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    • 2. 发明公开
    • RF 스퍼터링 장치
    • RF溅射装置
    • KR1020110097781A
    • 2011-08-31
    • KR1020117011767
    • 2009-11-20
    • 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트
    • 크라저마틴
    • H01J37/34
    • H01J37/3408H01J37/3438H01J2237/332
    • 본 발명의 스퍼터링 장치는 적어도 하나의 측벽, 저부 및 커버에 의해 한정되는 진공 챔버와, 진공 챔버 내에 배치된 표면을 갖는 적어도 하나의 제1 전극과, 진공 챔버 내에 배치된 표면을 갖는 상대 전극과, RF 발생기를 포함한다. RF 발생기는 적어도 하나의 제1 전극과 상대 전극에 걸쳐서 RF 전계를 가하여 제1 전극과 상대 전극 간에 플라즈마를 점화시키도록 구성된다. 상대 전극은 진공 챔버의 측벽 및/또는 저부의 적어도 일부분과 추가의 전도성 부재를 포함한다. 추가의 전도성 부재는 일반적으로 서로 평행하게 배치되고 소정 거리만큼 이격된 적어도 두 개의 표면을 포함한다.
    • 本发明的溅射装置,并且具有布置在所述真空室中,并通过至少一个侧壁限定的真空室中的表面上的至少一个第一电极,一个底部和一个盖,和具有布置在所述真空室中的表面上的反电极, 射频发生器。 RF发生器被配置为在至少一个第一电极和对电极上施加RF场以点燃第一电极和对电极之间的等离子体。 对电极包括真空室的侧壁和/或底部的至少一部分以及附加的导电构件。 额外的导电构件通常包括至少两个彼此平行设置并且间隔开预定距离的表面。