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1. 发明授权

KR101396676B1 하전 입자선 장치 有权
标题翻译：充电颗粒辐射装置
公开(公告)号：KR101396676B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020127033316
申请日：2010-01-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가타네,준이찌 , 이또,스께히로
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2605
摘要： 본 발명의 주사 하전 입자선 장치는, 시료실(8)과, 검출기를 구비하고, 상기 검출기는 상기 시료실이 저진공(1㎩∼3000㎩)으로 제어되어 있을 때에, 가스 신틸레이션에 의한 발광 현상에 의해서 얻어지는 화상 정보를 갖는 광(17) 중 적어도 진공 자외 영역으로부터 가시광 영역까지의 광을 검출하는 기능과, 전자와 가스 분자의 캐스케이드 증폭에 의해서 얻어지는 화상 정보를 가진 이온 전류(11, 13)를 검출하는 기능을 겸비한다. 이에 의해, 다양한 샘플의 관찰에 대응할 수 있는 장치를 실현할 수 있게 되고, 또한, 상기 검출부의 최적 구성을 고안함으로써, 얻어지는 화상에 부가 가치를 부여하여, 그 관찰 화상을 폭 넓은 분야의 유저에게 제공할 수 있게 되었다. 또한, 상기 검출기를 고진공용 검출기와 병용 가능하게 함으로써, 진공 모드에 관계없이 폭 넓은 유저에게 화상을 제공할 수 있도록 되었다.

2. 发明授权

KR101247865B1 하전 입자선 장치 有权
标题翻译：充电颗粒辐射装置
公开(公告)号：KR101247865B1
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020117018283
申请日：2010-01-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가타네,준이찌 , 이또,스께히로
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2605
摘要： 본 발명의 주사 하전 입자선 장치는, 시료실(8)과, 검출기를 구비하고, 상기 검출기는 상기 시료실이 저진공(1㎩∼3000㎩)으로 제어되어 있을 때에, 가스 신틸레이션에 의한 발광 현상에 의해서 얻어지는 화상 정보를 갖는 광(17) 중 적어도 진공 자외 영역으로부터 가시광 영역까지의 광을 검출하는 기능과, 전자와 가스 분자의 캐스케이드 증폭에 의해서 얻어지는 화상 정보를 가진 이온 전류(11, 13)를 검출하는 기능을 겸비한다. 이에 의해, 다양한 샘플의 관찰에 대응할 수 있는 장치를 실현할 수 있게 되고, 또한, 상기 검출부의 최적 구성을 고안함으로써, 얻어지는 화상에 부가 가치를 부여하여, 그 관찰 화상을 폭 넓은 분야의 유저에게 제공할 수 있게 되었다. 또한, 상기 검출기를 고진공용 검출기와 병용 가능하게 함으로써, 진공 모드에 관계없이 폭 넓은 유저에게 화상을 제공할 수 있도록 되었다.

3. 发明公开

KR1020130014609A 하전 입자선 장치 有权
标题翻译：带电粒子束装置
公开(公告)号：KR1020130014609A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020127033316
申请日：2010-01-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가타네,준이찌 , 이또,스께히로
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2605
摘要： 본 발명의 주사 하전 입자선 장치는, 시료실(8)과, 검출기를 구비하고, 상기 검출기는 상기 시료실이 저진공(1㎩～3000㎩)으로 제어되어 있을 때에, 가스 신틸레이션에 의한 발광 현상에 의해서 얻어지는 화상 정보를 갖는 광(17) 중 적어도 진공 자외 영역으로부터 가시광 영역까지의 광을 검출하는 기능과, 전자와 가스 분자의 캐스케이드 증폭에 의해서 얻어지는 화상 정보를 가진 이온 전류(11, 13)를 검출하는 기능을 겸비한다. 이에 의해, 다양한 샘플의 관찰에 대응할 수 있는 장치를 실현할 수 있게 되고, 또한, 상기 검출부의 최적 구성을 고안함으로써, 얻어지는 화상에 부가 가치를 부여하여, 그 관찰 화상을 폭 넓은 분야의 유저에게 제공할 수 있게 되었다. 또한, 상기 검출기를 고진공용 검출기와 병용 가능하게 함으로써, 진공 모드에 관계없이 폭 넓은 유저에게 화상을 제공할 수 있도록 되었다.
摘要翻译：根据本发明，所述样品室（8）和，一个检测器，并且当所述样品室被控制为低真空（〜1㎩3000㎩）检测器，由气体闪烁发光扫描带电粒子射线装置具有检测从至少真空紫外区域到可见光区域的光的功能的离子电流11和13以及通过电子和气体分子的级联放大获得的图像信息，检测功能。其结果，能够实现一种可对应于不同的样品的观察，而且，通过设计检测单元的最佳结构中，通过在所得图像中施加附加的值的装置，以提供对观察图像，以在各领域的用户它变得可能。此外，通过使检测器与高真空检测器结合使用，可以将图像提供给广泛的用户，而不管真空模式如何。

4. 发明授权

KR101835197B1 멀티 빔의 전류량 측정 방법, 멀티 하전 입자 묘화 제어 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 有权
标题翻译：测量当前多束多束粒子绘图控制装置的方法，
公开(公告)号：KR101835197B1
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：KR1020160005791
申请日：2016-01-18
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 이와타히데유키
IPC分类号： G01R19/00 , G01R19/165 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/304 , H01J37/3177 , H01J2237/2443 , H01J2237/24535
摘要： 본발명은, 멀티빔의전류량측정방법은, 하전입자빔을조사하는스텝과, 상기하전입자빔의조사에의해멀티빔을형성하는복수의애퍼쳐홀을구비하는애퍼쳐부재의상기복수의애퍼쳐홀을통과한상기멀티빔에대응하는전기신호를미소전류측정부에서증폭하는스텝과, 디지타이저에있어서상기미소전류측정부에서증폭된전기신호를받아, 상기멀티빔의전자수를계수하는스텝과, 계수된상기멀티빔의전자수와기본전하량과의곱에의해, 상기복수의애퍼쳐홀을통과한상기멀티빔의전류량을산출하는스텝과, 보정부에있어서, 산출된상기전류량을기초로상기복수의애퍼쳐홀 각각마다의상기하전입자빔의조사시간을보정하는스텝을구비한다.
摘要翻译：本发明中，多光束的电流测量方法的量，并照射带电粒子束的步骤，光圈bujaeui多个具有多个孔chyeohol的孔径chyeohol以形成由所述带电粒子束的照射多束传递hansanggi该方法对应于数字转换器的步骤的多波束的电信号在微小电流测量单元放大接收由小电流测量单元，一个步骤，用于计数该多束的电子的数量的因子放大的电信号由电子的数量和电荷多光束的基本量的产物，计算电流流通hansanggi多波束的量到所述多个孔径chyeohol的步骤和光束根据所述多个计算的基础上的政府，光圈电流chyeohol的量并且为每个副本校正磨损的转印束的照射时间的步骤。

5. 发明授权

KR101816935B1 시료 관찰 장치 및 시료 관찰 방법 有权
标题翻译：样品观察装置和样品观察方法
公开(公告)号：KR101816935B1
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：KR1020120119990
申请日：2012-10-26
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가리마타츠토무 , 고하마다츠야 , 요시카와쇼지 , 하타케야마마사히로
IPC分类号： G01N23/225 , H01J37/252
CPC分类号： H01J37/261 , H01J37/073 , H01J37/12 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/036 , H01J2237/062 , H01J2237/06333 , H01J2237/1205 , H01J2237/1518 , H01J2237/186 , H01J2237/2443 , H01J2237/2817
摘要： 본발명은, 전자선을주사하여시료를관찰함에있어서, 높은분해능을갖고, 전자선의주사에드는시간을짧게할 수있는시료관찰장치를제공하는것을과제로한다.스테이지(110)에얹어진시료에전자선을조사하여시료로부터의전자선을검출함으로써시료를관찰하는전자선검사장치(1000)는, 시료에전자선을조사하여시료로부터의전자선을검출하기위한하나의전자칼럼(907)을갖춘다. 이하나의전자칼럼(907)에는각각시료에조사되는전자선및 시료로부터의전자선이지나는전자선로를형성하는복수의전자선조사검출계가구성된다. 전자선검사장치(1000)는복수의전자선조사검출계를동시에이용함으로써복수의전자선을동시에시료에조사하여시료를검사한다.
摘要翻译：发明内容本发明的一个目的是提供一种样品观察设备，其能够在通过扫描电子束观察样品时缩短以高分辨率扫描电子束所需的时间。用于通过照射电子束来检测所述样品robuteoui电子束观察样品的电子束检查装置1000照射的电子束到配有电子柱907，用于检测所述样品光束robuteoui的样品。在下文中，电子柱907构成多个电子束照射检测系统，每个电子束照射检测系统均形成电子束，通过该电子束照射在样品上的电子束和来自样品的电子束被透射。电子束检查设备1000同时使用多个电子束照射检测系统同时向样品照射多个电子束。

6. 发明授权

KR101330368B1 표본표면을 검사하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：检测样本表面的方法和装置
公开(公告)号：KR101330368B1
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020077004070
申请日：2005-07-21
申请人： 네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오
发明人： 니컬크,미첼데이비드 , 크루트,피터
IPC分类号： G01N23/225 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/244 , G01N23/2251 , H01J37/22 , H01J37/28 , H01J2237/1503 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2482
摘要： 본 발명은 표본표면(specimen surface)을 검사하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 표본표면으로 향하는 다수의 일차빔을 발생하는 단계와, 표본표면 상의 각각의 위치상으로 다수의 일차빔을 집중시키는 단계와, 일차빔의 입사(incidence)시에 표본표면으로부터 기인하는 하전입자의 다수의 이치빔을 수집하는 단계와, 하나이상의 수집된 이차빔을 광학빔으로 전환하는 단계와, 그리고 광학빔을 검출하는 단계를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020130067252A 리소그래피 시스템, 센서, 변환기 엘리먼트 및 제조 방법 有权
标题翻译： LITHOGRAPHY系统，传感器，转换器元件和制造方法
公开(公告)号：KR1020130067252A
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：KR1020127027493
申请日：2011-03-22
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 한포우그,라바
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3045 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/2443
摘要： 하나 이상의 하전 입자 빔릿들의 하나 이상의 특징들을 결정하기 위한 센서를 포함하는, 패턴을 타겟의 표면으로 전사하기 위한 하전 입자 빔릿 리소그래피 시스템이 개시된다. 센서는 하전 입자들(22)을 수용하고 이에 응답하여 광자들(photons)을 생성하기 위한 변환기 엘리먼트(1)를 포함한다. 변환기 엘리먼트는 하나 이상의 하전 입자 빔릿들을 수용하기 위한 표면을 포함하고, 표면에는 하나 이상의 개별적인 빔릿들을 평가하기 위한 하나 이상의 셀들이 제공된다. 각각의 셀은 변환기 엘리먼트 표면에 걸쳐 미리 결정된 빔릿 스캔 궤적을 따라 차단 및 비차단 영역들 사이의 전이들(transitions)에서 다수의 나이프 에지들(knife edges)을 형성하는 미리 결정된 차단 패턴(18)의 하나 이상의 하전 입자 차단 구조들을 포함한다. 변환기 엘리먼트 표면은 하전 입자들에 대해 실질적으로 침투 가능하고 주변 광(ambient light)에 대해 실질적으로 침투 불가한 코팅층(20)으로 코팅된다. 전기적으로 도전성 층(21)은 코팅층 및 차단 구조들 사이에 위치된다.

8. 发明公开

KR1020070085210A 표본표면을 검사하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：检测样品表面和使用荧光材料的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070085210A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077004070
申请日：2005-07-21
申请人： 네덜란제 오르가니자티에 포오르 토에게파스트-나투우르베텐샤펠리즈크 온데르조에크 테엔오
发明人： 니컬크,미첼데이비드 , 크루트,피터
IPC分类号： G01N23/225 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/244 , G01N23/2251 , H01J37/22 , H01J37/28 , H01J2237/1503 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2482
摘要： The invention relates to a method of inspecting a specimen surface. The method comprises the steps of generating a plurality of primary beams directed towards the specimen surface, focussing the plurality of primary beams onto respective loci on the specimen surface, collecting a plurality of secondary beams of charged particles originating from the specimen surface upon incidence of the primary beams, converting at least one of the collected secondary beams into an optical beam, and detecting the optical beam.
摘要翻译：本发明涉及一种检查样品表面的方法。该方法包括以下步骤：产生指向样品表面的多个主光束，将多个主光束聚焦在样品表面上的相应位置上，在发射的样品表面上收集多个源自样品表面的带电粒子的次光束主波束，将所收集的次波束中的至少一个转换成光束，以及检测光束。

9. 发明公开

KR1020020025797A 2차 전자 검출을 위한 고집전 효율을 갖는 소형 신틸레이터 无效
标题翻译：具有电子束样品的紧凑型电子工业电子束扫描仪带有内部接地盖的外部电子盘和外部隔离部分收集和引导的通道
公开(公告)号：KR1020020025797A
公开(公告)日：2002-04-04
申请号：KR1020010060418
申请日：2001-09-28
申请人： 슐럼버거 테크놀로지즈, 아이엔씨.
发明人： 왕리 , 몬테인티모시마이클 , 엣친세르게이 , 산카르수브라마니안브이.
IPC分类号： G01T1/20
CPC分类号： H01J37/244 , H01J2237/2443
摘要： PURPOSE: A compact electronics industry electron beam scanner having an electron beam sample impinging and a secondary electrons disk is provided to realize the maximum collection efficiency and to improve the reliability of a focused ion beam system. CONSTITUTION: A scanner mechanism detects secondary electrons transmitted from a processing section, onto which an electron beam(10) is passed. The scanner has a disk(13) with a base onto which secondary electrons impinge. An outer isolator(18) is placed around the scanner side. An earthed cap(16) is placed around the base, and an optically coupled light guide collects the electrons.
摘要翻译：目的：提供具有电子束样品入射的紧凑型电子工业电子束扫描器和二次电子盘，以实现最大收集效率并提高聚焦离子束系统的可靠性。构成：扫描器机构检测从电子束（10）通过的处理部分传输的二次电子。扫描器具有带有二次电子撞击的基座的盘（13）。外部隔离器（18）放置在扫描仪侧。接地盖（16）围绕基座放置，光耦合光导收集电子。

10. 发明公开

KR1020170125020A 이온화 방사선의 검출을 위한 섬광 검출기 审中-实审
标题翻译：用于检测电离辐射的闪烁探测器
公开(公告)号：KR1020170125020A
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020177022632
申请日：2016-02-08
申请人： 크리투르, 스폴. 에스 알 오 , 파이지칼리 우스타브 아베 체르 브이 브이 아이
发明人： 호스포드코바,엘리스 , 블라제크,카렐 , 훌리시우스,에드워드 , 토우스,잔 , 니클,마틴
IPC分类号： G01T1/24 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/2985 , G01T1/1644 , G01T1/2023 , G01T1/24 , H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , G01T1/20
摘要： 단결정기판 (1), 적어도하나의버퍼층 (2), 상기기판 (1) 위쪽으로에피택시로적층되고일반식 AlInGaN (여기서 0 ≤≤ x ≤≤ 1, 0 ≤≤ y ≤≤ 1 및 0 ≤≤ x+y ≤≤ 1임)으로표시되는적어도하나의질화물반도체층 (3, 4, 5, 6)을포함하는, 이온화방사선, 특히전자, X-선또는입자방사선의검출을위한섬광검출기, 여기서적어도두 개의질화물반도체층들 (3, 4)은레이어드헤테로구조로배열되고, 이들의구조는전자들및 정공들의방사성재결합을위해적어도하나의퍼텐셜우물을포함한다. 상기구조에서발광감쇠시간을감소시키기위해 AlInGaN 형의장벽층 (4) 및퍼텐셜우물을나타내는 AlInGaN 형의층 (5)으로이루어지는 (여기서 xb ≤≤ xw 및 yb ≤≤ yw임) 주로동일한분극의적어도하나의질화물반도체활성커플층 (3, 4)이배열되거나, 적어도하나의질화물반도체활성커플층 (4, 5)에 AlInGaN 형이고 (여기서 yd ≤≤ yw 및 xd ≥≥ xw+0.3임) 2 nm 미만의두께 (t)를갖는적어도하나의운반체끌기층 (7)이삽입된다.
摘要翻译：的单晶衬底（1），至少一个缓冲层（2），所述衬底（1）中的AlInGaN外延式（被堆叠起来，其中0≤≤≤≤X 1，0 Y，≤≤≤≤1和0≤≤ x，y或粒子辐射，包括至少一个由下式表示的氮化物半导体层（3,4,5,6）至少两个氮化物半导体层（3,4）被布置在层状异质结构，它们的结构包括至少一个势阱为电子和空穴的辐射复合。结构发射衰减时间减少键入阻挡层（4）和由型AlInGaN层5的示出的势阱的由AlInGaN（其中Xb和Yb≤≤≤≤XW YW林）至少主要相同的偏振的氮化物半导体层中的一个的有效耦合（3,4）被布置，或在氮化物半导体层中的一个的活性对（4,5）的AlInGaN类型（其中，YW≤≤YD和XD≥≥XW + 0.3林）为2nm至少插入至少一个厚度（t）小于载体拉制层（7）的厚度的载体拉制层（7）。

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