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1. 发明授权

KR101858102B1 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR101858102B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020170019757
申请日：2017-02-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나가토마사야 , 쿠리바야시코에이 , 카메다켄지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/45527 , H01L21/02164 , H01L21/0228
摘要： 막을형성하는처리를수행한후의처리실내의클리닝효율을향상시킨다.기판상에막을형성하는처리가수행된후의처리실내를클리닝하는방법으로서, 30℃내지 100℃의범위내의제1 온도로가열한상기처리실내에불화수소가스를공급하는공정; 상기처리실내의온도를 250℃내지 450℃의범위내의제2 온도로승온하는공정; 및상기제2 온도로가열한상기처리실내에불소가스를공급하는공정을포함하고, 상기제1 온도는상기불소가스가활성화하지않는온도로하고, 상기제2 온도는상기불소가스가활성화하는온도로한다.

2. 发明授权

KR101699254B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件基板处理装置和非电子计算机可读记录介质的方法
公开(公告)号：KR101699254B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020160116445
申请日：2016-09-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 쿠리바야시코에이 , 에바타신야
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/60
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01J37/32926 , H01J2237/332 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은기판상에잔류하는원료가스를효율적으로퍼지하여기판의면내균일성을향상시키는기술의제공한다.처리실내에제1 원료가스를공급하는제1 공급공정; 상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제1 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제1 급배(給排) 공정; 상기처리실내에제2 원료가스를공급하는제2 공급공정; 및상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제2 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제2 급배공정;을복수회 수행하는것에의해상기처리실내의기판상에박막을형성하는공정을포함하고, 상기제2 급배공정이상기제1 급배공정보다급배시간이더 길고, 상기제1 급배공정및 상기제2 급배공정중 적어도어느하나의공정에서의상기처리실내의압력의최고값은상기제1 공급공정또는상기제2 공급공정중 적어도어느하나에서의상기처리실의압력의최고값보다낮은반도체장치의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明的方法涉及有效地吹扫残留在基板上的源气体并提高基板的面内均匀性的技术。本发明的方法包括：通过（a）将源气体供应到处理室中，在容纳在处理室中的基板上形成薄膜，和（b）将惰性气体供给到处理室中，同时交替地增加和减少供给到处理室中的惰性气体的流量和来自处理室的源气体和惰性气体的排出。

3. 发明公开

KR1020170106905A 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 审中-实审
标题翻译：清洁方法，半导体器件制造方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：KR1020170106905A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020170019757
申请日：2017-02-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 나가토마사야 , 쿠리바야시코에이 , 카메다켄지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/4408 , C23C16/45527 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/324 , H01L21/67034 , H01L21/67098 , H01L21/67248 , H01L2924/01001 , H01L2924/01009
摘要： 막을형성하는처리를수행한후의처리실내의클리닝효율을향상시킨다. 기판상에막을형성하는처리가수행된후의처리실내를클리닝하는방법으로서, 제1 온도로가열한처리실내에수소및 불소를포함하는가스를공급하는공정; 처리실내의온도를제1 온도보다높은제2 온도로승온하는공정; 및제2 온도로가열한처리실내에불소를포함하는가스를공급하는공정을포함하고, 제1 온도는불소를포함하는가스가활성화하지않는온도로하고, 제2 온도는불소를포함하는가스가활성화하는온도로한다.
摘要翻译：由此提高成膜处理后的处理室的清洗效率。包括以下步骤：向加热至第一温度的处理室供给含有氢和氟的气体;在所述处理室中，将处理室的温度升高到比第一温度更高的第二温度; 供给含有在加热至mitje第二温度的处理室氟的气体的步骤中，第一温度是气体的温度，含氟气体没有被激活，并且所述第二温度是活化的氟并耦合到温度。

4. 发明公开

KR1020160110930A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020160110930A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020160116445
申请日：2016-09-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 쿠리바야시코에이 , 에바타신야
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/60
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01J37/32926 , H01J2237/332 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/67005 , H01L21/67034 , H01L2021/60187
摘要： 본발명은기판상에잔류하는원료가스를효율적으로퍼지하여기판의면내균일성을향상시키는기술의제공한다. 처리실내에제1 원료가스를공급하는제1 공급공정; 상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제1 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제1 급배(給排) 공정; 상기처리실내에제2 원료가스를공급하는제2 공급공정; 및상기처리실내에불활성가스를공급하면서배기하여상기처리실내의압력의증감을반복하여, 상기제2 원료가스및 상기불활성가스를상기처리실내로부터배기하는제2 급배공정;을복수회 수행하는것에의해상기처리실내의기판상에박막을형성하는공정을포함하고, 상기제2 급배공정이상기제1 급배공정보다급배시간이더 긴반도체장치의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明提供一种有效地清除残留在基板上的原料气体以提高基板表面的均匀性的技术。根据本发明，该方法通过多次进行处理室中的基板上的薄膜，该方法包括：向处理室供给第一原料气体的第一供给工序; 在向所述处理室供给惰性气体的同时进行通气以重复所述处理室的压力的增加/减少以从所述处理室排出所述第一原料气体和所述惰性气体的第一分配过程; 向所述处理室供给第二原料气体的第二供给工序; 第二分配处理，在向所述处理室供给惰性气体的同时进行通气，以重复所述处理室的压力的增加/减少，以从所述处理室排放所述第二原料气体和所述惰性气体。第二分配处理的分配时间比第一分发处理的分发时间长。

5. 发明公开

KR1020150034632A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 无效
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和非电子计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020150034632A
公开(公告)日：2015-04-03
申请号：KR1020140126649
申请日：2014-09-23
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 쿠리바야시코에이 , 에바타신야
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01J37/32926 , H01J2237/332 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은기판상에잔류하는원료가스를효율적으로퍼지하여기판의면내균일성을향상시키는기술의제공한다. 기판을처리실에반송하는반송공정; 상기처리실내에서상기기판에성막하는성막공정; 및상기기판을상기처리실로부터반출하는반출공정;을포함하고, 상기성막공정은상기처리실내에원료가스를공급하는공급공정과상기처리실내에불활성가스를공급하여상기원료가스및 상기불활성가스를처리실내로부터배기하는급배공정을포함하고, 상기급배공정에서상기불활성가스의상기처리실내로의공급유량의증감을반복한다.
摘要翻译：本发明提供了一种通过有效地将剩余的原料气体模糊化来提高基板的厚度均匀性的技术。该技术包括：将衬底处理到处理室的转移过程; 在处理室中的基板上形成膜的成膜工艺; 以及从处理室执行基板的执行处理，其中成膜工艺包括在处理室中供应原料气体的供应过程和供给/排出处理以在处理室中提供惰性气体和排出来自处理室的惰性气体和供给/排出处理供给流入处理室的惰性气体的流量被重复地增加和减少。

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