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    • 10. 发明授权
    • 플라즈마 처리 장치
    • 等离子处理设备
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    • H01L21/205C23C16/455H01L21/3065H05H1/46
    • H05H1/46C23C16/402C23C16/45519C23C16/505H01J37/3244H01J37/32495
    • 플라즈마처리장치는, 처리대상기판이배치되는기판스테이지와, 안테나어레이를이용하여플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 상기안테나어레이의상방(上方)에설치된복수의가스방사구를가지는가스방사판을구비하는가스방사부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의일부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의표면을통하도록, 제1 원료가스를공급하는제1 가스공급부와, 상기가스방사판의복수의가스방사구의다른부분으로부터상기기판스테이지의표면으로향하여방사하여상기안테나소자의간극(間隙)을통하도록, 제2 원료가스를공급하는제2 가스공급부를가진다. 제1 원료가스는, 안테나소자에노출된경우, 부착물이생기지않거나, 또는제2 원료가스보다도부착량이적다. 이것에의하여, 성막(成膜) 속도를향상시키는것과함께, 파티클의발생을억제할수 있다.
    • 该等离子体处理装置具备:载置被处理基板的基板载置台,使用该天线阵列来生成等离子体的等离子体生成部,以及在该天线阵列的上方具有多个气体放出口的气体放射板 第一气体供应部分,用于通过从所述气体辐射板的多个气体辐射工具的一部分朝向所述基板台的表面辐射来通过所述天线元件的表面供应第一源气体; 以及第二气体供给部,其供给第二原料气体,以从气体辐射板的多个气体喷出口的另一部分朝向基板载台的表面照射,以通过天线元件的间隙。 当第一原料气体暴露于天线元件时,不形成沉积物,或沉积量小于第二原料气体的沉积量。 因此,可以提高沉积速度并且可以抑制颗粒的发生。