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1. 发明授权

KR101651457B1 앵커링 인서트, 전극 어셈블리, 및 플라즈마 프로세싱 챔버 有权
标题翻译：安装插件电极组件和等离子体加工室
公开(公告)号：KR101651457B1
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020117022441
申请日：2010-03-15
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 하딘랜들 , 케일조나단 , 라이틀듀안
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/04 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , H01J37/3255 , H01J37/32605 , H01J37/32724 , H01J2237/032
摘要： 후면인서트들이전극의후면을따라형성된후면오목부들내에위치된실리콘기반샤워헤드전극이제공된다. 후면인서트들은나사산형외면직경, 나사산형내면직경, 및그 나사산형내면직경에형성된공구맞물림부를포함한다. 공구맞물림부는후면인서트의공구맞물림부와맞물려진공구가그 인서트의나사산형외면직경을넘어서연장되는것을방지하도록, 후면인서트가공구맞물림부와나사산형외면직경사이에하나이상의측면차폐부들을더 포함하도록형성된다. 또한, 후면인서트의공구맞물림부는후면인서트의회전축주위에배치된복수의토크수용슬롯들을포함한다. 토크수용슬롯들은토크수용슬롯들의대향쌍들을통해후면인서트의축상회전을회피하도록배치된다.

2. 发明公开

KR1020150059119A 고에너지 이온주입장치, 빔전류조정장치, 및 빔전류조정방법 审中-实审
标题翻译：高能离子注入装置，光束电流调节装置和光束电流调节方法
公开(公告)号：KR1020150059119A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140162660
申请日：2014-11-20
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 이나다고우지 , 가토오고우지
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/08 , H01J2237/24535 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要： 예를들면고에너지이온주입장치에있어서주입빔전류를조정한다. 이온주입장치를위한빔전류조정장치(300)는, 이온빔의수렴점(P) 또는그 근방에배치되어있는가변애퍼추어(302)를구비한다. 가변애퍼추어(302)는, 주입빔전류를제어하기위하여, 수렴점(P)에있어서의이온빔의수렴방향에수직인방향의빔폭을조정하도록구성되어있다. 가변애퍼추어(302)는, 질량분석슬릿(22b)의바로뒤쪽에배치되어있어도된다. 빔전류조정장치(300)는, 고에너지다단직선가속유닛(14)을가지는고에너지이온주입장치(100)에설치되어있어도된다.
摘要翻译：本发明涉及高能离子注入装置，束电流调节装置和束电流调节方法。例如，在高能离子注入装置中调节注入束电流。用于离子注入装置的束流调节装置（300）包括：设置在会聚点（P）中或离离子束的会聚点附近的可变孔径（302）。可变孔径（302）调节垂直于会聚点（P）中的离子束的会聚方向的方向的波束的宽度，以调节注入束电流。可变孔径（302）布置在质量分析狭缝（22b）的后面。束电流调节装置（300）安装在包括高能多级线性加速装置（14）的高能离子注入装置（100）中。

3. 发明授权

KR101487359B1 시료 표면 검사방법 및 검사장치 有权
标题翻译：检测样品表面的方法和装置
公开(公告)号：KR101487359B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020087018240
申请日：2007-01-24
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 노지노부하루 , 나이토요시히코 , 소부카와히로시 , 데라오겐지 , 하타케야마마사히로 , 오쿠무라가츠야
IPC分类号： H01J37/29 , H01J37/20 , G01N23/225 , H01J37/21
CPC分类号： H01J37/265 , G01R31/307 , H01J37/04 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446 , H01J2237/2594 , H01J2237/2817
摘要： 정밀도가 좋은 시료 표면 검사를 행할 수 있는 방법 및 장치를 제공한다. 전자선식 시료 표면 검사장치를 이용하여 시료 표면을 검사하는 방법에 있어서, 상기 시료 표면 검사장치의 전자총으로부터 발생한 전자빔을 상기 시료 표면에 조사하고, 상기 시료 표면으로부터 발생한 2차 전자를 검출기의 전자 검출면을 향하여 결상시켜 상기 시료 표면을 검사하는 방법에서, 상기 검출기의 검출면에서의 상기 2차 전자의 결상 조건을, 상기 시료 표면의 전위가 상기 시료 표면에 조사된 전자빔의 양에 따라 변화하도록 제어하는 것에 특징이 있다.

4. 发明授权

KR101405357B1 콤팩트 초소형 전자 광학 컬럼 有权
标题翻译：精密微电子光学柱
公开(公告)号：KR101405357B1
公开(公告)日：2014-06-13
申请号：KR1020130015832
申请日：2013-02-14
申请人： 선문대학교 산학협력단
发明人： 오태식 , 김호섭 , 김대욱 , 안승준
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/06
CPC分类号： H01J3/26 , H01J3/021 , H01J3/12 , H01J3/14 , H01J3/18 , H01J3/30 , H01J37/04 , H01J2237/1205
摘要： The present invention relates to a micro electron optical column comprising an electron emitter emitting an electron using the electric field electron emission theory; an output electrode part inducing the electron emission on the emitter; and a focusing electrode part flexibly applying a voltage according to the operating distance to control the focusing force of an electronic beam generated from the electron emitter; an acceleration electrode part accelerating the electron emitted by the output electrode part; a limit electrode controlling the amount and size of an electronic beam of the electron accelerated by the acceleration electrode part; and a deflector deflecting the electronic beam on the target.
摘要翻译：本发明涉及一种微电子光学柱，包括使用电场电子发射理论发射电子的电子发射体; 一个在发射极上引发电子发射的输出电极部分; 以及根据所述操作距离灵活地施加电压的聚焦电极部分，以控制从所述电子发射器产生的电子束的聚焦力; 加速电极部，加速由所述输出电极部发射的电子; 限制电极，控制由加速电极部加速的电子束的电子束的数量和尺寸; 以及使电子束偏转到靶上的偏转器。

5. 发明授权

KR101405897B1 기하 수차와 공간전하효과를 저감한 사상형 전자현미경 有权
标题翻译：几何形状和空间效应减少型投影电子显微镜
公开(公告)号：KR101405897B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020070120333
申请日：2007-11-23
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 렌웨이밍 , 무라카미다케시
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/04
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/04 , H01J2237/04924 , H01J2237/1538
摘要： 본 발명은 투영결상 광학계에 줌형 트랜스퍼 렌즈계를 사용하여, 저배율 결상의 기하 수차와 줌범위에서의 공간전하효과를 개선하는 사상형 전자현미경을 제공하는 것이다.
시료를 조사하는 1차 전자빔을 방출하는 조사계와, 시료로부터 방출된 2차 전자빔을 검출계로 유도하는 투영결상 광학계(24)를 구비하는 사상형 전자현미경의 투영결상 광학계(24)는, 제 1 줌렌즈(6a)와 제 2 줌렌즈(6b)을 가지는 트랜스퍼 렌즈계(24b)를 구비한다. 제 1 줌렌즈(6a)는 복수의 전극을 구비하고, 복수의 전극 중 소정의 전극을 두껍게 하여 해당 전극에 양전압을 인가함으로써, 제 1 줌렌즈(6a)와 제 2 줌렌즈(6b)의 사이에, 전장강도 제로 또한 높은 양전위를 가지는 공간(10)을 형성하고, 줌범위 내에서 제 1 줌렌즈(6a)에 의한 크로스 오버(C2)를 공간(10)에 설치한다.

6. 发明授权

KR101357891B1 빔 처리 시스템 및 빔 처리 방법 有权
标题翻译：光束处理系统和光束处理方法
公开(公告)号：KR101357891B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020070051915
申请日：2007-05-29
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/04 , H01J37/05 , H01J2237/055 , H01J2237/30483
摘要： 빔 처리 시스템은, 빔 생성 소스로부터 추출된 입자 빔을, 질량 분석 자석 장치, 질량 분석 슬릿, 및 편향 스캐너를 그 순서대로 통과하도록 하여, 처리 대상체에 상기 입자 빔을 조사하도록 한다. 상기 질량 분석 슬릿은, 상기 질량 분석 자석 장치를 통과한 입자 빔이, 가로 방향으로 가장 수렴하는 위치에서, 상기 질량 분석 자석 장치와 상기 편향 스캐너 사이에 설치된다. 제1 DC 4극 전자석 및 제2 DC 4극 전자석이, 상기 질량 분석 슬릿의 상류측 및 하류측에 각각 설치된다.
입자 빔, 처리, 편향 스캐너, 정전편향, 질량 분석, 4극 전자석

7. 发明授权

KR101350759B1 이온빔 가속 장치 有权
标题翻译：加速离子束的装置
公开(公告)号：KR101350759B1
公开(公告)日：2014-01-13
申请号：KR1020097001917
申请日：2007-06-29
申请人： 노르디코 테크니컬 서비시즈 리미티드
发明人： 데이비스머빈하워드 , 홀메스앤드류제임스티모시
IPC分类号： H01J37/04 , H01J27/02 , H05H5/00
CPC分类号： H01J37/04 , H01J27/024 , H01J37/3056 , H01J2237/04735 , H01J2237/08 , H05H15/00
摘要： 이온빔 가속 장치는, a) 기부측(proximal side) 및 원심측(distal side)을 갖고, 또한 관통되어 있는 하나 이상의 애퍼처를 가지며, 원심측의 애퍼처의 반경이 기부측의 애퍼처의 반경보다 크도록 애퍼처의 벽부가 성형되는 제1 전극, b) 제1 전극의 원심측에 인접하여 있지만 분리되어 있는 상태로 위치되며, 관통되어 있는 하나 이상의 애퍼처를 갖는 제2 전극, 및 c) 제2 전극에 인접하여 있지만 분리되어 있는 상태로 위치되고, 관통되어 있는 하나 이상의 애퍼처를 갖는 제3 전극을 포함하며, 각각의 제1 전극 내지 제3 전극 내의 하나 이상의 애퍼처는 다른 전극의 대응하는 애퍼처와 정렬되며, 제1 전극 내지 제3 전극은, 제1 전극과 제2 전극 간에 전위차가 존재하고, 또한 제2 전극과 제3 전극 간에 전위차가 존재하도록 배치된다.
이온빔, 플라즈마 발생기, 가속기, 빔 형성 전극, 추출 전극

8. 发明公开

KR1020110055529A 직류형 유전체 배리어 방전식의 전자 조사 장치 및 전기 치료기 有权
标题翻译：直流电介质放电电子辐射装置和电子装置
公开(公告)号：KR1020110055529A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020117002234
申请日：2009-08-04
申请人： 캠브윅 헬스케어 가부시끼가이샤
发明人： 히라사와게이스께 , 도젠마사하루 , 다다유끼 , 오끼하라다이지로
IPC分类号： A61N1/14 , A61N1/20
CPC分类号： A61N1/44 , A61N1/40 , H01J37/04 , H01J37/32348 , H05H1/2406 , H05H2001/2412 , H05H2245/122
摘要： 본 발명은 일정 방향의 전자 조사를 평면의 피조사 부위에 균일하게 행하는 전자 조사 장치를 제공하는 것이다. 건전지 6V의 직류 전원(1)을 직류형 고전압 장치(2)에 접속하여, 직류형 고전압 장치(2)에 의해 6V의 전원을 마이너스 5500V로 승압한다. 직류형 고전압 장치(2)의 부극 출력 단자(3)를 캐소드 전극(5)에 결선하고, 직류 고전압원(2)의 정극 출력 단자(6)를 애노드 전극(7)에 결선한다. 캐소드 전극(5)의 애노드 전극(7)과의 대향면에 적당한 비유전율과 일정 범위의 체적 저항률을 가진 유전체 시트(4)를 밀착한다. 이 유전체 시트(4)는 폴리우레탄 고무제의 시트로 이루어진다. 캐소드 전극(5)과 유전체 시트(4)를 밀착시켜, 본 발명의 직류형 유전체 배리어 방전 전극(9)을 구성한다. 벨트 형상의 장착구(15)의 상면에 구동 전원(1)과 직류형 고전압 장치(2)를 배치하고, 하면에 방전 전극(9)과 애노드 전극(7)을 배치한다. 장착구(15)를 피치료자의 환부에 권취한 경우에, 양 전극(9, 7)이 환부를 사이에 두고 대향한다.
摘要翻译：直流电源1与升压电源的直流型高压发生器2连接。发电机2的负输出端子3和正输出端子6分别连接到阴极电极5和阳极电极7.具有适当的相对介电常数和一定体积电阻率范围的电介质片4紧密附着在阴极电极表面与阳极电极相对。阴极电极5与电介质片4一起构成DC型电介质阻挡电极9.电源1和发电机2设置在带式安装件15的上表面上，放电电极9和阳极电极7设置在其下表面上。电极9和7在将附件15包裹在受试者的受影响部分周围时彼此相对。

9. 发明公开

KR1020090089295A 이온 주입기를 위한 새롭고 향상된 빔 라인 구조 有权
标题翻译：用于离子植入物的新的改进的束线结构
公开(公告)号：KR1020090089295A
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020097008924
申请日：2007-09-13
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 반데르베르크,보 , 스플린터,패트릭
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/1471 , H01J37/04 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0475 , H01J2237/055 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/3045 , H01J2237/31703
摘要： A parallelizing component of an ion implantation system comprises two angled dipole magnets that mirror one another and serve to bend an ion beam traversing therethrough to have a substantially ''s'' shape. This s bend serves to filter out contaminants of the beam, while the dipoles also parallelize the beam to facilitate uniform implant properties across the wafer, such as implant angle, for example. Additionally, a deceleration stage is included toward the end of the implantation system so that the energy of the beam can be kept relatively high throughout the beamline to mitigate beam blowup. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：离子注入系统的平行化部件包括两个成角度的偶极子磁体，其彼此相互反射并用于弯曲穿过其中的离子束以具有基本上“”“的形状。该弯曲用于滤除光束的污染物，而偶极子也使光束平行化，以促进跨晶片的均匀植入性质，例如植入角度。此外，朝向植入系统的端部包括减速阶段，使得束的能量可以在整个束线中保持相对较高以减轻束的膨胀。 ®KIPO＆WIPO 2009

10. 发明公开

KR1020090083443A 반도체 기판을 위한 ＲＦＱ 선형 가속기를 이용한 입자 제공 장치 및 방법 无效
标题翻译：使用用于半导体材料的无线电频率四线性加速器引入粒子的装置和方法
公开(公告)号：KR1020090083443A
公开(公告)日：2009-08-03
申请号：KR1020097011510
申请日：2007-11-08
申请人： 실리콘 제너시스 코포레이션
发明人： 헨리,프랑수아,제이. , 람,앨버트 , 아디비,바박
IPC分类号： H05H9/00 , H05H7/00 , H01L21/425 , G21K5/10
CPC分类号： H05H7/10 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/04737 , H01L21/26506 , H05H7/04 , H05H9/00
摘要： A system for forming one or more detachable semiconductor films capable of being free-standing. The apparatus includes an ion source to generate a plurality of collimated charged particles at a first energy level. The system includes a linear accelerator having a plurality of modular radio frequency quadrupole (RFQ) elements numbered from 1 through N successively coupled to each other, where N is an integer greater than 1. The linear accelerator controls and accelerates the plurality of collimated charged particles at the first energy level into a beam of charge particles having a second energy level. RFQ element numbered 1 is operably coupled to the ion source. The system includes an exit aperture coupled to RFQ element numbered N of the RFQ linear accelerator. In a specific embodiment, the system includes a beam expander coupled to the exit aperture, the beam expander being configured to process the beam of charged particles at the second energy level into an expanded beam of charged particles. The system includes a process chamber coupled to the beam expander and a workpiece provided within the process chamber to be implanted. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种用于形成能够独立的一个或多个可分离半导体膜的系统。该装置包括用于在第一能级产生多个准直带电粒子的离子源。该系统包括线性加速器，其具有从1到N编号的多个模块化射频四极杆（RFQ）元件，其连续地彼此耦合，其中N是大于1的整数。线性加速器控制和加速多个准直带电粒子在第一能级进入具有第二能级的电荷粒子束。编号为1的RFQ元件可操作地耦合到离子源。该系统包括耦合到RFQ线性加速器的编号为N的RFQ元件的出口孔。在一个具体实施例中，该系统包括耦合到出口孔的光束扩展器，该光束扩展器被配置成将处于第二能级的带电粒子束处理成扩展的带电粒子束。该系统包括耦合到光束扩展器的处理室和设置在待植入的处理室内的工件。 ®KIPO＆WIPO 2009

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