基本信息:
- 专利标题： 고에너지 이온주입장치, 빔전류조정장치, 및 빔전류조정방법
- 专利标题（英）：High energy ion implanting device, beam current regulating device, and beam current regulating method
- 专利标题（中）：高能离子注入装置，光束电流调节装置和光束电流调节方法
- 申请号：KR1020140162660 申请日：2014-11-20
- 公开(公告)号：KR1020150059119A 公开(公告)日：2015-05-29
- 发明人： 이나다고우지 , 가토오고우지
- 申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Osaki *chome, Shinagawa-ku, Tokyo Japan
- 专利权人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Osaki *chome, Shinagawa-ku, Tokyo Japan
- 代理人： 장수길; 김명곤
- 优先权： JPJP-P-2013-240647 2013-11-21
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317
摘要：
예를들면고에너지이온주입장치에있어서주입빔전류를조정한다. 이온주입장치를위한빔전류조정장치(300)는, 이온빔의수렴점(P) 또는그 근방에배치되어있는가변애퍼추어(302)를구비한다. 가변애퍼추어(302)는, 주입빔전류를제어하기위하여, 수렴점(P)에있어서의이온빔의수렴방향에수직인방향의빔폭을조정하도록구성되어있다. 가변애퍼추어(302)는, 질량분석슬릿(22b)의바로뒤쪽에배치되어있어도된다. 빔전류조정장치(300)는, 고에너지다단직선가속유닛(14)을가지는고에너지이온주입장치(100)에설치되어있어도된다.
摘要（中）：
本发明涉及高能离子注入装置，束电流调节装置和束电流调节方法。 例如，在高能离子注入装置中调节注入束电流。 用于离子注入装置的束流调节装置（300）包括：设置在会聚点（P）中或离离子束的会聚点附近的可变孔径（302）。 可变孔径（302）调节垂直于会聚点（P）中的离子束的会聚方向的方向的波束的宽度，以调节注入束电流。 可变孔径（302）布置在质量分析狭缝（22b）的后面。 束电流调节装置（300）安装在包括高能多级线性加速装置（14）的高能离子注入装置（100）中。
摘要（英）：
For example and to adjust the injection current in the beam energy ion implanter.
Beam current control for an ion implanter device 300 is provided with a variable aperture 302 is disposed in the converging point (P) or in the vicinity of the ion beam. A variable aperture 302, and, is configured to adjust the beam width in the direction perpendicular to the convergence direction of the ion beam at the convergence point (P) in order to control the injected beam current. A variable aperture 302 may be disposed on just the rear of the mass analysis slit (22b). Beam current control apparatus 300, or may be installed in the multi-stage high-energy linear accelerator unit (14) having a high-energy ion implanter 100.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |