집적회로트랜지스터를 3차원으로형성된삽입체피스상에형성하기위한방법및 장치를개시한다. 일부실시형태에서, 본발명은박막나노결정집적회로기반박막트랜지스터, 전기상호접속부, 및에너지공급요소를갖는 3차원표면을안과용디바이스내로통합하기위한삽입체피스내로통합하는것을포함한다. 일부실시형태에서, 삽입체피스는매체삽입체로서직접사용될수 있거나또는안과용디바이스내로통합될수 있다.

9. 发明公开

KR1020150124656A 전력용 반도체 모듈 어셈블리 审中-实审
标题翻译：功率半导体模块组件
公开(公告)号：KR1020150124656A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020140051415
申请日：2014-04-29
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 박민호
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/49811
摘要： 본발명의일 실시예에의한전력용반도체모듈어셈블리는, 전력용반도체모듈과상기전력용반도체모듈에연결되는메인보드를포함하며, 상기전력용반도체모듈은, 케이스와, 상기케이스의내부에수용되는복수의전력용반도체소자와, 상기전력용반도체소자와연결되며상기케이스의상부로돌출되는복수의연결핀과, 상기복수의연결핀 중일부를커버하는복수의핀 커넥터를포함하고, 상기복수의핀 커넥터각각은커버하는복수의연결핀들과전기적으로연결되며, 상기복수의핀 커넥터중 적어도하나는상기메인보드에연결되고, 상기메인보드는인쇄회로기판에구비되는게이트드라이버를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，功率半导体模块组件包括功率半导体模块和连接到功率半导体模块的主板。功率半导体模块包括：壳体，在壳体中接收的多个功率半导体器件，连接到功率半导体器件的多个连接引脚，突出在壳体的上侧;多个引脚连接器，其覆盖部分连接针脚。每个引脚连接器电连接到被覆盖的连接引脚，并且至少一个引脚连接器连接到主板。主板包括形成在印刷电路板上的栅极驱动器。

10. 发明公开

KR1020150052502A 전력 반도체 장치, 이를 적용한 인버터 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：功率半导体装置，应用其的逆变器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150052502A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130133951
申请日：2013-11-06
申请人： 현대모비스 주식회사
发明人： 조병철
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/3735 , H01L23/5223 , H01L24/27 , H01L24/28
摘要： 본발명의일실시예에따른전력반도체장치는, 커패시터; 상기커패시터의상면에솔더링으로결합되는제 1 전력반도체모듈; 및상기커패시터의하면에솔더링으로결합되는제 2 전력반도체모듈;을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 공정상에서전력반도체모듈에커패시터가내장되므로커패시터를전력반도체와최단거리로결합시켜기생인덕턴스에의한써지전압의크기를최소화할수 있어전력반도체의사용영역을넓힐수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的功率半导体器件包括：电容器第一功率半导体模块，其通过焊接结合到电容器的上侧; 以及通过焊接与电容器的下侧组合的第二功率半导体模块。根据本发明，由于电容器嵌入在功率半导体模块中，电容器被组合到具有最短距离的功率半导体。因此，通过寄生电感的浪涌电压的大小可以最小化，能够扩大功率半导体的使用面积。

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