基本信息:
- 专利标题： 이온 주입기를 위한 새롭고 향상된 빔 라인 구조
- 专利标题（英）：New and improved beam line architecture for ion implanter
- 专利标题（中）：用于离子植入物的新的改进的束线结构
- 申请号：KR1020097008924 申请日：2007-09-13
- 公开(公告)号：KR101354632B1 公开(公告)日：2014-02-04
- 发明人： 반데르베르크,보 , 스플린터,패트릭
- 申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
- 申请人地址： 미합중국 매사츄세츠 (우편번호: *****) 비벌리 체리 힐 드라이브 ***
- 专利权人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
- 当前专利权人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
- 当前专利权人地址： 미합중국 매사츄세츠 (우편번호: *****) 비벌리 체리 힐 드라이브 ***
- 代理人： 김미희; 이시용; 정현주
- 优先权： US11/540,064 2006-09-29
- 国际申请： PCT/US2007/019904 2007-09-13
- 国际公布： WO2008042094 2008-04-10
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01J37/30
摘要：
이온 주입 시스템의 병렬화 부재는 서로 반사하는 두 개의 각진 쌍극자 자석을 포함하고, 이를 관통하는 이온 빔을 굽혀서 거의 "s" 형상을 갖도록 한다. 이러한 s 굽힘은 이온 빔의 오염 물질을 여과하여 제거하는데 기여하고, 또한 쌍극자는 빔을 병렬화시켜 예를 들어 주입각과 같은 웨이퍼에 걸친 균일한 주입 성질을 촉진시킨다. 또한, 감속 단계는 주입 시스템의 엔드(end)를 향해 포함되고 이에 의해 이온 빔의 에너지는 빔라인을 통해 비교적 높게 유지될 수 있고 이로써 빔 블로우업(beam blowup)을 완화시킨다.
摘要（英）：
Parallelism member of an ion implantation system includes two angled reflecting dipole magnet to each other, bend the ion beam passing through it and to have a substantially "s" shape. These s-bending facilitates the uniform implantation across the wafer properties such as contributing to the removal of contaminants by filtration of the ion beam, and also the main dipole is based, for example, by the beam parallelism. Further, the reduction step is the energy of the ion beam by being included towards the end (end) of the injection system, this can be kept relatively high over the beamline thereby alleviate beam blow-up (beam blowup).
公开/授权文献:
- KR1020090089295A 이온 주입기를 위한 새롭고 향상된 빔 라인 구조 公开/授权日：2009-08-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |