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1. 发明公开

KR1020120022749A 어닐 웨이퍼 및 어닐 웨이퍼의 제조방법, 그리고 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：退火方法，制造方法以及制造方法
公开(公告)号：KR1020120022749A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117023058
申请日：2010-03-17
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 에바라,코지 , 하야미즈,요시노리 , 키쿠치,히로야스
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322 , H01L21/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/02002
摘要： 본 발명은, CZ 법에 의해 육성되고, 전면이 OSF 영역, 또는 전면이 OSF영역의 외측인 N 영역, 혹은 이들 영역이 혼합된 영역으로 이루어진 실리콘 단결정 잉곳으로부터 잘려진 실리콘 단결정 웨이퍼에 급속 열처리를 실시한 어닐 웨이퍼로서, 표면으로부터 적어도 1㎛의 깊이에 걸쳐 RIE 결함이 존재하지 않으며, TDDB 특성의 양품율이 80% 이상이고, 외방 확산에 의해 산소 농도가 저하되는 영역의 깊이가 표면으로부터 3㎛ 이내인 어닐 웨이퍼 및 어닐 웨이퍼의 제조방법을 제공한다. 이에 따라, 가능한 한 외방 확산에 의한 표층의 산소 농도를 저하시키지 않고 표층의 강도가 충분히 확보되면서, 산소 석출물이나 COP, OSF핵과 같은 산소 관련 결함이 존재하지 않고, 그로운-인 결함 또한 존재하지 않으며, TDDB 특성이 우수한 웨이퍼가 제공된다.

2. 发明授权

KR101973017B1 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조방법 및 전자 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101973017B1
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：KR1020147019083
申请日：2012-12-14
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/26 , H01L21/324

3. 发明公开

KR1020130100987A 웨이퍼의 열처리 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 및 열처리 장치 有权
标题翻译：热处理方法，生产硅波的方法，硅波和热处理装置
公开(公告)号：KR1020130100987A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020137004020
申请日：2011-07-15
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 에바라,코지 , 오카,테츠야 , 타카하시,슈지
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： H05B1/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： 본 발명은, 웨이퍼의 주표면(제1 주표면)을 지지 부재로 지지한 상태에서 가열원으로 가열하는 것으로 급속 승강온을 동반하는 소정 온도에서의 열처리를 실시하는 웨이퍼의 열처리 방법에 있어서, 상기 지지 부재로 지지한 상기 제1 주표면의 온도가, 상기 웨이퍼의 상기 제1 주표면과는 반대측의 주표면(제2 주표면)의 온도보다 1~25℃ 높아지도록 상기 가열원을 제어하면서 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법이다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼를 열처리할 때, 웨이퍼 지지 위치에서 발생하는 슬립 전위를 확실히 억제할 수 있는 웨이퍼의 열처리 방법이 제공된다.

4. 发明公开

KR1020170117418A 실리콘 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译：硅片制造方法
公开(公告)号：KR1020170117418A
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020177022568
申请日：2016-01-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 스즈키,카츠요시 , 타케노,히로시 , 에바라,코지
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/26 , C30B29/06 , C30B33/12
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/12 , H01L21/26 , H01L21/322
摘要： 본발명은, 피처리실리콘웨이퍼에열처리를실시함으로써, 표층에무결함영역을갖는실리콘웨이퍼를제조하는방법으로서, 상기피처리실리콘웨이퍼를상방으로부터가열하는제1 열원에의해, 상기피처리실리콘웨이퍼의상측의표층에만 1300℃이상, 실리콘융점이하의온도에서, 0.01msec 이상, 100msec 이하의제1 급속열처리를행하는공정 A와, 상기피처리실리콘웨이퍼를가열하는제2 열원에의한제2 급속열처리에의해, 상기피처리실리콘웨이퍼를 1100℃이상, 1300℃미만의온도에서 1초이상, 100초이하유지하고, 30℃/sec 이상, 150℃/sec 이하의강온속도로강온하는공정 B를갖는것을특징으로하는실리콘웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 벌크에고밀도의 BMD를형성할수 있고, TDDB특성의양호한실리콘단결정웨이퍼를제조할수 있는실리콘웨이퍼의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，通过热处理，以在硅晶片进行处理，用于制造具有在表面层中溶蚀区的硅晶片的方法，所述由所述第一热源为从上方加热的硅晶片的待处理时，待处理的硅晶片在温度高达仅侧衣服超过1300℃，在硅熔点的表面层，以及由所述第二热源，用于加热待处理的硅晶片热处理执行超过0.01msec，100毫秒或更小，所述第二快的第一快速热退火的步骤的到海中，与步骤B向待处理的硅晶片1100℃，在小于1300℃的温度下超过一秒钟，保持超过100秒，30℃/秒以上时，温度降低的低于150℃下降速率/秒和一块硅晶片。 Yiettara，并且它可以形成BMD的高密度在本体，可产生的TDDB特性的良好的硅单结晶晶片，提供了一种用于制造硅晶片的是。

5. 发明授权

KR101703696B1 실리콘 기판의 제조방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR101703696B1
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020137022421
申请日：2012-02-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要： 본발명은, 쵸크랄스키법에의해육성한실리콘단결정잉곳으로부터잘려진실리콘기판에, 급속가열·급속냉각장치를이용하여, 1300℃보다높으면서실리콘융점이하의온도에서 1~60초유지하여급속열처리를실시한후, 600~800℃의범위의온도까지강온속도 5~150℃/sec로 1단계의강온공정을행하고, 그후, 냉각시간 X초와강온속도 Y℃/sec가, X
摘要翻译：一种硅基板的制造方法，其特征在于，包括：通过将所述硅基板保持在高于1300℃且不大于1300℃的温度，通过快速加热和快速冷却装置对硅基板进行快速热处理硅熔点为1〜60秒，硅基板由通过切克劳斯基法生长的硅单晶锭切片; 以5〜150℃/秒的降温速度进行600〜800℃的温度的第1降温处理。进行第二降温处理，使X秒的冷却时间和Y℃/秒的温度降低率满足Y＆lt; ll;当X <100并满足Y＆NlE时为0.15X-4.5;X≥100时为10 。

6. 发明公开

KR1020140021543A 실리콘 기판의 제조방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR1020140021543A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020137022421
申请日：2012-02-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/02027 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , Y10T428/24355
摘要： 본 발명은, 쵸크랄스키법에 의해 육성한 실리콘 단결정 잉곳으로부터 잘려진 실리콘 기판에, 급속가열·급속냉각 장치를 이용하여, 1300℃보다 높으면서 실리콘 융점 이하의 온도에서 1~60초 유지하여 급속 열처리를 실시한 후, 600~800℃의 범위의 온도까지 강온속도 5~150℃/sec로 1단계의 강온공정을 행하고, 그 후, 냉각시간 X초와 강온속도 Y℃/sec가, X
摘要翻译：一种硅基板的制造方法，其特征在于，包括：通过将所述硅基板保持在高于1300℃且不大于1300℃的温度，通过快速加热和快速冷却装置对硅基板进行快速热处理硅熔点为1〜60秒，硅基板由通过切克劳斯基法生长的硅单晶锭切片; 以5〜150℃/秒的降温速度进行600〜800℃的温度的第1降温处理。进行第二降温处理，使X秒的冷却时间和Y℃/秒的温度降低率满足Y＆lt; ll;当X <100并满足Y＆NlE时为0.15X-4.5;X≥100时为10 。

7. 发明授权

KR101658892B1 웨이퍼의 열처리 방법 및 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 및 열처리 장치 有权
标题翻译：用于生产硅酮硅膜和热处理设备的方法的热处理方法
公开(公告)号：KR101658892B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020137004020
申请日：2011-07-15
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 에바라,코지 , 오카,테츠야 , 타카하시,슈지
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC分类号： H05B1/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/67115
摘要： 본발명은, 웨이퍼의주표면(제1 주표면)을지지부재로지지한상태에서가열원으로가열하는것으로급속승강온을동반하는소정온도에서의열처리를실시하는웨이퍼의열처리방법에있어서, 상기지지부재로지지한상기제1 주표면의온도가, 상기웨이퍼의상기제1 주표면과는반대측의주표면(제2 주표면)의온도보다 1~25℃높아지도록상기가열원을제어하면서열처리를실시하는것을특징으로하는웨이퍼의열처리방법이다. 이에의해, 실리콘웨이퍼를열처리할때, 웨이퍼지지위치에서발생하는슬립전위를확실히억제할수 있는웨이퍼의열처리방법이제공된다.

8. 发明授权

KR101657970B1 어닐 웨이퍼 및 어닐 웨이퍼의 제조방법, 그리고 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：用于制造阳极波形的天线波形方法和制造装置的方法
公开(公告)号：KR101657970B1
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020117023058
申请日：2010-03-17
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 에바라,코지 , 하야미즈,요시노리 , 키쿠치,히로야스
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322 , H01L21/02
CPC分类号： C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225
摘要： 본발명은, CZ 법에의해육성되고, 전면이 OSF 영역, 또는전면이 OSF영역의외측인 N 영역, 혹은이들영역이혼합된영역으로이루어진실리콘단결정잉곳으로부터잘려진실리콘단결정웨이퍼에급속열처리를실시한어닐웨이퍼로서, 표면으로부터적어도 1㎛의깊이에걸쳐 RIE 결함이존재하지않으며, TDDB 특성의양품율이 80% 이상이고, 외방확산에의해산소농도가저하되는영역의깊이가표면으로부터 3㎛이내인어닐웨이퍼및 어닐웨이퍼의제조방법을제공한다. 이에따라, 가능한한 외방확산에의한표층의산소농도를저하시키지않고표층의강도가충분히확보되면서, 산소석출물이나 COP, OSF핵과같은산소관련결함이존재하지않고, 그로운-인결함또한존재하지않으며, TDDB 특성이우수한웨이퍼가제공된다.

9. 发明公开

KR1020140001815A 실리콘 기판의 제조 방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR1020140001815A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020137000608
申请日：2011-06-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B15/00
CPC分类号： H01L21/26 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L29/0684
摘要： 본 발명은 실리콘 기판에, 급속가열·급속냉각 장치를 이용하여, 질화막형성분위기 가스, 희가스 및 산화성 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 포함하는 제 1 분위기에서, 1300℃보다 높고 실리콘 융점 이하의 제 1 온도에서 1-60 초 유지하여 급속 열처리를 실시하는 제 1 열처리 공정; 상기 제 1 열처리 공정에 이어서, 상기 실리콘 기판 내부의 공공(空孔)으로 인한 결함의 발생을 억제하는 제 2 온도 및 제 2 분위기로 제어하고, 상기 실리콘 기판에 상기 제어한 제 2 온도 및 제 2 분위기에서 급속 열처리를 실시하는 제 2 열처리 공정을 구비하는 실리콘 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 이에 따라, 디바이스 제작 영역이 되는 표면으로부터 적어도 1㎛의 깊이에 산소 석출물, COP, OSF 등 RIE에 의해 검출되는 결함(RIE 결함)이 존재하지 않고, 한편, 수명이 500μsec 이상인 실리콘 기판의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 실리콘 기판이 제공된다.
摘要翻译：一种硅晶片和硅晶片的制造方法，其至少包括：第一热处理工序，其中在包含氮化膜形成大气中的至少一种的气氛中使用快速加热/冷却装置在晶片上进行快速热处理气体，稀有气体和氧化气体，温度高于1300℃，低于或等于硅熔点1〜60秒; 以及第二热处理工艺，其中控制温度和气氛以抑制由晶片空位引起的缺陷的产生，并且对晶片进行快速热处理。因此，RIE缺陷如氧化物沉淀物，COP和OSF在距离表面至少1um的深度处不存在，其成为器件制造区域，并且寿命为500μs或更长。

10. 发明授权

KR101684873B1 실리콘 기판의 제조 방법 및 실리콘 기판 有权
标题翻译：制造硅基板和硅基板的方法
公开(公告)号：KR101684873B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020137000608
申请日：2011-06-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,테츠야 , 에바라,코지 , 타카하시,슈지
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02 , C30B15/00
CPC分类号： H01L21/26 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L29/0684
摘要： 본발명은실리콘기판에, 급속가열·급속냉각장치를이용하여, 질화막형성분위기가스, 희가스및 산화성가스중 적어도한 종류의가스를포함하는제 1 분위기에서, 1300℃보다높고실리콘융점이하의제 1 온도에서 1-60 초유지하여급속열처리를실시하는제 1 열처리공정; 상기제 1 열처리공정에이어서, 상기실리콘기판내부의공공(空孔)으로인한결함의발생을억제하는제 2 온도및 제 2 분위기로제어하고, 상기실리콘기판에상기제어한제 2 온도및 제 2 분위기에서급속열처리를실시하는제 2 열처리공정을구비하는실리콘기판의제조방법에관한것이다. 이에따라, 디바이스제작영역이되는표면으로부터적어도 1㎛의깊이에산소석출물, COP, OSF 등 RIE에의해검출되는결함(RIE 결함)이존재하지않고, 한편, 수명이 500μsec 이상인실리콘기판의제조방법및 그방법으로제조된실리콘기판이제공된다.
摘要翻译：一种硅晶片和硅晶片的制造方法，其至少包括：第一热处理工序，其中在包含氮化膜形成大气中的至少一种的气氛中使用快速加热/冷却装置在晶片上进行快速热处理气体，稀有气体和氧化气体，温度高于1300℃，低于或等于硅熔点1〜60秒; 以及第二热处理工艺，其中控制温度和气氛以抑制由晶片空位引起的缺陷的产生，并且对晶片进行快速热处理。因此，RIE缺陷如氧化物沉淀物，COP和OSF在距离表面至少1um的深度处不存在，其成为器件制造区域，并且寿命为500μs或更长。

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