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1. 发明公开

KR1020150097526A 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 审中-实审
公开(公告)号：KR1020150097526A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020157016142
申请日：2013-11-27
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
IPC分类号： H01C7/04 , H01C17/065 , C23C14/06 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/0641 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/5826 , C23C14/586 , G01K7/22 , H01C7/008 , H01C7/042 , H01C17/06513
摘要： 필름 등에 비소성으로 직접 성막할 수 있고, 높은 내열성을 가지며 신뢰성이 높은 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서를 제공한다. 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식 : (Ti
1-w Cr
w )
x Al
y N
z (0.0 ＜ w ＜ 1.0, 0.70 ≤ y/(x＋y) ≤ 0.95, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, x＋y＋z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가 육방정계의 우르츠광형의 단상이다.

2. 发明授权

KR101646711B1 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：温度传感器元件及其制造方法
公开(公告)号：KR101646711B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020140050326
申请日：2014-04-25
申请人： (주) 래트론
发明人： 손재천 , 이충국
IPC分类号： G01K7/16 , G01K7/18 , G01K7/22 , G01K1/08 , G01K1/12
CPC分类号： G01K7/22 , G01K7/18 , H01C1/1413 , H01C7/042 , H01C7/043
摘要： 본발명은온도센서소자에관한것으로서, 상기온도센서소자는온도센서용세라믹소자, 상기온도센서용세라믹소자의제1 면에위치하고있는제1 전극, 상기제1 면의반대편에위치하는상기온도센서용세라믹소자의제2 면에위치하고있는제2 전극, 상기제1 전극과연결되어있는제1 리드선, 그리고상기제2 전극과연결되어있는제2 리드선을포함하는온도센서부, 그리고상기온도센서부를에워싸고있는보호부를포함하고, 상기제1 리드선과상기제2 리드선은각각서로다른물질로이루어진제1 층과제2 층을포함한다. 이때, 전극과연결되어있는리드선전체를백금계물질로형성하는대신백금계물질보다저렴한도전성물질로제1 층을형성하고제2 층에고온에서의산화막형성을방지하는제2 층을형성함에따라리드선의제조비용이감소한다.
摘要翻译：本发明涉及一种温度传感元件，温度传感器元件是位于该第一电极的另一侧的温度传感器，所述第一表面位于所述陶瓷元件用于温度传感器，该陶瓷元件，所述温度传感器的第一表面在位于陶瓷元件的所述第二表面是所述第二电极，连接至所述第一电极的第一引线，并且包括被连接到所述第二电极部分的第二引线的温度传感器，和温度传感器单元，其用于其中，第一引线和第二引线各自包括由不同材料的两层构成的第一层。此时，引线作为低成本的导电材料的形成上升的，而不是形成连接到电极上的铂系材料的整个引线，以形成防止形成在第二层中的高温eseoui氧化物膜的一第二层比基于铂的材料的第一层制造成本降低。

3. 发明公开

KR1020150091479A 기류 센서 审中-实审
标题翻译：气流传感器
公开(公告)号：KR1020150091479A
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：KR1020157015697
申请日：2013-11-21
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 나가토모노리아키 , 이나바히토시
IPC分类号： G01F1/692 , G01F1/684 , G01P5/12 , H01C1/014 , H01C7/04 , H01C17/065
CPC分类号： G01F1/692 , G01F1/684 , G01P5/12 , H01C1/014 , H01C7/042 , H01C17/06513
摘要： 측정 대상인 기체가 유통하는 풍로 내에 설치되는 측정용 감열 소자와, 풍로 내에 측정용 감열 소자를 지지하는 지지 기구를 구비하고, 측정용 감열 소자가, 절연성 필름과, 그 절연성 필름의 표면에 서미스터 재료로 형성된 박막 서미스터부와, 박막 서미스터부 위에 복수의 빗살부를 갖고 서로 대향하여 금속으로 패턴 형성된 한 쌍의 빗살형 전극과, 한 쌍의 빗살형 전극에 접속되어 절연성 필름의 표면에 패턴 형성된 한 쌍의 패턴 전극을 구비하고, 지지 기구가, 풍로 내의 기류의 방향에 대해 절연성 필름의 평면 방향을 평행하게 배치하고 있는 기류 센서를 제공한다.

4. 发明授权

KR1019910007657B1 반도체 온도검출회로 失效
标题翻译：半导体器件温度检测电路
公开(公告)号：KR1019910007657B1
公开(公告)日：1991-09-30
申请号：KR1019890006893
申请日：1989-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정태성
IPC分类号： G01K7/00
CPC分类号： G05F3/245 , G01K7/01 , G01K7/24 , H01C7/042 , H01L27/0211
摘要： The temperature is detected by using the characteristics of resistance temperature of polysilicon and subthreshold current of MOS transistor. The change of subthreshold current is very fine compared with the change of polysilicon resistance value as the temperature. A small amount of impurity, such as antimon, phosphorus, arsenic or boron, is implanted into the polysilicon to measure the temperature. This device has the advantage of easy installation into the semiconductor device.
摘要翻译：通过使用MOS晶体管的多晶硅电阻温度和亚阈值电流的特性来检测温度。与多晶硅电阻值随温度的变化相比，亚阈值电流的变化非常好。少量的杂质如锑，磷，砷或硼被注入到多晶硅中以测量温度。该器件具有容易安装到半导体器件中的优点。

5. 发明公开

KR1020160048761A 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 审中-实审
标题翻译：用于热敏元件的金属氮化物材料，制造金属氮化物材料的方法，
公开(公告)号：KR1020160048761A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020167001545
申请日：2014-08-15
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
IPC分类号： H01C7/00 , H01C7/04 , H01C17/12
CPC分类号： G01K7/223 , H01C1/14 , H01C1/142 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/042 , H01C17/12
摘要： 서미스터에사용되는금속질화물재료로서, 일반식 : M(AlSi)(NO)(단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. 0.0
摘要翻译：用于热敏电阻的金属氮化物材料是由通式M（AlSi）（NO）表示的金属氮化物材料，其中M表示Ti，V，Cr，Mn，Fe和Co中的至少一种， Y /（X + Y）≤0.98，0.45≤Z≤0.55，0

6. 发明公开

KR1020160046788A 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 审中-实审
标题翻译：用于热敏电阻的金属氮化物材料，其制造方法和薄膜型热敏电阻传感器
公开(公告)号：KR1020160046788A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020167001264
申请日：2014-08-15
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
IPC分类号： H01C7/04 , H01C7/00 , H01C17/12 , H01C17/24
CPC分类号： H01C17/12 , G01K7/223 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/042 , H01C17/2404
摘要： 서미스터에사용되는금속질화물재료로서, 일반식:M(AlSi)N(단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중적어도 1 종을나타낸다. 0.0

7. 发明公开

KR1020150097537A 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 审中-实审
标题翻译：用于热敏元件的金属氮化物材料，制造金属氮化物材料的方法，
公开(公告)号：KR1020150097537A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020157016314
申请日：2013-11-28
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
IPC分类号： H01C7/04 , C23C14/34 , C23C14/06 , H01C17/065 , H01C17/12
CPC分类号： H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/34 , C23C14/3414 , G01K7/22 , H01C7/042 , H01C17/06513 , H01C17/12
摘要： 필름 등에 비소성으로 직접 성막할 수 있고, 높은 내열성을 가지며 신뢰성이 높은 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서를 제공한다. 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식 : Cr
x Al
y N
z (0.70 ≤ y/(x＋y) ≤ 0.95, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, x＋y＋z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가 육방정계의 우르츠광형의 단상이다. 이 서미스터용 금속 질화물 재료의 제조 방법은, Cr-Al 합금 스퍼터링 타깃을 사용하여 질소 함유 분위기 중에서 반응성 스퍼터를 실시하여 성막하는 성막 공정을 갖고 있다.

8. 发明公开

KR1020150124078A 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：温度传感器元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150124078A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140050326
申请日：2014-04-25
申请人： (주) 래트론
发明人： 손재천 , 이충국
IPC分类号： G01K7/16 , G01K7/18 , G01K7/22 , G01K1/08 , G01K1/12
CPC分类号： G01K7/22 , G01K7/18 , H01C1/1413 , H01C7/042 , H01C7/043
摘要： 본발명은온도센서소자에관한것으로서, 상기온도센서소자는온도센서용세라믹소자, 상기온도센서용세라믹소자의제1 면에위치하고있는제1 전극, 상기제1 면의반대편에위치하는상기온도센서용세라믹소자의제2 면에위치하고있는제2 전극, 상기제1 전극과연결되어있는제1 리드선, 그리고상기제2 전극과연결되어있는제2 리드선을포함하는온도센서부, 그리고상기온도센서부를에워싸고있는보호부를포함하고, 상기제1 리드선과상기제2 리드선은각각서로다른물질로이루어진제1 층과제2 층을포함한다. 이때, 전극과연결되어있는리드선전체를백금계물질로형성하는대신백금계물질보다저렴한도전성물질로제1 층을형성하고제2 층에고온에서의산화막형성을방지하는제2 층을형성함에따라리드선의제조비용이감소한다.
摘要翻译：本发明涉及一种温度传感器元件。温度传感器元件包括：温度传感器部件，其包括用于温度传感器的陶瓷元件，设置在用于温度传感器的陶瓷元件的第一表面上的第一电极，设置在陶瓷元件的第二表面上的第二电极，温度传感器，其与第一表面相对放置，连接到第一电极的第一引线和连接到第二电极的第二引线; 以及覆盖温度传感器部的保护部。第一引线和第二引线分别包括由不同材料构成的第一层和第二层。通过形成比铂基材料便宜的导电材料的第一层来减少制造引线的成本，并且形成用于防止在高温下形成氧化膜的第二层，而不是形成连接到铂基材料。

9. 发明公开

KR1020150097538A 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 审中-实审
标题翻译：金属氮化物热敏材料及其制造方法和薄膜式热敏电阻传感器
公开(公告)号：KR1020150097538A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020157016339
申请日：2013-12-03
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 후지타도시아키 , 다나카히로시 , 나가토모노리아키
IPC分类号： H01C7/00 , C23C14/06 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C7/042 , H01C17/12
摘要： 필름 등에 비소성으로 직접 성막할 수 있고, 높은 내열성을 가져 신뢰성이 높은 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서를 제공한다. 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식 : (Ti
1-v Cr
v )
x Al
y (N
1-w O
w )
z (0.0 ＜ v ＜ 1.0, 0.70 ≤ y/(x ＋ y) ≤ 0.95, 0.45 ≤ z ≤ 0.55, 0 ＜ w ≤ 0.35, x ＋ y ＋ z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가, 육방정계의 우르츠광형의 단상이다.

10. 发明公开

KR1020150047088A 음의 온도 계수 거동을 갖는 박막 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有负温度系数的薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150047088A
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020140122499
申请日：2014-09-16
申请人： 나노 앤드 어드밴스드 매터리얼스 인스티튜트 리미티드
发明人： 순차이밍
IPC分类号： H01B1/20 , H01B5/14
CPC分类号： C08K7/10 , C08K2201/001 , C09D11/52 , G01K7/183 , H01C7/006 , H01C7/042 , H01C7/043 , H01C7/049 , H01C17/06513 , H01C17/06593 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02628
摘要： 바인더매트릭스및 그안에분산된반도체나노와이어를포함하는전도성박막이개시된다. 반도체나노와이어는상기박막의 30 wt% 내지 50wt% 범위이다. 본발명은또한이러한박막의제조방법을개시한다. 상기방법은: 복수의반도체나노와이어와폴리머바인더를혼합하여인쇄잉크를얻는단계; 상기인쇄잉크를용매로희석하여미리결정된점도를얻는단계; 기판상에상기인쇄잉크를인쇄하여그 위에전도성박막을형성하는단계; 및물의증발속도보다느린속도로용매를증발시키는단계;를포함한다.
摘要翻译：公开了包含分布在其中的粘合剂基质和半导体纳米线的导电性薄膜。半导体纳米线的重量为薄膜的30-50重量％。另外，本发明中公开的是薄膜的制造方法。该方法包括以下步骤：通过混合多个半导体纳米线和聚合物粘合剂获得印刷油墨; 通过用溶剂稀释印刷油墨获得预先确定的粘度; 将印刷油墨印刷在基板上，并在其上形成导电薄膜; 并以比水的蒸发速度慢的速度蒸发溶剂。

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