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1. 发明公开

KR1020110085094A 양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모 失效
标题翻译： NANO CILIA制造方法和NANO CILIA THEREBY
公开(公告)号：KR1020110085094A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100004700
申请日：2010-01-19
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 최면천 , 김철환 , 장윤형 , 황호준
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： C25D11/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/005
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing nano cilia using an anodizing process and the nano cilia manufactured by the same are provided to obtain uniformly manufactured nano cilia by forming an oxide nano frame composed of regular nano pores and eliminating oxide walls between adjacent nano pores. CONSTITUTION: A method for manufacturing nano cilia using an anodizing process includes the following: The surface of metal is electrolyzed. Engraved nano pores are formed in the electrolyzed metal. The surface of the metal is etched. Engraved nano pores are regularly formed on the surface of the metal through a second anodizing process. Embossed nano cilia is formed on the surface of the metal through a nano pore widening process. A ultra-hydrophobic characteristic is applied to the embossed surface of the nano cilia.
摘要翻译：目的：提供一种使用阳极氧化工艺制造纳米纤毛的方法和由其制造的纳米纤维，以通过形成由规则纳米孔组成的氧化物纳米框架并消除相邻纳米孔之间的氧化物壁来获得均匀制造的纳米纤毛。构成：使用阳极氧化处理制造纳米纤毛的方法包括：金属表面被电解。在电解金属中形成雕刻的纳米孔。蚀刻金属表面。通过第二阳极氧化工艺在金属表面上规则地形成雕刻的纳米孔。通过纳米孔加宽工艺在金属表面形成压花纳米纤毛。将超疏水特性应用于纳米纤毛的压花表面。

2. 发明授权

KR101275081B1 전극과 와이어의 접합 장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 접합 장치 失效
标题翻译：电极和导线与接合装置的接合装置的方法
公开(公告)号：KR101275081B1
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110070008
申请日：2011-07-14
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 조진형 , 문학범 , 권해철 , 김병주 , 방석현 , 황호준 , 김수정 , 장윤형 , 김철환
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은 와이어를 전극에 접합하는 방법에 있어서, 상기 와이어를 실린지에 공급하는 단계; 상기 와이어의 일단에 접착제를 묻히는 단계; 상기 실린지를 위치 이동장치에 장착시키는 단계; 상기 접착제를 건조시키는 단계; 및 상기 와이어의 일단이 기판의 전극에 접촉되어 상기 접착제가 건조되도록, 상기 위치 이동장치을 이동시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 기술적 특징으로 하여, 회로 배선 기판의 표면 물성의 변화가 일어나지 않으면서, 빠르고 손쉽게 와이어를 기판의 전극에 정확하게 고정접합할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造电极和电线的接合装置的方法及其制造的接合装置，以通过使用注射器装置和位置调节装置将电线精确地接合到基板的电极。构成：将线（10）供应到注射器（20）。粘合剂粘在导线的一端。注射器安装在位置调节装置（30）上。将粘合剂干燥。移动位置调节装置。

3. 发明授权

KR101004724B1 ＥＳＤ 방지용 보호 소자의 제조방법 및 그 보호 소자 失效
标题翻译：防静电保护装置的制造方法和保护装置
公开(公告)号：KR101004724B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020080076810
申请日：2008-08-06
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
摘要： 본 발명은 ESD 방지용 보호 소자의 제조방법 및 그 보호 소자에 관한 것으로, 절연체 기판 상측에 금속과 절연무기물이 혼합된 아모포스(amorphous)형태의 금속무기물혼합층을 진공증착시키는 제1단계와; 열처리에 의해 상기 금속무기물혼합층을 금속상과 절연무기물상으로 분리시켜, 상기 금속무기물혼합층을 금속볼이 구비된 절연무기물상으로 형성시켜 전압가변형 저항층을 형성시키는 제2단계와; 상기 전압가변형 저항층 상부에 내부전극을 형성시키는 제3단계와; 상기 전압가변형 저항층 및 내부전극을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층을 형성시키는 제4단계와; 상기 보호막층이 형성된 기판 양측에 외부전극을 형성시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ESD 방지용 보호 소자의 제조방법 및 이에 의한 보호 소자를 기술적 요지로 한다. 전압가변형 저항층이 금속볼이 구비된 절연무기물상으로 형성되어, 종래의 고분자 수지의 사용으로 순간펄스에 의한 탄화문제를 해결함으로써 저항이 낮아지는 것을 방지하여 높은 순간펄스 내량과 낮은 정전용량 설계로 인한 빠른 반응특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 소자를 제조할 수 있는 이점이 있다.
ESD 순간펄스 탄화 금속볼 절연무기물 전압가변

4. 发明授权

KR101670807B1 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 有权
标题翻译：高温本地加热型SUSMSEPTOR和加热装置
公开(公告)号：KR101670807B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020140194635
申请日：2014-12-31
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 김승언 , 나영상 , 김성웅 , 임가람 , 장윤형 , 문학범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
摘要： 열을방출하는부분의단면적이열을전달받는부분의단면적에비하여작게형성되어열 방출부분에서열이집중되도록설계된고온국부가열방식의서셉터및 이를갖는히팅장치에대하여개시한다. 본발명에따른고온국부가열방식의서셉터는열원에장착되어, 상기열원으로부터의열을전달받아피가열체를국부가열하기위한고온국부가열방식의서셉터로서, 제1 단면적을갖는서셉터몸체; 및상기서셉터몸체로부터돌출되어, 상기제1 단면적보다작은제2 단면적을갖는돌출부;를포함하는것을특징으로한다.

5. 发明公开

KR1020130009126A 전극과 와이어의 접합 장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 접합 장치 失效
标题翻译：电极与线和接合装置的接合装置的方法
公开(公告)号：KR1020130009126A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110070008
申请日：2011-07-14
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 조진형 , 문학범 , 권해철 , 김병주 , 방석현 , 황호준 , 김수정 , 장윤형 , 김철환
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a bonding device of an electrode and a wire and a bonding device manufactured by the same are provided to accurately bond the wire to the electrode of a substrate by using a syringe apparatus and a position adjusting apparatus. CONSTITUTION: A wire(10) is supplied to a syringe(20). Adhesive is adhered in one end of the wire. The syringe is mounted on position adjusting apparatus(30). The adhesive is dried. The position adjusting apparatus is moved.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造电极和电线的接合装置的方法及其制造的接合装置，以通过使用注射器装置和位置调节装置将电线精确地接合到基板的电极。构成：将线（10）供应到注射器（20）。粘合剂粘在导线的一端。注射器安装在位置调节装置（30）上。将粘合剂干燥。移动位置调节装置。

6. 发明授权

KR100975530B1 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 失效
标题翻译：使用阳极氧化铝和瞬态脉冲滤波器的瞬态脉冲滤波器制造方法
公开(公告)号：KR100975530B1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020080076812
申请日：2008-08-06
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/20
CPC分类号： H01C7/108 , H01C7/10 , H01C7/12 , Y10S977/932 , Y10T29/41
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 오동작, 짧은 수명 등의 원인이 될 수 있는 순간펄스필터를 알루미늄 양극산화법을 이용하여 제조한 것으로, 특히 절연체 기판(100) 상측에 알루미늄 박막층(200)을 형성시키는 제1단계와; 양극산화법에 의해 상기 알루미늄 박막층(200)을 산화시켜 구멍(pore)(310)이 형성된 알루미늄 산화물 박막층(300)을 형성시키는 제2단계와; 상기 구멍(310)을 채우기 위해 금속물질을 상기 알루미늄 산화물 박막층(300) 상측에 증착시키는 제3단계와; 상기 구멍(310) 내부 이외에 증착된 금속물질을 제거하여, 상기 알루미늄 박막층(200) 내부에 나노봉(400)을 형성시키는 제4단계와; 상기 나노봉(400)이 형성된 알루미늄 박막층(200) 상부에 내부전극(500)을 형성시키는 제5단계와; 상기 알루미늄 박막층(200) 및 내부전극(500)을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층(600)을 형성시키는 제6단계와; 상기 보호막층(600)이 형성된 기판 양측에 외부전극(700)을 형성시키는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해 제조된 순간펄스필터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 전도성 나노봉으로 이루어진 전도체들의 규칙적인 분포와 에너지 장벽의 균일성을 확보할 수 있어, 기존 기술에 비해 더 좋은 비선형 특성과 더 높은 순간펄스 내량의 특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 부품을 제조할 수 있는 이점이 있다.
양극산화 순간펄스필터 알루미늄 나노봉 순간펄스

7. 发明公开

KR1020160082134A 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 有权
标题翻译：高温本地加热型SUSMSEPTOR和加热装置
公开(公告)号：KR1020160082134A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140194635
申请日：2014-12-31
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 김승언 , 나영상 , 김성웅 , 임가람 , 장윤형 , 문학범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
摘要： 열을방출하는부분의단면적이열을전달받는부분의단면적에비하여작게형성되어열 방출부분에서열이집중되도록설계된고온국부가열방식의서셉터및 이를갖는히팅장치에대하여개시한다. 본발명에따른고온국부가열방식의서셉터는열원에장착되어, 상기열원으로부터의열을전달받아피가열체를국부가열하기위한고온국부가열방식의서셉터로서, 제1 단면적을갖는서셉터몸체; 및상기서셉터몸체로부터돌출되어, 상기제1 단면적보다작은제2 단면적을갖는돌출부;를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：公开了一种高温局部加热型基座及其加热装置。高温局部加热型基座被设计成使得热量聚焦在发射热量的部分上，因为发射热量的部分的横截面积小于接收热量的部分的横截面面积。根据本发明的高温局部加热型感受器安装在热源中，并且通过从热源接收热来部分地加热对象。高温局部加热型基座包括：具有第一横截面积的基座体和从基座体突出的具有比第一横截面积小的横截面积的突出单元。

8. 发明授权

KR101149162B1 양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모 失效
标题翻译：纳米纤毛制造方法和纳米纤毛
公开(公告)号：KR101149162B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020100004700
申请日：2010-01-19
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 최면천 , 김철환 , 장윤형 , 황호준
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
摘要： 본 발명은 양극산화법을 이용한 나노섬모 제조방법에 관한 것으로, 금속 표면을 전해연마하는 제1단계와; 상기 전해연마된 금속에 1차 양극산화공정에 의한 불규칙한 음각의 나노기공을 형성하는 제2단계와; 상기 불규칙한 음각의 나노기공으로 형성된 금속 표면을 식각공정으로 제거하는 제3단계와; 상기 금속 표면에 2차 양극산화공정에 의한 규칙적인 음각의 나노기공을 형성시키는 제4단계와; 상기 금속 표면에 나노기공 확장 공정을 통해 양각의 나노섬모를 형성하는 제5단계; 및 상기 양각의 나노섬모 표면에 표면처리 공정을 통해 소수성을 갖도록 하기 위한 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 제조공정에 의해 균일한 길이의 나노섬모를 제조하여 기본적으로 소수성 표면을 갖는 재료를 제조할 수 있으며, 여기에 초소수성 처리를 함으로써 초소수성 표면을 얻을 수 있어 그 응용분야가 다양할 것으로 기대된다.

9. 发明授权

KR101081099B1 다공성 비정질 나노템플릿을 이용한 칩 휴즈 제조방법 失效
标题翻译：使用多孔无定形纳米模板的芯片熔丝制造方法
公开(公告)号：KR101081099B1
公开(公告)日：2011-11-07
申请号：KR1020100029800
申请日：2010-04-01
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 최면천 , 권해철 , 김철환 , 장윤형 , 황호준
IPC分类号： H01H85/05
摘要： 본발명은칩 휴즈제조방법에관한것으로서, 기판을양극산화시켜기판상층에다공성비정질나노템플릿을형성하는제1단계와; 상기다공성비정질나노템플릿상부에금속전도체또는용단물질을코팅하는제2단계와; 상기금속전도체또는용단물질상부에보호막을코팅하는제3단계와; 상기금속전도체또는용단물질과연결되는외부전극을형성하는제4단계;를포함하여이루어지되, 상기기판은, 금속또는세라믹기판이고, 금속으로 Al, Ti, Ta, Nb, V, Hf 및 W 중에어느하나의재질로벌크(bulk)로형성되거나, 세라믹기판위에형성된금속층이 Al, Ti, Ta, Nb, V, Hf 및 W 중에어느하나의재질로형성되며, 상기금속층은스퍼터링(sputtering), evaporation, PLD(pulsed laser deposition), CVD(chemical vapor deposition)법중에어느하나의방법에의해형성되는것을특징으로하는다공성비정질나노템플릿을이용한칩 휴즈제조방법을기술적요지로한다. 이에의해열차폐효율이높은다공성비정질나노템플릿을사용하므로써비교적제작방법이용이하며, 저가의기판재료를사용할수 있어경제적이며, 기판쪽 또는기판상부로방사되는열을줄여금속전도체또는용단물질이빠른반응속도또는용단속도를가지면서끊어지도록하여초과전압및 전류가흘러가는것을신속히차단하여제품을안정적으로보호할수 있는이점이있다.

10. 发明公开

KR1020100018167A 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 失效
标题翻译：使用阳极氧化铝和瞬态脉冲过滤器的瞬态脉冲过滤器制造方法
公开(公告)号：KR1020100018167A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：KR1020080076812
申请日：2008-08-06
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/20
CPC分类号： H01C7/108 , H01C7/10 , H01C7/12 , Y10S977/932 , Y10T29/41
摘要： PURPOSE: A transient pulse filter manufacturing method using an anodic aluminum oxide and a transient pulse filter is provided to control the trigger voltage, the clamp voltage, and the leakage current etc by controlling the energy barrier thickness between the conductive materials. CONSTITUTION: An aluminum thin film layer is formed on the top of the insulator substrate(100). An aluminum oxide thin film layer(300) formed with a pore oxidized with the anodizing is formed. The metal material is deposited on the top of the aluminum oxide thin film layer in order to fill the hole. A nanorod(400) is formed inside the aluminum oxide thin film layer by eliminating the deposited metal material except for the hole. An inner electrode(500) is formed on the upper part of the aluminum oxide thin film layer in which a nanorod is formed. A passivation layer(600) is formed on the output upper part. An outer electrode(700) is formed on both sides of the substrate on which the passivation layer is formed.
摘要翻译：目的：提供使用阳极氧化铝和瞬态脉冲滤波器的瞬态脉冲滤波器制造方法，通过控制导电材料之间的能量屏障厚度来控制触发电压，钳位电压和漏电流等。构成：在绝缘体基板（100）的顶部上形成铝薄膜层。形成有用阳极氧化氧化的孔形成的氧化铝薄膜层（300）。金属材料沉积在氧化铝薄膜层的顶部以便填充孔。通过除去除了孔之外的沉积金属材料，在氧化铝薄膜层的内部形成纳米棒（400）。内部电极（500）形成在形成有纳米棒的氧化铝薄膜层的上部。在输出上部形成钝化层（600）。外部电极（700）形成在其上形成有钝化层的基板的两侧。

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